量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管

据报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题,在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件,在过去40年间,科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力,但目前这条道路似乎已快走到尽头。     

掺杂的生活更美好

科学家早就发现,将锗提纯可以制成极为优异的晶体管。于是,几乎所有的科学家都致力于去掉锗中的杂质,欲使其纯度达到100％,让理想晶体管横空出世。     

中国科学家让世界最快芯片“说话”

它可以实时和你交谈，甚至做你的翻译，它还可以揣摩出你的表情，日前，英特尔公司宣布开发出世界上最快、最小的晶体管，用它制造的芯片将使电脑与人实时会话，而开展这部分研究的，正是英特尔中国研究中心的中国科学家。 利用这一晶体管制造的电脑芯片，速度将达到每秒10亿次，它可以在人眨眼的瞬间完成4亿次运算，在一枚高速飞行的子弹飞越30厘米的时间里完成20万次运算。现在世界最快芯片的速度是每秒1 5亿次，最多只能集成几百万个晶体管，新的晶体管将保证一枚芯片上可集成4亿个晶体管。英特尔中国公司称，这一突破将使计算机和用户进行“接近智能化的互动”，理解你的语言、手势、表情，甚至每一个身体暗示，从而挑战芯片极限。     

新兴技术改变生活

<正>进入21世纪后,新兴技术的问世,给人类的生活带来了巨大的变化。下面介绍的这些新技术,将在未来几年对我们的生活产生重大影响。原子级石墨晶体管2006年3月,美国佐治亚理工学院宣布研制成功一种石墨晶体管。2008年3月,美国IBM的科学家在世界上率先制成了低噪声的石墨晶体管。这一年的4月,英国曼切斯特大学科学家海姆教授和诺沃谢洛夫研究员,在美国《科学》杂志上,披露已开发出世界上最小的石墨晶体管,仅1个原子厚,10个原子宽。     

传真海外

<正>碳纳米管晶体管迈出商用关键一步美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得突破。由他们开发的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题,在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍、比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩,这意味着碳纳米管晶体管向正式商用     

美研制出只有分子大小的有机晶体管

美国朗讯公司贝尔实验室的科学家最近研制成功沟道长度只有一个分子大小的有机晶体管，为发展新一代廉价而易装配的、基于碳的化合物的分子电子原件做好了准备。科学家们一直在寻找普通硅晶体管的替代品，因为他们预计大约１０年后硅集成电路将因为本身的物理局限而无法进一步缩小。对多学科进行研究的贝尔实验室研究小组用体积只有一颗沙粒的一百万分之一的有机晶体管制成了电压倒相器———一种把“０”和“１”相互转化的电子电路。电压倒相器是所有计算机芯片的标准构件。研究人员几十年来一直在努力制造分子大小的晶体管，使得单个分子…     

美科学家研制出新型隧穿场效应晶体管

c美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示．他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题．在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。     

成功研制多比特有机场效应晶体管存储器件

有机场效应晶体管存储器件研究是有机存储器件重要的研究方向之一,它不仅具有晶体管的开关功能同时还能够存储信息。化学所有机固体院重点实验室科研人员成功研制了多比特有机场效应晶体管器件。他们巧妙地将光辅助效应和聚合物修饰场效应晶体管结构相结合,探索出实现有机场效应晶体管的多比特存储的光电工艺过程。     

利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应

美首次制造出不使用半导体的晶体管科技日报讯据美国每日科学网站6月21日报道,美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。     

砷化铟可替代硅制造未来电子设备

据美国物理学家组织网近期报道,美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上,制造出～块纳米晶体管,其电学性能优异,     

专家称新型纳米材料或让电脑芯片告别硅时代

<正>[导读]美国科学家称,使用新型纳米材料,将催生一种新型的计算机芯片,将有助于减少未来芯片的制造成本。美国科学家称,使用新型纳米材料,将催生一种新型的计算机芯片,将有助于减少未来芯片的制造成本。科学家戈登·E·摩尔(Gordon E.Moore)曾在1965年时提出,大约每过18个月,硅芯片上蚀刻的晶体管数量就会增加一倍。之后不久,评论家就开始预言"摩尔定律"(Moore’s Law)的时代将接近尾声。     

