掺杂的生活更美好

科学家早就发现,将锗提纯可以制成极为优异的晶体管。于是,几乎所有的科学家都致力于去掉锗中的杂质,欲使其纯度达到100%,让理想晶体管横空出世。日本新力公司的江畸博士和助手沿着提纯构想做了无数次试验,但每次都不可避免地带进了杂质。后来,他们想,既然绝对提纯不可能,何不反其道而行之,试着一点点杂质掺进?这一构想遭到很多专家的嘲笑和反对,但他     

人生不必太提纯

你知道一种极为优异的半导体晶体是怎样诞生的吗? 科学家发明了电子管以后,想找新元件来取代它,元件的材料已找到了,它就是锗,如何将锗制成功能卓越的晶体管,这是全世界的物理学家都在琢磨的事,几乎所有的科学家都这么想:当把锗中所有的杂质全部去掉,使其纯度达到100％,理想中的晶体管就会横空     

教育不要一味追求“高纯度”

你知道功能卓越的半导体晶体管是怎样诞生的吗?早些时候,科学家发现将锗提纯可以制成极为优异的晶体管。这之后,几乎所有的科学家都力求除尽锗中的杂质,使其纯度达到100%,让理想中的晶体横空出世。日本新力公司的江崎博士和助手黑田百合子沿着这种构想,进行了无数次的试验,但每次都不可避免地带     

人生不必太提纯

你知道功能卓越的半导体晶体管是怎么诞生的吗？科学家发现将锗提纯,可以制成极为优异的晶体管。这之后,几乎所有的科学家都力求去掉所有的杂质,使其纯度达到100％,让理想中的晶体横空出世。     

2010年高考作文模拟题

1.阅读下面的文字,按要求写一篇不少于800字的文章。半导体晶体管发明前,科学家发现将锗提纯,可以制成极为优异的晶体管。之后,几乎所有的科学家都力求去掉所有的杂质,使其纯度达到100%,     

2010年高考作文模拟题

1．阅读下面的文字,按要求写一篇不少于800字的文章。 半导体晶体管发明前,科学家发现将锗提纯,可以制成极为优异的晶体管。之后,几乎所有的科学家都力求去掉所有的杂质,使其纯度达到100％,让理想中的晶体能早日问世。     

人生不必太提纯

朋友,你知道功能卓越的半导体晶体是怎样诞生的吗?一开始,倘若有人问我这样的问题,我必定一无所知。但就在前不久的阅览课上,我了解到了答案。科学家发现将锗提纯,可以制成极为优异的晶体管。这之后,几乎所有的科学家都为求除尽锗中的杂质,使其纯度达到100%,让理想中的晶体横空出世。     

身后的路上也有花朵

一生智慧:没有尝试前,不要轻易否定任何一条路。人生的道路上,我们习惯了先选择好道路,然后出发,因为选择正确能够拥有收获,选择错误会致使两手空空。江崎博士和助手黑田孜孜不倦地研究如何才能把锗提炼得更纯,尽管黑田每次都十分谨慎小心地操作,却总是不可避免地混进一些杂质,一次次的测量参数都显示不同的数据,这很让黑田懊恼。于是她想,既然绝对提纯不可能达到,干脆采取相反的做法,一点点的添入少量杂质,看一看到底能够提炼出什么样的晶体。江崎为这个违反常规近似荒唐的念头拍案叫绝,两个人开始了一连串的实验,当他们把锗的纯度降到一半…     

请往前再走一步

法国科学家拉瓦锡认为空气中除少量水分和二氧化碳之外,氧气占1/5,氮气占4/5。卡文迪许表示怀疑。通过空气成分鉴定实验,他发现:除了氧和氮以外,空气中似乎还有残余气体物质。由于这些杂质少到可以忽略不计的地步,他的研究便就此止步了。100多年后,英国科学家瑞利发     

REAL玻璃“悬浮”制造新物质

一项原本为国际空间站设计实施的实验最近促使美国宇航局地面实验室的科学家们开发出了一种在空中悬熔形成的全新类型的玻璃。借助静电场使物质漂浮在空中,科学家们可以制造出不含任何杂质的纯玻璃材料。由于不与容器接触,因此不会掺杂上任何杂质。这种玻璃有许多潜在的用途,譬如可以作为新医疗激光和工业激光的核心元件等等。目前该玻璃正在几个项目中进行应用测试。这种被称为REAl(稀土氧化铝的缩写)的新物质是由美国航宇局马歇尔航天飞行中心的静电浮力器实验室首次开发研制的。科学家们的实验选在一个真空容器中进行。他们使用静电场…     

元素家族添新丁

化学元素周期表是1869年俄国科学家门捷列夫首创的,他将当时已知的63种元素依原子量大小并以表的形式排列,把有相似化学性质的元素放在同一行,这就是元素周期表的雏形。表中一横行称为一个周期,一列称为一个族。利用周期表,门捷列夫成功预测了当时尚未发现的元素特性(镓、钪、锗)。     

