低噪声放大器的设计及仿真

低噪声放大器在接收系统中能降低系统的噪声和接收机灵敏度,是接收系统的关键部件。本文按照低噪声放大器电路的设计要求,完成了实际的电路设计并通过ADS仿真软件对电路进行仿真,得到了很好结果,对实际的电路设计有一定的意义。     

一种超宽带低噪声放大器的仿真设计

本文介绍了一种超宽带低噪声放大器的仿真设计,采用负反馈技术提高了工作带宽并增强了放大器的稳定性。通过ADS软件的仿真优化提高了设计效率,并进行了原理图-版图协同仿真验证。实验测试该超宽带低噪声放大器在0.1GHz～1.5GHz的带宽内增益大于30dB,增益起伏小于±1.8dB,噪声系数小于1dB,P1dB大于15dBm。     

一种低噪声放大器的输入匹配结构设计

本文讨论了一种低噪声放大器输入匹配设计结构,能够在低功耗约束的条件下实现最佳噪声和最大功率传输的同时匹配。本文基于0．35μmSiGeCMOS工艺采用该方法设计了一个1．5GHz的低噪声放大器,仿真结果表明在工作频率点噪声系数为0．39dB．增益为1456dB,输入输出匹配状态良好,工作电压为3．3V时,功耗为17．9mW。     

4.5～5GHz低噪声放大器

介绍了一种具有较好的噪声性能,以保证系统接收灵敏度;具有较好的限幅性能,以保证其良好的耐功率能力;具有较好的输入输出驻波性能,以保证系统工作的稳定性;实现高性能小型化、高可靠性.     

2．0～4．0GHz低噪声放大器的设计

介绍了S波段低噪声放大器（LNA）的设计原理和流程,并分析级联放大器的S参数,详细分析通过优化元件参数,获得了一种在2．0～4．0GHz范围内具有低输入回波损耗、低噪声系数的放大器。结果表明：在2．0～4．0GHz的范围内,该宽带低噪声放大器输入输出驻波比小于1．9,增益G〉20dB,带内增益波动小于±0．5dB,噪声系数〈1dB。     

X波段宽带低噪声放大器设计

介绍与实现了一种X波段宽带低噪声放大器（LNA）。该放大器选用NEC公司的低噪声放大管NE3210S01（HJFET）,采用微带分支线匹配结构和两级级联的方式。利用ADS软件进行设计、优化和仿真。最后研制的放大器在10-13GHz范围内增益为（21.5±1）dB,噪声系数小于2 dB,驻波比小于1.8。     

射频低噪声放大器的ADS设计

采用E-PHEMT晶体管(ATF54143)设计了一个S波段的低噪声放大器。依据放大器的各项指标对电路进行了设计、优化,最后通过S参数及谐波仿真分析得到了放大器的各项性能参数。结果表明设计的低噪声放大器完全符合性能指标,其功率增益可达15dB,噪声系数在0.7dB以下,带内平坦度小于0.5dB,输入/输出驻波比小于1.5dB,1dB压缩点输出功率大于16dBm。     

C波段卫星地面站低噪声放大器

C波段卫星地面站低噪声放大器LNA是卫星地面接收站的前端,直接与馈线输出端相接,是整个接收系统的关键部件。LNA要求低噪声,高增益,高稳定度。这是LNA的三个主要技术指标,也是设计与制造中的难点。在整个LNA的设计过程中,我们充分发挥了计算机辅助设计的优势,使设计结果达到了准确可靠,一次成功。     

基于MDIDS的低噪声放大器芯片协同优化设计

文章基于MDIDS软件设计了 一个低噪声放大器-微波单片集成电路(LNA-MMIC),利用ADS、Flotherm、Ansys软件分别构建其相应学科领域的仿真模型,通过MDIDS软件实现仿真模型间的数据传输以及芯片的电路—电磁—热—结构疲劳协同优化.结果表明基于MDIDS软件的LNA-MMIC芯片协同优化设计方法是可行...     