美研制新型非易失性铁电存储设备

据美国物理学家组织网近日报道,美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器（FeTRAM）,其将比现在的商用存储设备更快捷．且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会的《纳米快报》杂志上。     

利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应 美首次制造出不使用半导体的晶体管

美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。     

速度最快的硅晶体管·枪式无针注射器·能自行分解的汽车外壳·可预防溺水的救生网·家用生育力测试器·新型不停电电源装置·风力发电控制装置·激光微调电容器·新一代聚合物电池·电线绝缘材料再生新法·提高太阳能电池效率的新技术·用丙烷制冷的冰箱·充气伞·急救炸弹·内装卫星调谐器的宽屏电视机·采用碳纳米管的壁挂电视机等

IBM公司宣布,该公司已经制造出当今世上速度最快的硅晶体管,这一进展预示着电信芯片能够在耗能更少的情况下以更快的速度运行.该公司计划在两年内将这种晶体管投放市场.这种微小的部件将为手机和光纤通讯网络中使用的芯片提供动力.这比现有的技术快80%,同时会将能耗减少一半.通过电缆或DSL调制解调器连接因特网的速度加快,或者手机电池使用寿命延长,消费者也许会注意到这种晶体管的存在.这种晶体管与电脑微处理器是不兼容的.这种晶体管在100吉赫的速度下进行了测试,但可以在210吉赫的条件下运行--这意味着它每秒可以开启和关闭2000亿次以上.在此之前,人们认为硅根本无法达到这样的速度,只有用磷化铟和砷化镓这样的稀有材料制成的晶体管才能达到这样的速度. 方留民     

半浮栅晶体管将引发芯片革命

最近,上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队,成功研制出半浮栅晶体管（Serei—Floating—Gate Transistor,SFGT）,有望让电子芯片的性能实现突破性提升。该成果发表在今年8月9日的《科学》杂志上,这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。金属一氧化物一半导体场效应晶体管（MOSFET）和浮栅晶体管是广泛应用于当前主流芯片的两种器件。     

2000年的摩尔定律

<正> Intel公司创始人之一摩尔(Gordon Moore)于60年代未提出,硅技术将根据以后所称的摩尔定律(Moore’s Law)不断提高芯片的集成度和速度。 30多年来的实践证明,该定律是正确的。与此同时,也有一些科学家和业界名人对该提高速度表示过怀疑,15年前若干科学家即一致认为,场效应晶体管的线宽极限为     

生物芯片展望

研究人员们试图将生物与非生物结合起来，他们想在硅基上做出由脑细胞组成的电路并希望此项技术能够带出这样种新方法，通过新方法人们将不必经过动物实验，就能研究出药物对于大脑的影响，同时迁可以带动计算机科学家们建造出用神经代替晶体管的机器。     

杨国桢院士谈:近代物理学的发展——纪念2005世界物理年(二)

二次大战后，半导体科学技术得到很大的发展。1947年巴丁（Bardeen）等几位科学家发明了第一个晶体三级管，发明时的晶体三级管是一个非常简单的东西，但是它确实有三极管的功能。1966年第一台由半导体晶体管组成的计算机其功能，远远不如我们现在花几块钱就能够买到的仅具有加减乘除功能的计算器。但是，由于发明了三极管，在此基础上发展出大规模集成电路。     

澳研制出完美的单原子晶体管

澳大利亚科学家表示,他们研制出一种单原子晶体管,其由蚀刻在硅晶体内的单个磷原子组成,拥有控制电流的门电路和原子层级的金属接触,有望成为下一代量子计算机的基础元件。     

2001年世界十大科技新闻

《科技日报》最近评选出２００１年世界十大科技新闻（以媒体报道的时间先后排序）。 一、日本青山学院大学教授秋田纯等人发现二硼化镁可在零下２３４摄氏度成为超导体，高于此前金属间化合物最高的超导转变温度。美国贝尔实验室的科学家将三氯甲烷和三溴甲烷掺入碳６０分子，使碳６０分子的超导临界温度由零下２２１摄氏度提高到零下１５６摄氏度。 二、科学家在纳米技术领域又获得多项重大成果，其中包括纳米导线、以碳纳米管和纳米导线为基础的逻辑电路以及只使用一个“分子晶体管”的计算电路。科学家认为，分子水平电路的出现为开发极…