强紫外发射ZnO薄膜的溅射方法制备及表征

采用直流反应溅射方法在N型Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的晶体结构采用X射线衍射技术来表征,测量结果表明制备的样品是沿c轴高度取向的六方纤锌矿结构的多晶薄膜.扫描电子显微镜测量显示薄膜的表面粗糙度较低,且ZnO与Si衬底的边界线清晰,结构致密.此外,利用室温光致发光谱研究了薄膜的光学性能,ZnO薄膜的室温光致发光谱(PL)只有位于377nm处的一个很强的紫外峰,这与材料内的激子复合有关.此外对薄膜进行了拉曼散射的研究,拉曼频移的计算结果表明溅射生长的薄膜中存在张应力(0.25Gpa).     

Sol-gel法制备Mg掺杂ZnO纳米薄膜晶体结构和发光特性的研究

采用溶胶-凝胶(Sol-gel)旋涂法在石英衬底上制备Mg掺杂ZnO纳米薄膜,室温下利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)等手段分析所得ZnMgO合金薄膜的晶体结构和发光特性.结果表明:在0.1     

溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜晶体结构和发光特性的研究

采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）旋涂法在Si（100）衬底上制备ZnO薄膜，在室温下利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、光致发光谱（PL）等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性．结果表明：当热分解温度为400℃，晶化温度为450℃～650℃时，溶胶．凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品属六方纤锌矿结构，ZnO薄膜呈现沿各个晶面自由生长的特性；在室温下均有较强的紫外带边发射峰，这表明带间跃迁占了主导地位，与缺陷有关的可见发射带很弱．以上结果说明：溶胶．凝胶法制备的ZnO薄膜质量较高．     

退火温度对Ce掺杂ZnO薄膜光学特性影响的研究

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片和Si-SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明大部分样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰,退火温度升高能够提高本征发光峰强度,抑制可见光区发光强度.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.     

基于SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光增强的研究

基于散射矩阵法对SOI衬底的谐振腔结构进行了理论设计．采用超高真空化学气相沉积系统,在SOI基的Ge虚衬底上制备出高质量的Ge和Ge／SiGe多量子阱材料．室温下样品的光致发光谱表明SOI衬底的谐振腔结构对锗直接带发光起有效的强度增强作用,实验结果与理论预期符合得很好．     

一维GaN纳米结构的制备、表征及其特性研究

采用在石英炉中,氨化Ga2O3薄膜的方法,在Si（111）衬底上成功了制备GaN纳米结构薄膜：纳米线、纳米棒．分别用X射线衍射仪（XRD,Rigaku D／Max--rB Cu Ka）、傅立叶红外透射谱（FTIR,TENSOR27）、扫描电子显微镜（SEM,Hitachi S-570）、高分辨电镜（HRTEM,Philips TECNAIF30）和光致发光谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了测量分析．最后,简要的讨论了其生长机制．     

Eu掺杂ZnO薄膜的制备及其光学性能的研究

以乙酸锌为主要原料,利用溶胶-凝胶法在石英村底上制备Eu3+参杂ZnO薄膜,研究了Eu3+掺杂对ZnO薄膜微结构和光学性能的影响.XRD测量结果表明,Zn1-xEuxO薄膜具有六角纤锌矿结构且具有(002)择优生长,(002)衍射峰强度随着掺杂浓度的增加而减弱,晶格常数随Eu含量的增加而变大证实了Eu3+是以替位式形势存在于ZnO晶格中;紫外-可见透射光谱(UV)表明,所有薄膜在可见光区的透过率均超过80%;光致发光谱研究表明制备的薄膜具有良好的发光性能,几乎不存在缺陷发光.     

磁控溅射法制备ZnO薄膜的光学特性分析

该文用磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜,所得薄膜采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计（UVS）、光致荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌和发光特性进行表征.结果表明掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,磁控溅射镀膜样品的透射边随着退火温度的提高发生蓝移又红移现象,所有样品都有比较好的发光性能;900℃溅射镀膜样品的表面形貌平整度较好,粒子分布均匀.     

