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VD—MOS(Vertical Channel Double Diffused MOSFET)是利用大规模集成技术,通过在硅基片上外延、多晶硅生长、离子注入、杂质扩散、化学气相淀积以及金属化等工艺过程制成。 相似文献
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砷化镓集成电路(GaAsIC)是微电子发展的重人新领域。本文将介绍其特点、主要方向和用途。重点介绍砷化镓集成技术基础研究对发展我国GaAsIC的重大意义。国家自然科学基金委员会安排“砷化镓集成电路基础技术研究”重大项目,其目的是研究国际上正在发展的第二代砷化镓集成技术——难熔栅全离子注入集成技术,为发展砷化镓超高速集成电路微波单片集成电路打下牢固的基础。 相似文献
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平面工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程,制作出集成电路;器件和电路都是在芯片表面一层附近处,整个芯片基本上保持是平坦的。单片集成电路工艺是利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。 相似文献
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离子注入表面改性是近期迅速兴起的一门新型表面技术.通过离子注入可以改变基体表面的机械性能和其它性能.GCr15钢是常用的航空轴承用钢.利用硼离子注入GCr15钢来探讨该钢表层的耐磨性和耐蚀性.试验所用GCr15钢的主要合金成分为0.98%C、1.50%Cr.试样制备之前先进行淬回火处理,然后经过粗磨、细磨、抛光、酒精擦拭后进行硼离子注入.离子注入能量80KeV,剂量为5×10~(16)~5×10~(17)B~+·cm~(-2). 对GCr15钢硼离子注入表层的硬度、耐磨性、耐蚀性的测试表明,GCr15钢表层的显微硬度随注入剂量的增加而明显提高,最大的提高量可达56%;表层的耐磨性由于硼离子注入而显著增加,以磨损失重量对比,离子注入最大可使其下降2倍,磨损类型亦由粘着靡损向较轻 相似文献
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模具表面强化技术应用现状及发展 总被引:1,自引:0,他引:1
表面强化技术是模具热处理的重要组成部分,决定着模具的使用寿命和模具质量优劣。文章从表面形变强化、激光相变硬化、TD处理、等离子化学热处理、离子注入、气相沉积、电火化表面等简单介绍目前研究较多、发展应用较快的几种表面强化新技术。 相似文献
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随着科学技术的发展,中国的煤炭开采技术越来越发达,已经从原始的开采技术逐步发展到机械化开采技术,这在中国煤炭开采史上都是巨大的发展,也推动着中国煤炭的发展。采煤技术及开采工艺的选择,特别是井下采煤技术和工艺的选择关系到煤矿开采的效率以及中国采煤的机械化水平和煤矿业的发展,所以中国的煤矿企业一定要重视采煤技术和工艺的选择。本文就从中国井下采煤技术及采煤工艺的现状入手,分析井下采煤技术及采煤工艺的选择根据,希望对我国井下采煤技术和采煤工艺的发展以及煤矿业的发展提供一些理论上的借鉴。 相似文献
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甘油对离子注入动物细胞的保护效应 总被引:4,自引:0,他引:4
提出一种方法,用低浓度甘油、适度预处理时间,可有效提高哺乳动物细胞对真空的耐受力,从而为开展离子注入动物细胞的研究探索出一条新路.离子注入生物效应的发现开辟了辐射生物学的一个新领域———低能重离子生物学.由于离子注入要在真空中进行,迄今这一领域研究的对象主要是对真空有一定耐受性的植物种子和微生物,对真空耐受性差的哺乳动物细胞离子束诱变研究未见报道 相似文献
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本文对半导体生产中用到的离子注入机进行了简单的介绍,对离子注入机使用过程中可能遇到的各类故障加以归类,并结合一些实际维修过程中遇到的故障现象来分析探讨。 相似文献
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与技术设计紧密结合的工艺流通是一些研究机构的典型特点,要使其有良好的发展,就必须处理好围绕工艺流通相关系统的管理。在目前的科技发展趋势和国家的经济形势下,合适的选择是工艺流通与技术设计组织结构一定程度的分隔,形成并行组织结构,并采取以生产转化为首要任务的分阶段的技术发展目标,以工艺生产养技术设计,同时注重处理好研究机构相关技术领域和管理体系的技术环境。 相似文献
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