聚合物基透明导电薄膜断裂韧性的测量方法

在航空透明件领域,厚聚合物基底上透明导电薄膜的断裂韧性是量化抗开裂性的关键力学特性,因此基于纳米压痕和通道开裂试验评估了薄膜的断裂韧性。采用磁控溅射法将氧化铟锡(ITO)薄膜沉积在聚碳酸酯(PC)基底上。纳米压痕试验中,纳米压痕在ITO薄膜上引起脆性断裂,通过对所得的载荷-深度曲线进行积分来计算断裂韧性;通道开裂试验中,使用原位拉伸法获得开裂应变,并结合力学模型计算断裂韧性。结果表明,不考虑残余应力时,2种测试方法获得了相对一致的断裂韧性,500 nm厚ITO薄膜的断裂韧性为1.62～1.81 MPa·m^1/2;对于200 nm以下厚度的薄膜或存在大残余应力的薄膜,宜选择通道开裂试验以确定断裂韧性。     

柔性透明导电ZnO基薄膜的制备及其发展前景

随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜将成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,柔性透明导电薄膜ZnO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点.总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,分析了柔性透明导电薄膜的研究历史和现状.综述了柔性透明导电ZnO膜的主要制备技术及其优缺点,阐述了当前该领域的最新研究成果及应用,并讨论了工业应用对柔性透明导电膜的性能要求及其未来发展趋势.     

半导体薄膜研究型实验教学的探索与实践

研究型实验教学是培养学生创新意识和创新能力的重要环节,论文以ITO薄膜为例,围绕ITO薄膜光电学性能,介绍了半导体薄膜研究型实验教学的内容和实施方法,激发了学生的科学研究兴趣,探讨了研究型实验教学对培养学生创新思维和科研能力所起的作用。     

AgNbFeB纳米微晶薄膜材料的制备及磁谱特性研究

利用磁控溅射法制备了AgNbFeB纳米微晶薄膜材料，对其结构和磁谱特征进行了分析和研究，发现该纳米微晶薄膜用作高频材料是很理想的。     

复合材料导电开关特性的研究

研究了掺Ａｌ或Ａｇ微粉的聚丙烯（ＰＥ）基和聚二氟乙烯（ＰＶＤＦ）基复合材料的导电开关特性，发现在某一电场阈值（对应开关电压阈值ＶＫ）附近、复合材料的电导率随外电场为化而发生大幅度变化，还研究了掺入金属微粉的种类、体积比及颗粒度对ＶＫ的影响，验证了量子隧道效应是复合材料导电开关特性的主要机理。     

壳聚糖／半导体光催化剂纳米复合材料研究进展

壳聚糖在半导体光催化材料中的应用研究是一个有着广阔前景的新热点,主要介绍了纳米壳聚糖的制备方法及壳聚糖／半导体光催化剂纳米复合材料的研究进展,指出了目前存在的问题和将来的发展方向．     

复合材料导电开关特性的研究

研究了掺Al或Ag微粉的聚丙烯（PE）基和聚二氯乙烯（PVDF）基复合材料的导电开关特性，发现在某一电场阈值（对应开关电压阈值Vk）附近，复合材料的电导率随外电场的变化而发生大幅度变化，还研究了掺入金属微粉的种类、体积比及颗粒度对Vk的影响，验证了量子隧道效应是复合材料导电开关特性的主要机理。     

微波合成半导体HgS纳米粒子

在甲醛溶液中，以Hg(Ac)2和TAA为原材料，通过微波加热合成了HgS半导体纳米粒子，并用XRD、TEM、紫外光谱进行了表征。     

导电聚苯胺薄膜的电磁学性能及其屏蔽特性

利用四探针测试法分析了导电聚苯胺(PANI-CSA)薄膜的电导率及其屏蔽特性,发现随着薄膜的厚度从4～40μm变化,导电聚苯胺薄膜的室温电导率在12～25S/cm范围内变化.并测试和分析了导电聚苯胺薄膜的屏蔽特性与薄膜厚度的关系,得到了导电聚合物PANI-CSA薄膜的电磁屏蔽效能在一定厚度范围内与理论值是一致的结论.     

