脉冲激光沉积法在多孔硅衬底上制备ZnS薄膜

用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积法以PS为衬底生长一层ZnS薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光分光光度计分别表征了ZnS薄膜的结构、形貌和ZnS/PS复合膜的光致发光性质.XRD结果表明,制备的ZnS薄膜沿β-ZnS(111)方向择优生长,结晶质量良好,但衍射峰的半峰全宽较大;SEM图像显示,ZnS薄膜表面出现一些凹坑,这是衬底PS的表面粗糙所致.室温下的光致发光谱表明,沉积ZnS薄膜后,PS的发光峰蓝移.把ZnS的蓝绿光与PS的橙红光叠加,在可见光区450~700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,ZnS/PS复合膜呈现较强的白光发射.     

单一前驱体溶剂热合成ZnS纳米晶

以ZnCl2（Tu）2为单一前驱体,溶剂热法在较低温度下合成了球状、雪花状和粒状的立方ZnS,克服了以往高温热解中六方相ZnS的生成,密闭体系有效的防止了ZnS的氧化,透射电镜显示ZnS颗粒的形貌及分布均较均匀.     

ZnS∶Cu纳米微粒的制备及其光学性能

利用微乳液法制备出ZnS∶Cu纳米微粒 .透射电子显微镜 (TEM )和动态光散射 (DLS)测试结果表明 ,所得微粒粒径为 2～ 8nm .XRD结果表明 ,ZnS∶Cu纳米微粒为立方晶型结构 ,与体材料ZnS的晶型结构一致 ;在紫外吸收光谱中 ,ZnS∶Cu纳米微粒吸收峰蓝移 .发射光谱表明ZnS∶Cu纳米微粒产生一个位于 482nm的绿色发射带     

Cr掺杂ZnS纳米颗粒的铁磁性能

以ZnO、S粉和六水氯化铬为原料(CrCl_3·6H_2O),乙二胺、乙醇胺为有机溶剂,在190℃下,用溶剂热法成功地合成室温铁磁性铬掺杂ZnS纳米颗粒半导体。X-射线衍仪测试表明,Cr掺杂ZnS为纤锌矿结构。透射电镜表征不同Cr掺杂浓度ZnS的形貌为纳米颗粒,Cr掺杂浓度为5.27%的ZnS纳米颗粒平均尺寸在30~40 nm。电子能量散射谱表明产物由Zn、S、Cr元素组成。光致发光测试表明,Cr掺杂ZnS相对未掺杂ZnS吸收带边向短波方向微小移动。振动样品磁强计测试表明未掺杂的ZnS为抗磁性,而Cr掺ZnS为室温强铁磁性,Zn_(1-x)Cr_xS(x=0.0527)纳米颗粒的饱和磁化强度为4.275 A/m。Cr掺ZnS纳米颗粒具有室温铁磁性的实验结果与通过第一性原理预言Cr掺ZnS纳米片具有室温铁磁性相一致。Cr掺杂ZnS纳米颗粒的铁磁性是稀磁半导体的固有属性。     

DDP表面修饰ZnS纳米微粒作为润滑油添加剂的SEM研究

利用四球摩擦磨损实验机考察了粒径约为3nm的二烷基二硫代磷酸(DDP)修饰ZnS纳米微粒作为润滑油添加剂的抗磨行为,并用扫描电子显微镜(SEM)和能量散射谱(EDS)等现代分析手段对其摩擦表面进行了分析.结果表明,DDP修饰ZnS纳米微粒作为润滑油添加剂能够明显提高基础油的抗磨能力.SEM及EDS的分析结果表明摩擦过程中在摩擦表面形成了一层富含Zn、S、P元素的反应膜,正是这层膜的存在使得DDP修饰ZnS纳米微粒作为润滑油添加剂具有良好的抗磨性能.     

SiO2和聚乙烯醇双负载纳米ZnS对CO2的光催化还原反应

Nanosized photocatalyst ZnS particles supported on silica and polyvinyl alcohol was successfully prepared by complex transformation method. The photocatalytic reduction of CO2 was carried out in the presence of nanosized ZnS catalyst irradiated by a high-pressure mercury-vapor lamp to give the main products of formaldehyde and ethanol. The catalytic ability of ZnS characterized by the uptaken rate of CO2P volume in the reaction system depended upon the preparing conditions of nanosized ZnS catalysts. Decreasing the concentration of Na2S and increasing the molar ratio of oxygen in the PVA to Zn2 could result in the decreasing of the size of ZnS parti-     

ZnS半导体高压结构相变和弹性性质的理论研究

基于第一性原理平面波赝势密度泛函方法,研究了ZnS的高压结构相变和弹性性质.计算结果表明,在零温下ZnS从B3结构到B1结构的相变压强为17.04 GPa,这与实验值和其他的理论计算结果符合得很好.     

