纤锌矿和闪锌矿GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱中激子能量的对比研究

本文分别计算了纤锌矿和闪锌矿GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱中重空穴激子的基态能量和结合能,给出了这两种量子阱中激子的基态能量和结合能随量子阱宽度变化的函数关系.结果表明,纤锌矿和闪锌矿GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱材料中激子的基态能量和结合能随着量子阱宽度的增大而降低,在阱宽较小时急剧下降,阱宽较大时缓慢下降,最后缓慢接近于GaN体材料的三维值;闪锌矿GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱中激子的基态能量明显高于纤锌矿GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱中激子的基态能量,而闪锌矿GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱中激子的结合能明显低于纤锌矿GaN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N量子阱中激子的结合能。     

电场下GaAs/G_(a1-x)Al_xA_s量子阱中的激子

本文利用有限势垒(左、右垒高不等)模型,研究了电场对GaAs/Ga_(1-x)A1xAs量阱中各子带所对应的激子之影响.采用级数展法开求得于带所对应的电子——空穴重叠函数.通过变分计算得到激子结合能.对阱宽为105(?)的GaAs/Ga_(0.66)A1_(0.34)As量子阱,电场由0至1.2×10~5V/cm,我们计算了(电子和空穴的)子带对应的激子之结合能.基于上述计算结果,所得激子峰的能移与实验测量符合得较好,体现出有限势阱模型比无限势阱模型好得多.     

Sn_(0.9)Ga_(0.1)P_2O_7/聚苯醚复合电解质的中温电性能

本文合成了有机-无机复合电解质聚苯醚(PPO)/Sn_(0.9)Ga_(0.1)P_2O_7.XRD测试表明Sn_(0.9)Ga_(0.1)P_2O_7(SG10P)和PPO复合没有发生反应生成新物质,SEM图可以看出样品致密性良好.采用电化学工作站对SG10P-PPO的中温电性能(100~350℃)进行了研究.结果表明,SG10P-PPO在干燥氧气气氛中在300℃达到最大值8.5×10~(-3)S·cm~(-1).SG10P-PPO在300℃开路电压下的电解质阻抗、极化阻抗分别为16.02Ω·cm~2、2.41·cm~2.H_2/O_2燃料电池性能测试表明,在0.55 V时对应最大输出功率密度为38.3 mW cm~(-2).     

外电场作用下氮化物无限抛物量子阱中激子的能级

考虑Ga N/Al N无限抛物量子阱(PQW)中声子模和空穴有效质量的各向异性,利用变分法计算了外电场下氮化物PQW中激子的能量。结果表明,重、轻空穴激子的结合能与基态能均随阱宽的增大而降低;考虑极化子效应时,结合能降低较明显;轻空穴激子的基态能量与结合能比重空穴激子的高;纤锌矿PQW中激子的基态能量比闪锌矿PQW中的低,而纤锌矿PQW中激子的结合能比闪锌矿PQW中的高;有外电场作用时,激子的基态能量与结合能明显降低。     

扫描探针显微镜对纳米尺度铁电畴极化反转的研究

利用扫描探针显微镜(SPM)的压电响应模式(PFM)和电场力响应模式(EFM)对PbTiO3/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)夹心结构铁电薄膜的自发极化与纳米尺度电畴反转行为进行了研究。SPM的PFM对薄膜电畴的极化反转研究表明,在相同的有限电压下,薄膜的电畴因不同结构而不能全部反转而取向一致;同时,不对称电极产生的内建电压(场)会导致不同方向上极化反转电压的不同。SPM的EFM不宜用来研究铁电薄膜的自发极化电畴结构,但对电畴的取向极化有较高的区分度,适于研究电畴的取向极化。经正电压极化后,极化的区域呈高电势的亮区;经负电压极化后,表现为低电势的暗亮度区域。     

一种纯CMOS低功耗高电源抑制电压基准电路

基于阈值电压的负温度特性以及热电压的正温度特性,给以适当的权重后把它们相加,提出了一个零温度系数的基准电压电路。该器件由工作在亚阈值区的CMOS晶体管组成,不包含电阻和双极晶体管。采用3支路电流基准结构替代共源共栅结构和嵌入式运算放大器,具有芯片面积小和功耗低的优点。仿真结果表明,在标准0.18μmCMOS工艺下,该电路可在0.75 V电源电压下工作,输出电压为563 mV。在-40~125℃范围内,电压温度系数仅为17.5×10^-6/℃。电源电压范围在1.2~1.8 V时线性灵敏度为569.5×10^-6/V,电源抑制比可达到66.5 dB@100 Hz,最高功耗仅为187.4 nW。     