德研制成锗晶体管

德国埃森大学和汉诺威大学2月12日宣布联合研制成锗晶体管,电子在其中的运动速度是在硅晶体管中的2～3倍。这种晶体管不仅在速度方面创造了新的世界纪录,还可能成为未来高速计算机的核。G部件。硅半导体晶体管是当前集成电路的基础,但电子在硅晶体管中的移动速度较慢,特别是随着芯片和晶体管的JJ、型化,电子在硅半导体中的移动速度几乎达到极限。科学家指出,在目前阶段,指甲大,J、的芯片包含了数百万个晶体管,电子在晶体管中的运动速度稍有提高,就能大幅提高整个芯片运算和存储的速度。电子在锗半导体中的运动速度比在硅半导体…     

元素性质与其应用之间的关系——以锗元素为例

锗元素1886年被发现于德国,随后其性质成为元素周期律的重要证据之一。经过早期开发之后,锗元素在半导体领域找到了它的主要应用方向,并且一度成为核心元素之一。但在上世纪中叶之后,由于半导体元件需求量的激增和锗元素自身储量的匮乏,锗逐渐让位于硅。锗的发现和利用史有助于深入理解化学元素开发和利用的一般规律。     

2q锗纳米材料制备中产量与水层的关系研究

研究激光烧蚀水面下的块体锗靶.研究结果表明,激光烧蚀锗的产量(烧蚀率)随锗基板表面水层厚度变化而变化.对单个激光脉冲为60 mJ能量时,烧蚀出的锗溶液浓度在水层为1.2 mm时最高.它揭示在水约束条件下存在一个最优水层厚度,诱导出的等离子体具有最强的冲击力,这种高压、高温等离子体导致最高的烧蚀率.对各水层厚度下烧蚀的锗颗粒粒径做了分析,得到锗纳米粒径随水层厚度增加而单调减少.XRD表明立方单晶锗经激光烧蚀后成为面心立方多晶锗,且含有亚稳相GeO.     

褐煤中共伴生元素锗的提取技术

文章对褐煤共伴生元素锗采用在高温和弱还原气氛下易以低价锗氧化物和硫化物形式挥发出来,凝聚在带出物烟尘和飞灰表面上,通过收集烟尘等并对其处理可实现富集。相对于燃烧灰化法,采用低温灰化法效果更好,此方法能将有机物燃尽,简化了流程,避免了锗的损失。对于品位较低的含锗的烟尘用火法富集工艺进行富集,火法富集工艺相当于二次富集,它可使低品位含锗煤烟尘通过再次火法富集得到高品位含锗烟尘,从而实现了对褐煤共伴生稀有元素的提取,回收率为含量的90%。     

低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究

为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量,提出了低温锗量子点缓冲层技术,分析了该技术在应变弛豫的促进,表面形貌的改善,位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术,利用超高真空化学气相淀积系统,在硅衬底上生长出高质量的硅锗弛豫衬底。锗组份为0.28,厚度不足380 nm的硅锗弛豫衬底,应变弛豫度达到99%,表面没有Cross-hatch形貌,表面粗糙度小于2 nm,位错密度低于105 cm-2。     

谈硅管与锗管的互换

在维修晶体管收音机或收录机以及其它家用电器时,如需要与原图同类型的晶体管而手边没有,可考虑用不同类型的硅、锗管相互代用,硅三极管和锗三极管都有放大和振荡的作用,这是能够代用的前提,但因不同类型管在材料特性上和制造工艺的差别,故在进行硅、锗管相互代换时,得注意以下几方面问题     

美营养食品协会建议禁止销售含锗产品

美国营养食品协会最近建议禁止销售添加锗的产品,即禁止在单一物质和合成产品中使用锗和锗的化合物。 过去的研究认为,锗是无毒的,主要是指锗     

锗

1886年德国化学家Winkler对硫银锗矿进行金分析时发现了锗,为了纪念他的祖国(Germany),命名这一新元素为Germanium。他填补了俄国化学家门捷列夫在发表周期表学说时,曾预言第Ⅳ族有一个“类硅”元素的空白,使得这一发现成为极重要的科学事件。一百多年来,人们对锗及其化合物的研究做了大量工作。本世纪六十年代,日本学者研究微量元素锗的生理功能时,发现锗具有多种生物活性     

我用相机捕捉10位女科学家的美丽瞬间

去年底,我接到了一个比较特别的拍摄任务,拍摄对象是10位女科学家,她们在各自的研究领域都取得了很棒的成绩。这次拍摄是因为她们都获得了第十一届"中国青年女科学家奖",主办方希望通过这种方式,展示女科学家的真实面貌。我记得小时候,有人问我们长大了想做什么,大多数小朋友的回答都是科学家,可是随着年龄的增长,这样的愿望渐渐变成了梦想,后来变成了梦,"科学家"3个字