ZnO外延薄膜的制备及孪晶的形成

采用螺旋波等离子体辅助溅射沉积法在衬底Al2O3的(0001)面上沉积ZnO薄膜,所生长的薄膜在未退火和退火时表现出不同的平面内取向.未退火时薄膜表现出较好的单筹异质外延生长,而退火后薄膜的Φ扫描图像中出现了12个峰,这表明退火后薄膜出现反相筹,表现为孪晶生长.重点分析了退火对螺旋波等离子体辅助溅射技术外延ZnO薄膜的结构及表面形貌的影响规律,为外延ZnO薄膜质量的提高及该技术应用的探索奠定基础.     

生长温度对Si衬底ZnO薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3Pa氧氛围,100-500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了ZnO薄膜,我们用X射线衍射(XRD)谱,原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些ZnO薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均匀。     

CdSe和CdSe／ZnS半导体量子点光谱特性的研究

利用X射线衍射谱（XRD）、紫外-可见（UV—Vis）吸收光谱、荧光光谱（PL）系统地研究了不同表面、多种尺寸的CdSe半导体量子点（QDs）的光学性质、结果显示表面修饰完善的样品的荧光光谱只有一个窄而强的带边发射;所有样品的荧光峰相对于1S-1S吸收峰有较大的红移,并且移动量随尺寸的减小而增加,利用激子的精细结构模型很好地解释了红移量和尺寸的关系;核／壳结构的样品的吸收峰和荧光峰相对于同尺寸的单量子点也有红移现象,这是由于CdSe和ZnS的晶格失配在界面上产生压力造成的。     

不同浓度La掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

用凝胶溶胶（sol—gel）法在普通截玻片和si上生长了稀土La掺杂ZnO薄膜,稀土La^3＋离子和Zn^2＋浓度摩尔比分别为1％,2％,3％．通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UVS）、原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）等对薄膜的结构、光学特性、形貌进行表征,结果显示不同浓度La掺杂的ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜表面颗粒均匀平整,随着掺杂浓度的提高,La掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰出现蓝移现象．     

ZnS_(0.8)Se_(0.2) film for high resolution liquid crystal light valve

INTRODUCTION Liquid crystal light valves (LCLV) are devices whose function is to convert an input image pos-sessing specific wavelength, intensity and coher-ence to an output image in which some or all of these parameters are varied (Efron et al., 1985). Therefore, they can be used as image amplifiers for large screen projection display, image wavelength converters and incoherent-to-coherent image converters for optical data processing and correlation. The appli-cation potentialities ar…     

ZnS0.8Se0.2 film for high resolution liquid crystal light valve

The structural characteristics and optical and electrical properties of molecular-beam-epitaxy (MBE) grown ZnS0.8Se0.2 thin films on indium-tin-oxide (ITO) glass substrates were investigated in this work. The X-ray diffraction (XRD)results indicated that high quality polycrystalline ZnS0.8Se0.2 thin film grown at the optimized temperature had a preferred orientation along the (111) planes. The transmission electron microscopy (TEM) cross-sectional micrograph of the sample showed a well defined columnar structure with lateral crystal dimension in the order ofa few hundred angstroms. Ultraviolet (UV) photoresponsivity as high as 0.01 A/W had been demonstrated and for wavelengths longer than 450 nm, the response was down from the peak response by more than 3 orders of magnitude. The thin ZnS0.8Se0.2 photosensor layer, with a wide energy gap and anisotropic electrical property, makes a transmission UV liquid crystal light valve ( LCLV) with high resolution feasible.     

不同退火温度下ZnO薄膜结构及光学特性的表征

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片上成功制备ZnO薄膜,对于不同退火温度样品采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明在300℃、400℃、500℃退火处理的样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.透射谱中能观察到明显的ZnO吸收边.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.PL谱中在380nm附近可观察到明显发光峰.     

Polycrystalline ZnSxSe1-x thin films deposited on ITO glass by MBE

MBE growth of ZnSxSe1-x thin films on ITO coated glass substrates were carried out using ZnS and Se sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃. The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-grown polycrystalline ZnSxSe1-x thin films had a preferred orientation along the (111) planes. The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD layer peaks showed strong growth temperature dependence, with the optimized temperature being about 290℃. Both AFM and TEM measurements of these thin films also indicated a similar growth temperature dependence. High quality ZnSxSe1-x thin film grown at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS value of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined columnar structure.     

衬底温度对Zn095Ca005O薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn095Ca005O薄膜,用X射线衍射（XRD）研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350－400nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。