外电场作用下氮化物有限抛物量子阱中激子的极化子效应

考虑GaN/Al_xGa_(1-x)N有限抛物量子阱(PQW)中空穴有效质量及声子模的各向异性,采用LLP变分法计算了外电场作用下有限PQW中激子的能量。结果表明,轻、重空穴激子的基态能随阱宽的减小而增大,结合能随着阱宽的减小,先增大后减小;考虑极化子效应时,结合能有明显的降低;轻空穴激子的结合能和基态能量均比重空穴激子的高;闪锌矿阱中激子的基态能量比纤锌矿阱中的高,而闪锌矿阱中激子的结合能比纤锌矿阱中的低;有外电场作用时,激子的结合能和基态能量降低较明显。     

含氟聚酰亚胺的合成及电光性能

以含氟的二胺5,5'-(六氟异丙基)-二-(2-氨基苯酚)及二酐3,3',4,4'-苯四甲酸二酐(BPDA)为单体,首先合成了经酰胺化的主链上带有活性羟基的含氟聚酰亚胺,再通过Mitsunobu反应将活性生色分子分散红-19共价链接到聚酰亚胺的侧链骨架上,合成了非线性光学(NLO)含氟聚酰亚胺.示差扫描量热分析(DSC)测得其玻璃化转变温度为248 ℃,热重分析(TGA)测得其5%失重的热分解温度为309 ℃,将制得的含氟聚酰亚胺制成反射电光调制器,由二次谐波条件于1 064 nm处测得不同温度下的非线性系数d33为5.209×10-9esu (极化电压3.6 kV,205 ℃)和7.418×10-9esu (极化电压3.8 kV,210 ℃),用衰减全反射法测得其电光系数γ33为2.182 pm/V (3.6 kV,205 ℃)和3.107 pm/V (3.8 kV,210 ℃).     

一道电学题解法探讨

普通高中教科书(试验修订本·必修加选修)第十四章习题B组第8题题目: 如图1是静电分选装置的原理示意图。 将磷酸盐和石英的混合颗粒由传送带送至两个带电平行板上方的中部,经过电场区域下落.电场强度为5×10~5V/m,磷酸盐颗粒带正电,石英颗粒带负电,两种颗粒的带电率(颗粒所带电荷量与颗粒质量之比)均为10~(-5)C/kg,如果要求两种颗粒经过电场区域后至少分离10cm,粒子在电场中通过的     

电场下G_aA_s/G_(a_1-x)Al_xA_s量子阱中的子带

本文利用(左、右垒高不等)有限量子阱模型研究了电场对G_aA_s/G_(a_1)-xAl_xA_r量子阱中子带的影响,采用级数展开法和微扰论求得子带能及其波函数。已经计算了阱宽为D=105(?)的G_aA_s/C_(ao·66)Al_(0.34)A_s量子阱中的电子和轻、重空穴的子带,电场在0至1.2×10~5V/cm范围内的情况。由子带能移的数值结果比无穷势垒模型的计算结果好,体现了有限势垒模型比无限势垒模型好得多。     

高压电泳实验

电泳是在外加电场的作用下,胶体微粒在分散剂里向阴极(或阳极)作定向移动的现象。电场强度是胶体微粒定向移动速度的关键、电压高、电场强度大,可大大提高电泳速度。因此我们研制了高压直流电源,当电源电压(经调压器调压)为230V、两极负载电压可达330V,氢氧化铁胶体电泳实验,效果甚好,电路接通,立刻出现电泳现象,经1分钟在阳极的清晰界面高度达5毫米(U形管直径为15毫米)、2分钟为10毫米、4分钟可达20毫米,平均速度为5毫米/分。分界面清澈、现象明显,时间不长,完全适用于课堂演示实验。     

GaN极性和Al组份对AlcGa1-cN/GaN双异质结IMPATTD性能的影响

GaN基碰撞雪崩渡越时间二极管(IMPATTD)是前景光明的太赫兹波源,具有输出功率高、 转换效率高、体积小、集成方便等优点．构建了GaN /Al_cGa_1-cN/GaN和Al_cGa_1-cN/GaN/Al_cGa_1-cN双异质结构(DHS)n⁺/n/i/p/p⁺型IMPATTD,通过求解半导体器件基本方程(包括泊松方程、电流密度方程和载流子连续性方程),仿真了工作于大气低损耗窗口频率0.22 THz处的IMPATTD,计算了所设计器件的直流参数(如电场分布、归一化电流密度、击穿电压等)、大信号参数(如端电压、雪崩电流密度、 端电流密度、导纳-频率关系、输出功率、转换效率等)和噪声特性参数(如噪声场分布、噪声谱密度和噪声测度等),分析了GaN极性和Al组份对Al_cGa_1-cN/GaN DHS IMPATTD性能的影响．本文提出了一种优化Al_cGa     

