巧用万用表与兆欧表

叙述巧用万用表与兆欧表的实际经验,说明如何用其来测试稳压管、二极管及三极管的反向击穿电压,使测量变得灵活,实现一表多用。     

基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究

大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法.     

如何提高日光灯电路的功率因数

本文主要介绍日光灯电路的工作原理,实验测量日光灯电路中各元件的参数。如:电压U;电流I和功率P等参数的测量,通过实验数据的测量和处理,进一步了解怎样提高日光灯电路功率因数COSφ的方法,并进行探讨。     

提高静电收集法测氡仪灵敏度方法的理论探讨

静电收集法连续测氡仪大多采用半导体探测器作为探测元件,其探测灵敏度是低于闪烁室法及电离室法的,但是其具有能谱测量的独特优势。由于可以通过谱分析排除220 Rn的干扰,基于静电收集法的连续测氡仪得到了广泛的应用。本文对影响静电收集法连续测氡仪探测灵敏度的因素进行了分析,发现提高测量腔体和半导体探测器之间的电压;降低测量腔内的空气的湿度;增大测量腔的体积这三种手段是可以提高静电收集法测氡仪的灵敏度的。并且对这三种方法的机理,效果及适用条件等进行了分析,得到一些有益的结论:当测量腔体和半导体探测器之间的电压高于某一阈值后,继续提高电压,测氡仪的灵敏度不再提高;使用干燥管可以有效的提高探测效率,但是不适合无人值守的环境长期监测;通过增大测量腔的体积来提高探测灵敏度时,灵敏度的提高幅度远小于体积增大的幅度。     

双向可控硅调压电路中两种触发方式的讨论

本文讨论了双向可控硅调压电路中两种触发方式即双向二极管触发和反向串联稳压管(或并联发光二极管)触发的电压调节原理;输出电压和输出功率与调节元件参数之间的定量关系式,并将其定量关系列表和用曲线图示,对两种触发方式性能进行了比较,从而得出了一种更为简单的电压微调电路,所有结论都经实验验证。     

3CTS调压电路中几种触发电路的定量研究

通过理论分析和实验研究，分别讨论了以双向二极管和反向串联稳压管（或并联发光二极管）触发的双向可控硅调压电路，给出调节元件参数与输出电压（或输出功率）之间的定量关系式及曲线，并对两种触发方式性能进行了比较。     

半导体三极管的损坏机理浅析

三极管的损坏,主要是指其PN结的损坏.按照三极管工作状态的不同,造成三极管损坏的具体原因是工作于正向偏置的PN结,一般为过流损坏,不会发生击穿;而工作于反向偏置的PN结,当反偏电压过高时,将会使PN结因过压而击穿.     

限流式固态断路器及其实验装置研制与应用

开发了一套基于金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)并联的限流式固态断路器,并以此为基础设计了一套电力电子器件及固态断路器测试实验装置。该实验装置可实现MOSFET的稳态和动态均流特性测试、二极管反向击穿电压测试、MOSFET的关断能量损耗测试等实验,还可验证固态断路器在防止越级跳闸及降低电气火灾隐患等方面的功能。该实验装置有利于加深学生对MOSFET、二极管相关电气特性以及基于电力电子器件的固态断路器的理解,提高学生综合运用专业知识的能力。     

半导体三极管的损坏机理浅析

三极管的损坏 ,主要是指其 PN结的损坏。按照三极管工作状态的不同 ,造成三极管损坏的具体原因是 :工作于正向偏置的 PN结 ,一般为过流损坏 ,不会发生击穿 ;而工作于反向偏置的 PN结 ,当反偏电压过高时 ,将会使 PN结因过压而击穿。     

基于半导体光电器件的光电性能检测仪研究

在电子设备中有越来越多的半导体光电器件得到应用,日常的实验中也经常能见到它们。半导体光电器件应用于光电性能检测仪可以快速地检测元件的光电特性,并绘制出光强电压曲线、电流电压曲线。本文着重介绍了该检测仪的设计思路。     

霍尔式传感器实验开发与应用

针对半导体传感器技术特点,对霍尔传感器进行实验开发与应用研究。方法是以CY-10型传感器的实验仪为平台,将线性半导体霍尔片,置于环形磁钢构成的梯度磁场中,当霍尔元件通过恒定电流时,霍尔元件在梯度磁场中上、下移动时,测得霍尔电势的大小,并获知霍尔元件的静态位移,通过设计测量电路,利用微机数据采集软件,对该传感器及整个测量系统的特性研究,作出分析,从而探索霍尔传感器测量系统在实际中的应用。     

