聚酰亚胺平面/调制薄膜的制备与测量

采用联苯四羧酸二酐(PMDA)和对苯二胺(PDA)为二酐和二胺,以N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)为溶剂制备了聚酰胺酸溶液(PAA).采用旋涂工艺,以K9玻璃或调制模版为衬底,制备了聚酰亚胺(PI)平面/调制薄膜.对其厚度、结构、表面粗糙度和表面调制图形进行了测量,研究了其厚度与旋涂速度和PAA溶液浓度的对应关系.结果表明,PAA溶液在马弗炉中进行370℃热处理,可以完全转化为PI;通过旋涂法制备PI平面薄膜的平均粗糙度Ra的最大值和最小值分别为3.7 nm和3.1 nm;PI平面薄膜最小厚度为1μm,且其厚度随着旋涂速度增大而减小,随着PAA溶液浓度的增大而增大;PI调制薄膜的周期和振幅分别为100μm和4.8μm,在调制图形转移过程中,周期不变,而振幅存在0.2μm的转移误差.     

磁场退火温度对Ni_(80)Fe_(20)薄膜磁畴结构的影响研究

利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响。利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构。结果表明:磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大值约为860nm;随着磁场退火温度的升高,磁畴取向趋于沿垂直膜面方向,退火温度为600℃时,沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构。     

导电聚苯胺薄膜的电磁学性能及其屏蔽特性

利用四探针测试法分析了导电聚苯胺(PANI-CSA)薄膜的电导率及其屏蔽特性,发现随着薄膜的厚度从4～40μm变化,导电聚苯胺薄膜的室温电导率在12～25S/cm范围内变化.并测试和分析了导电聚苯胺薄膜的屏蔽特性与薄膜厚度的关系,得到了导电聚合物PANI-CSA薄膜的电磁屏蔽效能在一定厚度范围内与理论值是一致的结论.     

Mg和碱金属元素Li、Na共掺杂ZnO薄膜的物性研究

采用溶胶凝胶法制备了Li-Mg、Na-Mg共掺杂的ZnO薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)分别研究了薄膜的表面形貌、结构特性和发光性质.结果表明:Mg的掺杂促进了薄膜的C轴取向生长,Na-Mg共掺ZnO薄膜的结晶性优于Li-Mg共掺样品.随着Mg掺杂的增加,晶面距变大,禁带变宽,但Na-Mg和Li-Mg共掺杂中Mg对禁带宽度的调控力度小于仅有Mg掺杂的情况.Na-Mg、Li-Mg共掺导致ZnO薄膜在460 nm处出现-深能级蓝绿发光带,在403 nm处出现从导带底向浅受主能级跃迁产生的紫色发光峰,此外在355 nm、375 nm处出现两个对应于激子第一、二能级的复合发光紫外发射峰.     

基于Ge插入层优化Al诱导结晶生长多晶Ge薄膜的研究

在低温条件下利用Al诱导结晶在绝缘衬底上生长高晶体质量的多晶Ge薄膜.使用厚度为1~10 nm的Ge插入层可以改善多晶Ge薄膜的生长条件,Ge插入层放置在Al层的下方.使用Ge插入层的目的是提高Ge原子在Al层中的超饱和浓度.Ge插入层可以在275°C的低温下产生Al诱导结晶.Ge插入层可以导致较高的成核率,厚度大于3 nm的Ge插入层可以产生大量的Ge晶体小颗粒,厚度为1 nm的Ge插入层可以促使多晶Ge薄膜快速生长,并产生直径为100μm的Ge晶体大颗粒.从电子背散射衍射(EBSD)测量中可知,Al诱导结晶生长的多晶Ge薄膜具有良好的(111)晶向.     

用旋转喷镀法制备Ni-Zn-Co铁氧体薄膜

用旋转喷镀法制备Ni–Zn–Co铁氧体薄膜。通过FeCl2 NiCl2 ZnCl2 CoCl2组成的还原液和CH3COONH4 NH3H2O NaNO2组成的氧化液不断地向转盘上的玻璃基片喷镀,在90℃下反应制备了厚度1–2μm的Ni–Zn–Co铁氧体薄膜。利用X射线衍射(XRD)确定样品的物相,用扫描电子显微镜(SEM)观察分析了薄膜的形貌,用振动样品磁强计(VSM)和矢量网络分析仪测量了薄膜的磁性能。     

薄膜太阳电池国内外发展现状与趋势

薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨,金属片等不同材料当基板来制造,形成可产生电压的薄膜厚度仅需数μm,目前转换效率最高以可达13%。薄膜电池太阳电池除了平面之外,也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大,可与建筑物结合或是变成建筑体的一部份,应用非常广泛。     

迈克尔逊干涉测薄膜厚度

利用迈克尔逊干涉原理测量薄膜厚度的方法,以测量PE保鲜膜和透明塑料膜为例,采用白光干涉产生的彩色条纹来精确测量薄膜的厚度,通过采集干涉产生的实验数据,计算出薄膜的厚度,这是一种实用有效的方法.此方法的测量范围为1μm～1cm,测量精度为0.1μmn.     

溅射功率对掺镁氧化锌薄膜结构及厚度的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺镁氧化锌薄膜,利用SEM(扫描电镜)、XRD(X射线衍射)和椭偏仪等设备研究薄膜的表面形貌、成分、结构和厚度.结果表明,溅射功率没有对薄膜的生长方向产生较大影响,当溅射功率在40 W到100 W之间变化时,随着溅射功率的增大薄膜的结晶状况变好,晶粒尺寸变大,薄膜的厚度增加.     

非晶碳氮薄膜的X射线光电子能谱研究

采用空心阴极等离子体化学气相沉积法,在甲烷-氨气、氢气混合气体体系下,制备出了非晶碳氮薄膜。利用原子力显微镜(AFM)及X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的表面形貌、成分及微观结构进行了测试和表征。结果表明,薄膜的表面光滑、致密,均方根粗糙度小于0.5 nm;薄膜中的氮含量随NH3(H2)流速的增加呈现降低的趋势,sp2C-N及sp3C-N键含量均随氮含量的增加而增加。