空气气氛高温超导体YBa2Cu3O7-δ的制备

介绍了在空气气氛中制备YBa2Cu3O7-δ超导样品的实验方法，经样品超导体输运特性测定和形貌结构分析，表明烧结温度在950℃左右，烧结时间12h制备的YBa2Cu3O7-δ超导样品，其超导转变温度为92K，具有完全抗磁性（迈斯纳效应），同时表明样品晶粒发育良好，且具有良好的单相性和正交结构。     

La0.67Ca0.33MO3/YBa2Cu3O7-δ三明治结构薄膜的表面与界面微结构

用磁控溅射方法生长三明治结构的YBa2Cu3O7-δ/La0.67Ca0.33MnO3/YBa2Cu3O7-δ(YBCO/LCMO/YBCO)薄膜。该薄膜为完全(001)取向。掠入射X射线反射结果表明,YBCO/LCMO的界面有互扩散,其扩散长度为几个纳米。表层与界面的方均粗糙度(rms)随着YBCO层的厚度而变化,这与原子力显微镜的测量结果一致;进一步研究表明方均粗糙度与薄膜的失配应变弛豫相关。     

元素替代对YBa2 Cu3 O7-σ高温超导体Tc的影响

就YBa2Cu3O7-σ高温超导体的转变温度Tc影响因素之一元素替代进行讨论。针对元素在不同位置Cu位、Y位、B位、O缺陷与O位的替代效应所导致的晶体结构、氧含量以及载流子浓度等变化情况进行了较全面的综述，进一步探究了其超导机理。     

Eu掺杂YBa2-xEuxCu3O7-δ超导体的X射线衍射研究

Eu掺杂（取代）导致Y系YBa2Cu3O7-δ（YBCO）超导材料临界电流密度增强,晶格应变被认为是主要原因。本文研究了Eu掺杂YBa2-xEuxCu3O7-δ超导体的结构和应变,并从容忍因子讨论了钙钛矿单元的结构稳定性和晶格畸变,以及结构与电输运的相互关系;当x〈0．15时,样品中没有杂相。我们发现Eu^3＋／Eu^2＋离子优先替代Ba位的Ba,对电输运几乎没有影响。研究还表明氧含量对超导转变温度Tc几乎没有影响。进一步研究了所有正常态样品的自旋能隙打开温度与超导输运及结构变化之间的关系。     

Pr掺杂对欠氧YBa2 Cu3O7-δ结构与超导电性的影响

由于稀土Pr的特殊性,在Y-123中用Pr替代Y被人们广泛研究,但报道的结果常不一致,甚至相互矛盾。本文详细研究了Pr掺杂对YBa2Cu3O7-δ(Y-123)的结构与输运性质的影响。借助Rietveld方法,对不同掺杂的样品进行了细致的结构分析,并从结构的变化及替代所引起的结构应变、电荷变化的角度解释了Pr掺杂样品所具有的输运性质的变化。     

Properties of YBa2Cu3O7-∞ granular Josephson junction

YBa₂Cu₃O_7-∞ weak link junctions with width from 0.1 mm to 0.3 mm and length from 0.2 mm to 0.5 mm was made by hand with a razor blade. The current voltage characteristics of the microbridges show, under microwave irradiation, pronounced Shapiro steps up to transition temperature. A careful measurement of the dependence of the critical supercurrent on the external magnetic field and laser light is presented.     

冷压烧结法制备Al2O3/Cu复合材料的耐磨性研究

采用冷压二次烧结法制备出Al2O3/Cu复合材料,Al2O3颗粒的尺寸分别为1.5μm、7μm、10μm,体积含量分别为5%、10%、15%.耐磨性实验结果表明,Al2O3颗粒可以大幅度提高Cu基体材料的抗磨损性能,且Al2O3含量多(10%、15%)的比含量少(5%)的复合材料耐磨性更好;而Al2O3颗粒粒径适中(7μm)的比其它粒径(1.5μm、10μm)的复合材料抗磨损性能更佳.     

SnCl2-TiCl3-K2Cr2O7法测定铁矿石中铁的含量

主要介绍一种无汞法SnCl2一TiCl3一K2Cr2O7法测定铁矿石中铁的含量．这个方法避免了有汞法对环境的污染，实验精确度高，目前已列为铁矿石分析的国家标准．     

熔融织构YBa2Cu3O7-δ的临界电流的鱼尾效应

实验中用振动样品磁强计测量了熔融织构YBa2Cu3O7-δ的磁化曲线.并且根据Bean模型利用磁化曲线计算得到临界电流密度,发现在所测数据中仅在T=77K和83K观察到鱼尾效应,而且随着温度的降低,鱼尾效应的峰值向大磁场方向移动.进一步的分析表明鱼尾效应和两个因素有关.     

