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讨论了RL -C并联谐振电路的谐振频率、品质因数、谐振曲线 ,说明按电压与电流同相位的谐振条件算出的谐振频率与输出电压最大值对应的频率有差别 ,在电路Q值较高的情况下二者的差别可以忽略 相似文献
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针对电路基础课中RLC串联电路频率响应实验中存在的谐振特性曲线观测不直观的现象,本文设计了理论计算、实验实测、PSpice软件仿真和Matlab编程相结合进行曲线观测的实验教学方法。通过改变电路中元件的参数值,对以上4种方法得到的频域特性曲线进行分析和比较,从而实现理论、实测、仿真、编程结果的有机结合与统一。 相似文献
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从Q值的定义出发,分别求出了RLC串联电路和RL—C并联电路的Q值.讨论了相同形式的Q值的不同含义及两电路的谐振特性. 相似文献
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本文提出在RLC串联谐振实验中去掉取样电阻R0,串入电流表的新实验方法,该方法使电路品质因数Q明显提高,谐振曲线更加尖锐,谐振点测量准确,同时,该方法还可方便测出线路交流损耗电阻,使Q的计算值与测量值吻合良好。 相似文献
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蒋丽钦 《福建师大福清分校学报》2009,(Z1)
RLC串联谐振电路实验中谐振特性的实验曲线与理论曲线总存在一定的误差,且谐振频率越高时,偏差越大.本文通过实验研究,分析了电感和电容串联总损耗电阻对谐振曲线及Q值的影响,利用实验所测得的电感和电容串联总损耗电阻对谐振曲线及Q值进行修正,发现修正后的理论结果与实验测量数据吻合得较好. 相似文献
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本文通过对有关谐振电路Q值的讨论,得出一组有规律性的简明结论。一、三种典型谐振电路的Q值 I、R、L、C串联谐振电路的Q值图一中,R应理解为L、C的损耗等效电阻,R=r_(L)+r_(c)。设加在电路两端的源电压幅值一定而频率可调,则电路的复阻抗为 相似文献
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雷志坤 《吉林广播电视大学学报》2013,(1):123-125
谐振是电路在运行过程中的一个特殊状态,处于谐振状态的电路具有明显而独特的特征;电路品质因数Q值的物理意义在于揭示了电路谐振程度的强弱,体现了电路对信号源频率的选择性以及电路中无功功率对有功功率的比例。充分理解谐振和品质因数的物理含义对掌握和应用其原理起到事半功倍的效果。本文从实用角度出发,通过对常见应用实例分析引出谐振的概念及其学习重点,并通过对比方法讨论了两种典型谐振的特点及品质因数Q值物理意义区别,给电路分析相关内容的教学提供了一些有效的参考方法。 相似文献
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李海江 《川北教育学院学报》2000,10(1):60-61
用测试LC两端电压ULC替代测试电阻R两端电压UR的方法对测试RLC串联电路谐振点的实验方法进行改进,并从伏频曲线、理论计算和物理意义三个角度阐述这种新方法的正确性和优越性。 相似文献
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孙晓婷 《宁德师专学报(自然科学版)》2007,19(2):119-122
分析了感应加热装置中逆变器的功率器件IGBT关断时浪涌电压产生的原因以及4种关断缓冲电路中功率器件通断时电路的工作过程和特点,给出了选取缓冲电路的注意事项. 相似文献
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三端可调型正电压输出稳压电路LM317在LED显示电路中可以替代LED显示器的限流电阻.这种接法在驱动合适数目的LED时.具有独特的优点. 相似文献
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本文主要介绍如何利用一个典型的电路从电路基本知识、电学的三个基本仪器、分析电路、五个重要的电路电学实验、电路故障、动态电路、电学计算七个方面对电路电学进行系统的复习。 相似文献
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电路CAI课件设计初探 总被引:1,自引:0,他引:1
李云峰 《湖南广播电视大学学报》2001,(1):54-56
本文介绍了电路理论基础CAI课件的性能特点、基本组成和各模块的功能作用以及电路CAI课件的实现技术:多媒体技术、人工智能技术、面向对象方法和可视化图形界面等。 相似文献
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施凤鸣 《宁波职业技术学院学报》2009,13(5):29-31,71
探讨使用PROTEL设计软件实现高速电路印制电路板设计的过程中,需要注意的一些布局与布线方面的相关原则问题,提供一些实用的、经过验证的高速电路布局、布线技术,提高了高速电路板设计的可靠性与有效性。结果表明,该设计缩短了产品研发周期,增强市场竞争能力。 相似文献
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提出了实验教学中基于"支持向量回归"的电路实验结果机器评价的新方法,以基本放大电路实验为研究对象.首先通过幅频特性测试仪采样,得到基本放大电路输出特性数据集,然后进行支持向量回归,得到基本放大电路的输出特性曲线的逼近函数,用该函数对实验结果中的相关参数进行测定.实验表明,该方法提高了电路实验结果评价的效度与精度,可在实验教学中应用与推广. 相似文献
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肖湘萍 《贵州教育学院学报》2008,19(3):14-16
概述了微波毫米波结构高电子迁移率晶体管的结构特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件。利用GaAsPHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通信用的GaAsMMIC大功率高线性单刀双掷开关集成电路,产品具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.7dB,隔离度大于26dB,在2GHz,插损为0.8dB,隔离度大于22dB,并且具有较高的功率处理能力,其P-0.1≥10W。产品由GaAs圆片标准PHEMT工艺线加工,成本低,并且采用低费塑料封装,产品各项性能指标均达到了国外同类产品水平。 相似文献