纳米银-石墨烯修饰玻碳电极检测咖啡因

本文采用化学还原氧化石墨烯的方法制备了纳米银-石墨烯(Ag-GR)复合材料,用此材料制备了纳米银-石墨烯电化学传感器(Ag-GR/GCE),并利用循环伏安法研究了咖啡因的电化学行为。以0.01 mol/L的H2SO4为底液在0.5¹.7 V电压范围,于1.579 V左右有一氧化峰,线性范围为2×10-61.7 V电压范围,于1.579 V左右有一氧化峰,线性范围为2×10-6⁶×10-5 mol/L和6×10-56×10-5 mol/L和6×10-5²×10-3 mol/L,检出限(S/N=3)为6×10-7 mol/L。将传感器已用于咖啡因的检测,效果较好。     

应用于无线局域网802.11a高中频下变频器的设计(英文)

给出了一个应用于无线局域网WLAN802.11a的中低噪声、高增益的下变频器.该下变频器采用高中频的结构,输入的射频频率(RF)、本振(LO)频率和输出的中频频率(IF)分别为5.15 ～5.35,4.15 ～4.35和1GHz.为了提高混频器的线性度,电路采用了伪差分的吉尔伯特结构和源极电阻负反馈技术;为了获得低的噪声系数,混频器采用电流源注入技术和LC谐振电路作为负载.此外,采用了一种改进的源极跟随器输出缓冲电路,在不恶化其他性能的情况下混频器可以达到较高的增益.该芯片采用0.18μm RF CMOS工艺制作,包含所有焊盘在内的芯片尺寸为580μm×1 185μm.测试结果表明:在1.8V电源电压下,消耗电流为3.8mA,转换增益为10.1dB,输入1dB压缩点为-3.5dBm,输入三阶截点为5.3dBm,单边带(SSB)噪声系数(NF)为8.65dB.     

2007年广东高考化学模拟试题

可能用到的相对原子质量:H1B10.8C12N14O16Na23Mg24Al27Si28S32Cl35.5Ca40V51Mn55Fe56Ag108第一部分选择题(共70分)一、选择题(本题包括10小题,每小题3分,共30分。每小题只有一个选项符合题意)     

亚精胺、低N素及昼夜温度变化诱导离体黄瓜子叶花芽分化

试验了亚精胺(Spd)与激动素(KT)复合处理、不同的N素及昼夜温度变化对离体黄瓜子叶花芽分化的影响。发现:KT 9.3×10-3mm o l.L-1 Spd5×1-0 2mm o l.L-1有利于花芽的诱导,低N素和昼夜变化促进花器官的构建,进一步完善了离体黄瓜子叶花芽分化的试验体系。     

完善解法、引伸含义

高中物理(试验修订本·必修加选修)第二册P121第(8)题为:图1是静电分选装置的原理示意图.将磷酸盐和石英的混合颗粒由传送带送至两个带电平衡板上方的中部,经过电场区域下落,电场强度为5×10 5V/m.磷酸盐颗粒带正电,石英颗粒带负电,两种颗粒的带电率(颗粒所带电荷量与颗粒质量之比)均为10-5 C/kg.如果要求两种颗粒经过电场区域后至少分离10cm,粒子在电场中通过的竖直距离至少应为多长?     

教师教学能力案例分析——命题能力的差异

一、教师命题时存在的主要问题及分析例1如图1所示,A、B板间距离d为8厘米,两板间的电场是匀强电场,电场方向竖直向下,两板间电压U=160 V.现在两板间放置一倾斜滑槽,倾角θ=37°.内置一带负电的小球,小球带电量q=10~(-7)C.小球与滑槽之间有     

新型激光模型实现SPP增益补偿的数学分析

设计了有机染料分子的球形波导结构,采用最内层金属金(Au)、外层Si介质的多层球形结构,在环形介质中植入有机染料分子作为增益耦合介质。理论上分析了模型的的受激辐射磁场能量、辐射谱以及有机染料分子增益效果。特性分析结果表明:光波在有机染料分子增益区能够与内层金属实现耦合,发生了多层电场局域化现象,增益对金属-介质间的表面等离子有一定的补偿效果,从增益的高折射区与低折射率区间发生了全反射,实行了表面等离子传播的增益补偿效果。能够通过调节波导参数实现损耗-补偿控制,高折射区能够实现SPP补偿,有机染料分子距离核区越近补偿效果更好,损耗更小。     

硼碳氮纳米管薄膜的制备及场致电子发射性能研究

采用高温热解法,以硼氢化纳/乙二胺(NaBH4/C2H8N2)饱和溶液为前驱液在沉积有铁催化剂的硅基底上生长硼碳氮(BCN)纳米管.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜、扫描俄歇微探针和拉曼光谱对BCN纳米管进行形貌观察和表征.BCN纳米管的高度在20μm左右,直径在50～100nm之间,具有明显的"竹节状"结构,结晶有序度较差.对BCN纳米管薄膜进行低场致电子发射性能测试,开启电场1.8V/μm,外电场升至2.48V/μm时发射电流170μA/cm2,当外加电场大于5.5V/μm时,可以观察到发射点均匀分布的场致电子发射图像.