转化法制备闪锌矿中空结构实验探究

利用先驱体转化法制备了立方晶系闪锌矿ZnS六方纳米框结构;通过改变反应物的浓度,还可以得到ZnS纳米盒结构。这种通过先驱体转化得到ZnS中空结构的制备方法具有简单易行、条件温和、成本低廉、可重复性、产率高等特点。通过对反应时间、反应温度、转化条件、溶剂效应等单因素探究,可以得到既能保持前体物形貌又能使转化完全的最佳反应条件。     

微量热法研究CdSe/ZnS(QDs)/TiO2复合物对金黄色葡萄球菌的抑制行为

采用水热法和溶胶-凝胶法成功制备CdSe/ZnS(QDs)/TiO₂复合物,并通过紫外吸收光谱、荧光光谱和哈达玛荧光变换成像等手段进一步证明其组分和结构.运用微量热法研究了CdSe/ZnS(QDs)/TiO₂复合物对金黄色葡萄球菌(Staphylococcus aureus,S.aureus)的抑制行为,揭示其抑菌的作用机制及其相关热力学规律.检测了S.aureus代谢生长热谱图,根据热动力学函数得到S.aureus生长速率常数(k)、传代时间(t_G)、最大产热功率(Pm)、抑制率(I)等热动力学参数.研究表明CdSe/ZnS(QDs)/TiO₂复合物对S.aureus抑制作用强于TiO₂,且随着浓度的增加,抑制效果更加显著,说明CdSe/ZnS(QDs)/TiO₂复合物对S.aureus有良好的抑制行为.     

纳米ZnS的溶剂热法制备及其性能表征

采用溶剂热法制备了结晶度良好的ZnS纳米粒子,通过XRD、TEM、UV-Vis-DRS等技术对所合成的ZnS粉体的结构和理化性能进行表征,并以亚甲基蓝为目标降解物,考察了ZnS粉体在紫外光和可见光下的光催化性能。结果表明,用该方法制备的ZnS纳米粉体为六方晶系,粒径大致为30 nm,不论是在紫外光下还是在可见光下对亚甲基蓝均表现出良好的光催化性能。     

微波辐射加热制备半导体ZnS纳米粒子

在甲醛溶液中，以Zn(Ac)2和TAA为源材料，通过微波辐射加热合成了ZnS半导体纳米粒子，并用XRD、TEM、紫外反射光谱进行了表征。     

CdSe和CdSe／ZnS半导体量子点光谱特性的研究

利用X射线衍射谱（XRD）、紫外-可见（UV—Vis）吸收光谱、荧光光谱（PL）系统地研究了不同表面、多种尺寸的CdSe半导体量子点（QDs）的光学性质、结果显示表面修饰完善的样品的荧光光谱只有一个窄而强的带边发射;所有样品的荧光峰相对于1S-1S吸收峰有较大的红移,并且移动量随尺寸的减小而增加,利用激子的精细结构模型很好地解释了红移量和尺寸的关系;核／壳结构的样品的吸收峰和荧光峰相对于同尺寸的单量子点也有红移现象,这是由于CdSe和ZnS的晶格失配在界面上产生压力造成的。     

ZnS0.8Se0.2 film for high resolution liquid crystal light valve

The structural characteristics and optical and electrical properties of molecular-beam-epitaxy (MBE) grown ZnS0.8Se0.2 thin films on indium-tin-oxide (ITO) glass substrates were investigated in this work. The X-ray diffraction (XRD)results indicated that high quality polycrystalline ZnS0.8Se0.2 thin film grown at the optimized temperature had a preferred orientation along the (111) planes. The transmission electron microscopy (TEM) cross-sectional micrograph of the sample showed a well defined columnar structure with lateral crystal dimension in the order ofa few hundred angstroms. Ultraviolet (UV) photoresponsivity as high as 0.01 A/W had been demonstrated and for wavelengths longer than 450 nm, the response was down from the peak response by more than 3 orders of magnitude. The thin ZnS0.8Se0.2 photosensor layer, with a wide energy gap and anisotropic electrical property, makes a transmission UV liquid crystal light valve ( LCLV) with high resolution feasible.     

ZnS_(0.8)Se_(0.2) film for high resolution liquid crystal light valve

INTRODUCTION Liquid crystal light valves (LCLV) are devices whose function is to convert an input image pos-sessing specific wavelength, intensity and coher-ence to an output image in which some or all of these parameters are varied (Efron et al., 1985). Therefore, they can be used as image amplifiers for large screen projection display, image wavelength converters and incoherent-to-coherent image converters for optical data processing and correlation. The appli-cation potentialities ar…     

固相反应-微波水热合耦合制备单分散纳米硫化锌微球及性能测定

以醋酸锌和硫化钠为原料,采用PEG-400晶形控制剂、固相反应-微波水热耦合技术快速获得了单分散纳米硫化锌微球．利用XRD、TEM、FT—IR及UV—Vis对产品进行了结构表征,结果表明获得的纳米硫化锌微球属于立方形晶相（闪锌矿）,微球粒径为100-150／lm,分散性好,纯度高．分析了PEG-400分子控制形成单分散纳米硫化锌微球的机理．与传统水浴热法相比,微波水热可将反应所需时间从8．0h缩短到1．0h,且有助于ZnS前驱物的快速晶化。酸性大红3R水溶液的光催化降解活性测试结果证实,与传统水热法获得的纳米ZnS微球相比较,微波水热获得的纳米ZnS微球表现出了更高的催化活性．