KPCA和FCM的击穿电压预测建模

针对变压器油击穿电压在线测量困难,提出核主元分析(KPCA)和模糊C均值聚类(FCM)的变压器油击穿电压预测模型。首先,通过KPCA提取输人数据的非线性主元;然后采用FCM将提取的主元集分成具有不同聚类中心的子集,同时,采用差分进化算法对KPCA核参数和FCM聚类数寻优,分别为每一子集建立最小二乘支持向量机(LSSVM)子模型;最后通过子模型切换策略得到模型的最终输出。实验结果表明,提出的预测模型具有较好的泛化能力和预测精度。     

半导体三极管的输入、输出特性及其开关应用

半导体(硅)三极管既是基本的放大元件,又是重要的开关元件。因此,在数字电路的学习中,要注意在理解的基础上,熟悉其输入、输出特性,掌握其开关应用,一、半导体三极管的输入特性要理解三极管的输入特性,首先应该熟悉二极管的伏安特性。1.半导体二极管的伏安特性图1.1(a)是半导体二极管的符号,1.1(b)是伏安特性——反映加在二极管两端的电压V_D和流过其中的电流I_D两者间关系的曲线。     

电流计的两种全新用法

职高一年级学生可能没使用过电流计,但都已经会使用模拟式万用表了.学生在使用万用表的过程中,都会亲身体会到万用表的一个特点:在测量直流电流或电压时,万用表指针的偏转方向反映了被测电流或电压的方向,其偏转幅度的大小反映了被测电流或电压的大小.但大家都知道:万用表是不能测量反向电流或电压的,长时间接入反向电流或电压会烧坏表头.     

光电控制模型几例

本文为大家提供几个实用、价廉、易购的光敏元件的技术资料和几则实例,供参考。 (一)AM-1417型太阳能电池。在阳光下电压≥3V,短路电流2～3mA,外形尺寸35×12×1mm。 (二)2AU1光敏二极管。耗散功率≥15mW,反向耐压≥50V,反向电阻≥500KΩ,反向亮阻(笔形手电光距其3厘米处测量)≤100Ω。 (三)GM45～32型光敏电阻。亮阻≤1KΩ,暗阻≥1 MΩ。太阳能电池对光的要求最高,光敏二极管次之,光敏电阻的灵敏度相当高,仅需几勒克斯的光照度     

电压温度对三极管PN结线性特性测量的影响

运用半导体的PN结扩散电流与电压关系特性,精确地测量了玻尔兹曼常数。实验选取了不同的温度环境进行多次测量,对数据进行线性拟合处理,对测量结果进行比较,给出精确测量时的温度及电压范围。该实验对玻尔兹曼常数测量的相关实验有一定的借鉴作用。     

例析交变电流中的二极管问题

二极管也叫品体二极管,是一种半导体元件,它的特点是电流从正极流入时电阻比较小,而从负极流入时电阻比较大．高中阶段一般将其看作理想二极管,即正向电阻可看成零,反向电阻可看成无穷大．二极管具有单向导电性．     

普朗克常量测定的误差分析

根据用反向遏止电压法测量普朗克常量的实验原理，讨论了暗电流、本底电流、反向电流对实验结果影响的大小，并对遏止电压的几种不同取法进行了分析，总结出比现行教材和文献中采用的更好的方法，在一定程度上修正了遏止电压，得到了较理想的实验结果。     

基于单片机控制的便携式智能电路元件测试仪设计

运用单片机的控制和运算功能,结合电路元件的测量电路,通过编程来扩大对电阻、电容、电感的测量范围,设计了出自动测量电路元件参数的智能型仪器。     

氧化镓肖特基二极管自热效应的仿真研究

氧化镓材料因具有卓越的特性而逐渐受到人们的关注,由其制备的肖特基二极管具有广阔的应用前景,然而材料本身热导率低,纵向结构器件受自热效应影响较大。通过仿真,对纵向肖特基二极管自热特性的正向、反向和瞬态信号传输的影响进行了研究。结果显示,二极管正向电压超过一定值时,正向电流受自热影响趋向饱和;反向特性在击穿之前没有自热效应;器件N型外延层的结构也会影响温度积累,数据表明当掺杂浓度和厚度超过特定值,自热效应会使I-V曲线恶化;当器件在开关状态工作时,温度积累使得电压较大、持续时间较长的脉冲信号完整性变差。