电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化影响浅析

通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和喇曼谱仪检测铝诱导非晶硅薄膜的场致固相晶化的情况,分析了电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化的影响.     

利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.     

非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱

以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析。结果表明:当激光功率达到某一阈值时,非晶硅样品发生了晶化,即由非晶硅转化成了结晶硅,特征峰发生了46.8 cm-1的位移,薄膜的结晶性质发生根本变化。而结晶硅样品在激光功率变化过程中仅因能量积聚造成了薄膜内应力变化,激光能量消散后内应力恢复原来的状态,特征峰在±5.4 cm~(-1)位移内波动,薄膜的结晶性质并未发生明显变化,表明薄膜处于稳定的晶态结构。     

晶种对MCM-22分子筛合成的影响

本文分别以MCM-22的合成母液、ITQ-2(P)、MCM-22(P)和MCM-22作为晶种,考察了不同晶种对MCM-22分子筛合成的影响.结果发现,少量晶种的加入显著缩短晶化诱导期,提高晶化速度.在缩短晶化诱导期、加快晶化速度、提高产品结晶度方面,几种晶种的效果依次为:合成母液≈ITQ-2(P)>MCM-22(P)>MCM-22>无晶种.     

硼掺杂纳米硅薄膜的热退火效应研究

采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜,然后经过不同温度的热退火处理,获得硼掺杂纳米硅薄膜．结果表明,退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,在1000℃时,薄膜的晶化率达到77％,晶粒大小为3．9nm．退火温度低于600℃时,光学带隙随着退火温度的升高而变窄,高于600℃...     

高岭土微球原位晶化合成NaY分子筛

对高岭土微球上原位晶化合成NaY沸石分子筛进行了探索研究,并取得了一定的结果：在选定的晶化液体系下优化和确定了高岭土微球最佳配方,液相中微球浓度的最佳值为0．50基准浓度。综合结晶度和硅铝比两产品指标,选定最佳SiO2／H2O为基准×1．1。原位晶化产物NaY分子筛结晶度达到40％,骨架SiO2／Al2O3为5．9,较宽的最佳微球组成合成出了高分子筛含量高硅铝比NaY／高岭土复合分子筛。     

激发频率对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98％,衬底温度200℃,反应气压100 Pa,沉积时间60 min,在射频频率分别为13.56、54.24 MHz下合成了纳米晶硅薄膜.利用Raman光谱和X射线衍射技术分析了样品,结果表明,高激发频率可促进薄膜从非晶硅到纳米晶硅的转化,有利于提高薄膜的晶化率,且晶粒具有各种晶体取向,没有出现择优生长.当激发频率从13.56 MHz升高到54.24 MHz时,晶化率相应从9％提高到72％.     

二模磁场中随机晶场作用混合自旋横向Ising模型的临界行为

在有效场理论和切断近似的框架内,研究了二模磁场中随机晶场作用的混合自旋横向Ising模型的临界行为.在T-h相图中,晶场浓度对有序相的影响需要将二模磁场分段考虑;大的晶场和适当的晶场浓度有利于二级重入相变现象;但横场对三临界点的作用值得更多研究.在T-D相图中,负晶场比例较大降低有序相,正晶场比例较大增大有序相;强二模磁场和横场都抑制有序相,但强二模磁场有利于三临界点的出现,而横场抑制三临界点.在T-Ω相图中,晶场和晶场浓度对有序相范围有显著影响.     

纳米磁性材料应用

1 引言 随着科学技术的发展,新材料的研究不断深入,应用也日益广泛,目前磁性材料的研究已深入到纳米尺度．1988年,Yashizawa等人首先在铁基非晶的基体中加入少量的铜和铌,经适当温度晶化退火后,获得一种性能优异的具有超细晶粒（直径约10nm）的软磁合金,后被称为纳米晶软磁合金．纳米晶软磁合金除具有饱和磁感应强度较高、居里温度和晶化温度较高、电阻率较小的特点外,同时具有高初始磁导率、低磁致伸缩系数、低矫顽力和低铁损的优点,     

鲁米诺声致荧光谱的检测及空化场分布影像

本文介绍了一种新的声致荧光方法及其检测系统 .利用这种方法和检测系统获得了鲁米诺———氢氧化钠水溶液的声致荧光光谱 ,同时探讨了一种增强声致荧光的方法 .利用声致荧光我们还记录了容器中超声空化场分布的影像     

多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响

采用氢等离子体加热的方法晶化a—Si：H薄膜制备多晶硅薄膜．用Raman散射谱进行结构表征和分析，研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响．结果表明，暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增大．提出了一个简单模型解释了这一现象，     

Characteristics of bottom gate a-Si TFT array for AM-OLEDs

The authors have fabricated bottom gate amorphous silicon thin film transistor (a-Si TFT) array using five-step lithography process.The device shows a field effect mobility of 0.43 cm 2 /(V·s),on/off ratio of 7.5×10 6 and threshold voltage of 0.87 V.The instability of a-Si TFT is ascribed to the defect state in the a-Si channel and SiNx/a-Si interface.The present a-Si TFT array with SiN x insulator could be a significant step towards the commercialization of active matrix organic lighting diode (AM-OLED) te...     