Cu2O／碳纳米管的制备与光催化性能研究

采用原位合成法以碳纳米管（cNTs）为载体制备了Cu2O／CNTs复合催化剂。初步考察了复合催化剂对X-3B溶液的光催化降解性能,并对光催化降解动力学进行了研究。     

生物合成Cr2O3纳米颗粒

微生物还原固定铬对Cr（VI）污染环境修复具有重要意义。筛选获得一株Cr（VI）还原菌株XMCr-6,并对其生物还原固定Cr（VI）进行了研究。动力学实验显示Cr（VI）是先还原,然后吸附固定在细胞表面。XPS分析表明铬在细胞表面主要是以三价的形式存在,高分辨透射电镜结合能谱分析进一步证实是形成Cr2O3纳米颗粒。     

Nd0.7Ce0.3MnO3掺杂对YBa2Cu3O7-δ超导电性的影响

采用固态反应法制备了巨磁电阻材料Nd0.7Ce0.3MnO3＋x和高温超导体YBa2Cu3O7-δ的混合块材。X射线衍射结果表明,所有衍射峰都可以用YBa2Cu3O7-δ块材的特征峰标出。输运测量结果表明,Nd0.7Ce0.3MnO3＋x的掺杂量在2％mol时对超导转变温度Tc基本没有影响,随着掺杂量的增加Tc迅速降低。在电阻转变曲线上随着掺杂量的增加出现逐渐增大的平台现象,我们认为这与Cooper对在运动过程中受到自旋极化区域电子的散射有关。     

合成气催化剂Ni—Cu／γ—Al2O3的制备及其性能的研究

分别用浸渍-还原与浸渍-焙烧-还原的方法制备了含Ni10%,Cu4%的Ni-Cu/γ-Al2O3催化剂，采用脉冲反应方式评价了500-850℃范围内该催化剂上甲烷部分氧化制合成气的反应性能，利用TPR，TPD等手段对催化剂进行表征，结果表明：用浸渍-还原法制备的催化剂活性明显优于用浸渍-焙烧-还原的方法制备的催化剂。     

YBa2Cu3-x GdxO7-δ的X射线衍射研究

用传统的固相反应法制备了掺杂稀土元素Gd的YBa2Cu3-xGdxO7-δ多晶粉末样品,并对YBa2Cu3-xGdxO7-δ结构进行X射线衍射研究。详细研究了Gd掺杂对YBa2Cu3O7-δ(Y-123)的结构与输运性质的影响。借助Rietveld方法,对不同掺杂的样品进行了细致的结构分析,并从结构的变化分析了掺杂对自旋隙产生的影响。对Gd3 离子磁掺杂自旋隙特征的研究说明自旋隙温度很大程度地依赖平面间的反铁磁关联配对的加强。     

工业生产TiO2颗粒表面Al2O3包膜的研究

以尿素为沉淀剂，用强迫水解方法对工业生产TiO2颗粒表面进行了Al2O3包膜表面改性．研究了氧化钛粉体分散性与pH值关系，包膜pH、温度及陈化时间等影响．采用FESEM、XRD和Zeta电位仪进行表征，结果表明：在碱性条件下可以在TiO2颗粒表面获得较理想的Al2O3包膜；工业生产TiO2颗粒进行Al2O3包膜表面改性，包膜层晶体结构以γ-Al2O3为主，分散性和稳定性提高．     

Al2O3-MA-Cr2O3质钢包渣线浇注料的研制与应用

本文简要介绍了Al2O3-MA-Cr2O3质浇注料的性能和研制过程,根据对使用后材料结构分析,认为该浇注料的损毁为一缓慢的熔损过程,在分析了Al2O3-MA-Cr2O3渣线浇注料长寿命的原因的基础上,提出下一步研究设想.     

熔融织构YBa2Cu3O7—δ的临界电流的鱼尾效应

实验中用振动样品磁强计测量了熔融织构YBa2Cu3O7-δ的磁化曲线．并且根据Bean模型利用磁化曲线计算得到临界电流密度，发现在所测数据中仅在T=77K和83K观察到鱼尾效应，而且随着温度的降低，鱼尾效应的峰值向大磁场方向移动．进一步的分析表明鱼尾效应和两个因素有关．     

ZrV2O7/Al复合梯度材料制备及特性研究

采用湿化学/高温煅烧法制备ZrV2O7粉末,并以其和金属Al粉为原料,利用粉末冶金法的堆层技术制备ZrV2O7/Al复合梯度材料.通过XRD、SEM抗热震性实验分析,研究了材料的组织及强度.结果表明:湿化学/高温煅烧法制备的ZrV2O7粉末纯度高;在ZrV2O7/Al复合梯度材料中沿梯度材料纵截面方向的成分梯度过渡明显,各层之间结合紧密.热震性实验表明,ZrV2O7/Al梯度材料的耐高温强度高,各层之间粘结性好.     

Ga2O3/ITO/Ga2O3深紫外透明导电膜的研究

采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征. Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/ Ga2O3(45 nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/ Ga2O3膜的光电性质.     

反应磁控溅射Cu2 O薄膜的结构和电学性质

用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.