纳米氧化铝薄膜制备及表征

采用溶胶-凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的氧纳米化铝纳米薄膜;通过XRD及AFM分析表征了烧结温度对纳米氧化铝薄膜的晶型及颗粒尺寸变化的影响.在900℃烧结时,氧化铝结构薄膜样品以非晶相和γ-Al2O3共存,颗粒尺寸50纳米;当烧结温度为950℃时开始向θ-Al2O3转变,颗粒尺寸几乎不变,有小颗粒生成,1050℃时基本完成θ-Al2O3转变,颗粒尺寸15纳米,1200℃时基本完成向α-Al2O3的转变,颗粒尺寸20纳米,在晶型转变过程中其晶粒尺寸由大变小而后再变大.     

半导体芯片测试数据传输方法的研究

通过对半导体芯片测试数据系统的基本架构描述,研究了半导体芯片测试数据传输的过程及方法,为生产企业提供了技术支持。     

GaN基材料的特性及应用

GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。     

关联维数在半导体激光器混沌同步中的特性

基于闭环混沌同步通信系统,分析了激光器混沌同步的质量同关联维数的关系。数值模拟结果表明,在适当偏置电流取值下,可以从两激光混沌系统中奇异吸引子的关联维数上看出混沌同步的好坏。由此说明,关联维数可以作为表征半导体激光器混沌同步好坏的依据。     

半导体制冷系统性能分析

应用非平衡态热力学和有限时间热力学理论．研究了热电半导体制冷机的性能特性，导出半导体制冷机的效率一般表示式，分析了一些参数对最优性能的影响，得到一些新结论．     

基于Simulink的外光反馈半导体激光器动态特性的模拟研究

文章提出了一种新的研究外光反馈半导体激光器动力学行为的方法,利用Simulink仿真软件建立可视化模型模拟了弱反馈至中等反馈下外光反馈半导体激光器的动态特性,结果表明弱反馈下系统处于周期态,增加反馈量系统的输出由周期态进入混沌态.并对用高频电流注入(HFI)技术控制外光反馈半导体激光器的混沌进行了模拟研究.与基于常规高级程序设计语言的计算机模拟技术相比,该方法避免了传统意义上的复杂算法编程和调试过程,可以方便的改变模型参数并观察到相应的模拟结果.     

新型窄带隙半导体BiVO_4的制备与性能表征

为了获得新型的窄带隙半导体可见光催化剂.以Bi(NO3)3、NH4VO3、NH3·H2O、NaOH和HNO3为原料,采用水热法在200℃温度条件下制备了BiVO4样品.采用X射线衍射光谱XRD和漫反射吸收谱DRS对Bi-VO4的物性进行了表征,并以偶氮染料甲基橙作为模拟污水研究了BiVO4的光催化性能.结果表明.BiVO4样品是单斜晶系,带隙为2.5eV的半导体.具有良好的可见光催化活性,是一类具有广泛应用前景的新型窄带隙半导体光催化剂.     

半导体热敏特性研究实验装置的改进

运用电量热器、万能电桥等改进大学普通物理实验:“半导体热敏特性研究”的实验装置,使得实验装置简化,便于实际操作,扩大了温度变化范围,正确展示了半导体热敏特性.     

Orcad Pspice电路仿真软件在半导体元器件特性模拟分析中的应用

鉴于Orcad Pspice电路仿真软件在电子线路中的广泛应用,作者在讲授电工电子课程中,发现利用电路仿真软件分析一些常用电路,对教学有很好的促进作用,加深了学生对电工电子课程知识点的理解,逐渐取代了通用的实验做法,节省了投资。     

英国IGCSE化学考试试题特点及启示

通过分析英国IGCSE考试及研究近五年英国IGCSE化学考试试题内容,进一步了解其考试及试题内容的特点,以期为我国国际学校教学和基础教育阶段化学教学提供一些参考和借鉴。