不同形貌氧化锌纳米结构的水热合成、表征和场发射特性

以Zn（NO3）2.6H2O和NaOH为原料,采用改进的水热法通过控制反应溶液的浓度、反应温度和反应时间等沉积参数,合成了包括氧化锌纳米棒阵列、蜂窝状氧化锌纳米棒、花状氧化锌纳米棒等纳米结构.用XRD、SEM和HR-TEM对样品进行了表征,结果表明所制样品为六方纤维锌矿结构的ZnO晶体;SEM测试结果显示ZnO晶体的形貌呈花状和蜂窝棒状等形貌,HR-TEM结果表明单晶纳米棒沿[0001]方向生长.研究了玻璃衬底上装配的花状氧化锌纳米棒的场发射特性,测试结果表明花状氧化锌纳米棒具有优良的场发射;开启场强为4.3V/μm,当场强为8V/μm时,发射电流密度达到2.2mA/cm2.     

一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究

采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si（111）衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜：纳米线、纳米棒．分别用X射线衍射仪（XRD,Rigaku D／Max--rB Cu Ka）、傅立叶红外透射谱（FTIR,TENSOR27）、扫描电子显微镜（SEM,Hitachi S-570）、高分辨电镜（HRTEM,Philips TECNAIF30）和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析．最后,简要的讨论了其生长机制．     

氧化锌纳米棒的水热制备及电化学性能研究

采用一步水热法制备了纳米棒状氧化锌材料.X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜法(TEM)测试表明,ZnO纳米棒为纤锌矿结构,直径为200～500nm,长度为3～5μm.通过充放电循环和循环伏安等电化学方法研究了ZnO纳米棒的电化学性能,ZnO纳米棒展现出较高的放电容量和较低的容量衰减率.经过100个循环之后,ZnO的放电容量仍然维持在380mAhg-1.     

水热条件下温度对花状ZnO微/纳米结构的影响

考察了水热条件下反应温度对ZnO微/纳米结构和建筑单元的影响.实验结果表明,不论是低温还是高温,在PVP的引导下都能实现花状自组装超结构的生成.但是温度对建筑单元的形状影响很大,低温下建筑单元是由多个纳米棒融合而成的亚微米级尖头棒,而高温时建筑单元是纳米尺度的略微尖头的纳米棒.而且在高温时每一朵花中所含的纳米棒个数明显要高于低温时候的情况.     

Pt/ZnO/Pt结构紫外探测器件的构建与性能研究

本文通过水热法制备ZnO纳米阵列,基于不同生长时间的ZnO阵列构建了Pt-ZnO-Pt型紫外探测器,对器件性能进行了研究.研究表明,器件对紫外线有明显的光响应,响应度为0.13~0.77A/W;响应时间为20~150s.生长24小时制备的ZnO纳米阵列组建的器件性能最优,ZnO纳米阵列缺陷峰低,结晶性能好,阵列缺陷少;生长16h的缺陷峰最高,结晶性较差.     

电沉积合成大规模的单晶形的GaN纳米棒及光学特性

通过电沉积,在Al2O3模板中我合成直径大约80 nm和长度2 m 单晶形GaN 纳米棒。这些纳米棒通过X射线衍射仪 (XRD)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、选区电子衍射仪 (SAED)、X射线能谱仪分析 (EDS),结果显示这些纳米棒不仅有很高的产率,而且具有形貌相同的化学计量的单晶形的GaN的性质。同时样品的光学性质也被测定,它在318 nm具有强的发射峰,这对GaN纳米材料应用是一个新的突破。*     

含Co配合物的ZnO纳米棒复合材料光电化学性质

在氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)玻璃上制备ZnO纳米棒,并采用一种简单的自组装方法在含有ZnO纳米棒的ITO玻璃上制备Co(2. 6-NDC)(4,4'-Bipy)0. 5配合物。实验表明,含Co配合物并没有和ZnO纳米棒发生反应,而是比较均匀地沉积在ZnO纳米棒上。在光电化学实验中,做了仅有ZnO和含Co配合物的ZnO纳米棒的线性伏安法测试对比实验,证明含Co配合物起到了良好的催化能力。说明这种简单的自组装方法制备的金属氧化物半导体和MOFs组成的复合材料在光电化学中具有潜在的应用价值。     

ZnO-维纳米棒的水热法控制合成

本文以ZnCl2为锌源,加入过量氨水（NH3）和十六烷基三甲基铵溴化物（CTAB）,采用水热法控制合成纳米ZnO。采用XRD,TEM等测试手段对纳米级的粉体结构和形貌进行研究。实验表明：该法制备的就是六方相的ZnO纳米棒。     

氨水体系中制备ZnO纳米棒及其生长机理

对氨水溶液体系中种子层法制备ZnO纳米棒的生长机理进行研究。采用溶胶-凝胶法制备出具有002择优取向的ZnO种子层薄膜,利用XRD研究旋涂速度和热处理温度对薄膜取向性的影响;采用密闭高压的氨水溶液体系制备出具有高比表面的ZnO纳米棒,利用SEM对Zn O的微观形貌进行表征,并说明了氨水体系下ZnO纳米棒薄膜的生长机理。测试果表明,4000r/min及300℃的热处理温度制备的ZnO种子层薄膜具有显著的002择优取向,有利于后续ZnO纳米棒沿002方向择优生长。氨水体系下,所获得的ZnO纳米棒长径比大于50,且顶部呈六角锥形,棒与棒之间的空隙较大,有利于敏感气体和量子点的吸附。     

微电极阵列的制备及电化学性质的研究

利用LB技术制备二维有序聚苯乙烯微球(PS)阵列模板,构造了二维氧化锌(ZnO)球腔阵列.考察了亚相的配比以及滑速对聚苯乙烯微球阵列有序性的影响,并在ZnO球腔内电化学沉积纳米金.实验结果表明:以乙醇-水混合物体积比1.5:8.5的混合液作亚相时,得到大面积有序排列的微球模板,沉积金后的微电极阵列具有良好的电化学性质.