Characterization of a-Si:H/SiN multilayer waveguide polarization using an optical pumping application—LED

This paper describes the fabrication of a waveguide and the analysis of its polarization characteristics by applying light-emitting diode （LED） pumping lights to its surface. By using double tubed coaxial line （DTCL） microwave plasma chemical vapor deposition （MPCVD） equipment, an a-Si：H/SiN multilayer waveguide was fabricated whose thickness could be controlled at nanometer order. The main structural material of the waveguide sample consisted of a combination of layers of amorphous silicon hydrogen and silicon nitrate. Once the sample was ready, another major objective of the experiment was to analyze the polarization characteristics of the fabricated waveguide. The idea of the experiment was to analyze how the waveguide reacts when three types of LED （blue, yellow, and red） are radiated onto its surface. The results showed that the fabrication of the a-Si：H/SiN sample is successful. Most effective transmission results, which accord with the polarization characteristics analysis, were obtained.     

接枝率对PP—g—MMA非等温结晶动力学的影响

用差示扫描量热仪（DSC）研究了聚丙烯（PP）和具有不同接枝率的聚丙烯接枝甲基丙烯酸甲酯（PP—g—MMA）的非等温结晶行为,用Avrami方程、莫志深（M0）方程、Dobreva方法和Kissinger方法对该过程进行分析,得到相应的非等温结晶动力学参数．通过对这些参数分析可得出,PP接枝MMA对PP结晶的成核和生长机理存在两方面影响：（1）起成核剂作用,促进PP的成核;（2）会破坏PP结晶的规整性,使PP难规则排列,影响其结晶过程和规整度．因此,对PP结晶来说有一最佳的接枝率,此时,接枝的MMA表现为促进PP的结晶．     

聚乳酸／苎麻纤维复合材料的非等温结晶动力学

采用硅烷偶联剂（KH560）预处理苎麻纤维并制备了聚乳酸／苎麻复合材料。用Jeziomy方程、Ozawa方程和Mo方法对PLA和PLA／RF的非等温结晶动力学进行了分析。结果表明Jeziomy方程和Mo方法可以描述聚乳酸（PLA）和聚乳酸／苎麻纤维（PLA／RF）熔融结晶的非等温结晶动力学,Ozawa方程则不能。     

聚丙烯结晶形态与力学性能及其疲劳稳定性

基于Haake转矩流变仪,分别将α和β成核剂熔混到等规聚丙烯中以改变其结晶形态.用偏光显微镜法、X射线衍射法和力学性能测试方法研究了疲劳作用前后α晶和β晶相互转变及其结构性能.实验结果表明:α成核剂在降低球晶尺寸和增加结晶度同时,在晶胞内产生了内应力,在疲劳初期,结晶应力消除、拉伸强度增加,继续疲劳时,结晶度和拉伸强度都下降,疲劳后,β含量相对增加.当β成核剂用量较少时,β晶含量增加,拉伸强度降低;在β晶结晶度适中时,疲劳并不改变晶胞结构与结晶度,表现较好的耐疲劳性;结晶度较高时,疲劳降低了结晶度,但拉伸强度有所增加.     

溶解结晶法制备精蒽的研究

文章以粗蒽为原料、DMF复配溶剂的最佳结晶条件是保温温度为90℃,保温时间50min,冷却结晶温度为25℃,保温时间50min,固液比1.8g/ml。结果表明:这一方法使溶剂得以循环利用,环境污染小,且成本低,精蒽的纯度可达96%以上,收率达到67%以上。     

Preparation and Characterization of Nano-Particles PZT Ferroelectric Thin Films by RF-Magnetron Sputtering

Pt/Ti bottom electrodes were fabricated on SiO2/Si substrates by magnetron dual-facing-target sputtering system. Lead zirconate titanate(PZT) thin films were deposited on Pt/Ti/ SiO2/Si substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering system. The thickness of PZT thin films which were deposited for 5 h was about 800 nm. XRD spectra show that PZT thin films deposited in Ar ambience and rapid-thermal-annealed for 20 min at 700 ℃ have good crystallization behavior and perovskite structure. AFM micrographs show that mean diameter of crystallites is 70 nm and surface structures of PZT thin films are uniform and dense. Raw mean, root mean square roughness and mean roughness of PZT thin films are 34.357 nm, 2.479 nm and 1.954 nm respectively. As test frequency is 1 kHz, dielectric constant of PZT thin films is 327.6. Electric hysteresis loop shows that coercive field strength, residual polarization strength and spontaneous polarization strength of PZT thin films are 50 kV/cm, 10 μC/cm2 and 13 μC/cm2 respectively.