1.8～2.2GHz低噪声放大器设计

文章首先分析了低噪声放大器电路噪声系数,稳定性以及功率增益,然后设计了一个1.8GHz～2.2GHz的两级低噪声放大器（LNA）。版图联合仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于0.7dB,功率增益大于20dB,输入驻波比小于1.5,输出驻波比小于2。根据一般工艺要求与版图联合仿真,做出实际电路板。     

宽带低噪声放大器噪声分析

近年来在射频通讯接收机中,低噪声放大器的噪声,增益和线性度直接影响着整个射频前端的性能,因此它成为整个射频前端设计的关键所在。其中,宽带低噪声放大器成为近年来的国内外的研究热点。宽带低噪声放大器主要应用于数字有线电视接收机、数字卫星电视接收机等带宽是中心频率两倍以上的接收机。随着应用越来越广泛,对宽带低噪声放大器的指标要求也越发的苛刻,这就对宽带低噪声放大器的设计提出了新的挑战。本论文正是基于这种现状,通过对参考文献的查阅和研究,对宽带低噪声放大器进行了分析。     

基于ATF54153的射频低噪声放大器设计

为了获得高增益、低噪声的射频放大器,文中以1.850~1.950GHz低噪声放大器为例,简要介绍Smith圆图在射频低噪声放大器设计中的应用,以及使用ADS软件进行仿真设计的过程。该设计具有计算简单、设计快捷、修改方便的特点。     

Ka波段脊波导到微带过渡器的设计

介绍了波导微带转换在微波应用中的重要意义,理论分析了波导到微带过渡的基础上,提出多节阶梯阻抗变换形式的过渡结构,并选用四分之一波长切比雪夫阻抗匹配的方法设计了波导-阶梯脊波导-微带过渡结构,并用高频仿真软件CST进行了仿真分析,经多次优化计算及多次调试,最终结果在28GHz～52GHz范围内插损小于0．4dB。其结构简单,易于加工,有一定的实用价值。     

使用Q值提升技术的增益可调GSM低噪声放大器的设计

现代CMOS工艺的发展使得在CMOS工艺上设计射频IC前端成为可能。但在传统CMOS工艺集成的片上螺旋电感品质因数(Q)偏低,大大影响其性能。通过引入负电导实现螺旋电感Q值提升,并将其应用于共栅低噪声放大器的设计。     

P波段小型化定向耦合器的设计

本文简述了定向耦合器的基本原理及其应用。经过理论分析、电气结构的设计、电磁场软件仿真,并给出了实际加工测试的结果。通过试验验证了该设计方法的正确性。根据本文介绍的方法,可以设计其它频率的或面耦合方式的定向耦合器。     

C波段岸基雷达波形激励设计

岸基探测系统主要用于搜索、发现、识别、跟踪目标以及目标成像,为了解决海上目标差异较大难以识别的问题,C波段岸基雷达波形激励采用了宽窄带波形复用、宽窄带激励功放复用、宽带线性调频波形、窄带点频波形的设计,实现了宽窄带波形激励分时工作、窄带发现目标及宽带成像。实验测试结果表明,采用这种方法设计的波形激励性能指标满足雷达要求。     

共射放大电路的设计

共射放大电路是当前电子技术当中使用最常见的一种,也是一种最为常见的放大电路.本文按照相关的设计需求,对共射电路进行全面性的设计工作.同时,借助Multisim仿真系统找出其中存在着的不足,深入研究增加射极和改变置留偏置电压的整体方案.因此,对方案的改良有着深入的分析.     

V波段CMOS注入锁相二分频器设计

基于IBM 90 nm RF CMOS工艺,设计了49.8～55.8 GHz锁相范围的毫米波注入锁相分频器.对电感、共面波导和微带线进行对比.将Q值较高的电感用于振荡器部分以得到较好的相位噪声,将共面波导用于输入匹配部分以得到较宽的输入匹配,注入节点处感性元件采用共面波导以减小版图面积.对振荡器和输入晶体管的偏置电压进行优化,得到较高的注入效率以提高锁相范围.     

大型变压器器身压紧结构及工艺

大型变压器是我国电网中的重要设备,其可靠性对居民生活或者是企业生产有着重要的影响。但是,由于大型变压器器身压紧结构不合理,或者是压紧工艺不达标,容易导致变压器故障,从而影响电网的正常运作。本文通过简要论述大型变压器器身压紧结构及其工艺,为变压器生产厂商提供了可以借鉴的方法。     

C波段大功率T／R组件设计

本文介绍了一种相控阵用c波段大功率T／R组件的设计实现方法。通过分析整机技术要求,借助微波CAD辅助设计软件,采用固态功率放大器,并针对各功能部件选取合适的电路形式,设计并制作完成C波段大功率T／R组件样品,并给出了测试结果。