埋氧层及铝层对SOI/玻璃静电键合的影响

介绍了SOI/Pyrex玻璃静电键合的实验过程和实验现象,利用电流表对静电键合电流进行测量。发现埋氧层厚度越厚,键合电流越小,键合波扩散速度越小。提高键合电压,能有效增大键合电流及加快键合速度。实验也表明玻璃表面溅射铝层对键合产生较大影响。理论分析了产生这些现象的原因,得出埋氧层厚度和键合电压与静电力的关系式。还提出从阳极引一探针电极到SOI器件层,提高玻璃耗尽层与器件层之间电压,实现厚埋氧层SOI片与玻璃键合的方法。     

用有限元方法分析玻璃载芯片封装中的热力耦合问题

超薄液晶显示器(LCD)模块在经历了热压键合后,由于驱动芯片和玻璃基板之间的温度差异较大,会引起一定程度上的翘曲,并最终导致连接点界面分层现象的发生,影响器件连接可靠性。用实验的方法对比进行研究比较困难,我们用有限元数值模拟的方法并选择通用软件ANSYS对这一现象进行了分析;并详细分析了键合压力、温度、基板温度和IC/玻璃厚度对翘曲的影响。从分析中得知,导致玻璃翘曲的主要原因是键合温度。     

离子液体键合硅胶制备及对重金属离子吸附综合实验设计

介绍离子液体键合硅胶的制备与表征,以及在吸附重金属中的应用的综合实验教学设计。以硅胶为原料,利用氯丙基硅烷将1-甲基咪唑和1-乙基咪唑分别键合在硅胶上,制备两种离子液体键合硅胶,并将这两种硅胶用于吸附重铬酸根离子,并对吸附行为进行理论分析。该实验条件简单,实验试剂易得,涉及高分子材料的制备、结构表征、静态吸附、量子化学计算等多方面内容,有利于提高学生的综合运用知识和理论与实践相结合的研究能力。     

超声辅助-十八烷基键合硅胶分散固相萃取测定痕量铁

研究了超声辅助-十八烷基键合硅胶分散固相萃取测定痕量铁的新方法,将十八烷基键合硅胶材料加入样品溶液中,在超声波的辅助下,键合硅胶材料分散于溶液中,对疏水性物质Fe-Phen配合物有强吸附萃取能力。最佳实验条件下,方法的线性范围为1.5~260μg/L(r=0.9999),检出限为0.72μg/L。方法成功应用于环境水样分析,加标回收率在97.7%~102.0%之间,相对标准偏差在1.8%~2.7%之间。     

制备电泵硅基混合激光器的选区金属键合方法

为了解决制约硅基光电集成技术发展的硅基激光器等硅基光源的制备问题,提出了一种新颖的选区金属键合方法,解决了传统金属键合方法中光吸收损耗严重的问题,并实现了直接键合方法中的高效率光耦合。该方法具有工艺简单,环境要求低,电、热和机械性能优越,键合温度低、时间短,能够有选择性地将很小的单元结构键合到硅基芯片上等优点。该方法也可用于键合光探测器和光放大器等其他分立器件。     

混合集成电路中金铝键合可靠性的实验设计

针对混合集成电路中粗铝丝与厚膜金导体所形成的Al/Au键合系统的可靠性,提出了样品在加速应力(150℃)条件下的实验方案,得出在125℃、150℃、175℃三种加速温度应力条件下样品电阻的变化率随高温储存时间线性增加,但当Al/Au系统的互连接触电阻变化率达到20%后,电阻的变化率即退化速率显著增加;在恒定温度应力下,Al/Au键合系统的退化主要表现为接触电阻增加,键合强度下降.     

金属羰基化合物和分子氮配合物的键合差异

本文讨论了金属羰基化合物和分子氮配合物的键合及差异,分析说明了ＣＯ是个比Ｎ２分子配位能力强得多的兀酸配体     

多吡啶配合物与DNA相互作用的研究进展

对多吡啶配合物与DNA的键合模式及其影响因素作了简要评述，并介绍了紫外、荧光、电化学及核磁共振等一些常用的研究配合物和DNA作用机制的实验方法。     

两种Go（Ⅲ）配合物键合异构体的制备及结构分析

本文通过条件选择合成两种Co（Ⅲ）配合物键合异构体[Co（NH3）5NO2]Cl2（配合物1）与[Co（NH3）50NO]Cl2（配合物2），通过红外光谱、紫外光谱对配合物进行表征。确立两种键合异构体可能的结构。     

键合图在液压系统建模和仿真中的应用

本文介绍了功率键合图的基本概念 ,以直动式溢流阀为例 ,讨论了键合图的建立、状态方程的建立、液压系统动态响应的数字仿真方法