ZnO基过渡金属掺杂的磁性来源

由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的磁性起源的三种理论解释,并且调研了几种不同的TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。     

3d过渡金属掺杂II-IV-V_2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和N i)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体进行系统计算.结果发现:V-、Cr-和N i-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),而Mn-、Fe-以及Co-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM).     

含-Zn-Zn-金属链的过渡金属夹心化合物研究

文章采用密度泛函方法研究了含有多个-Zn-或-Zn-Zn-链的过渡金属夹心化合物C6H6-n(ZnC5H5)n(n=1-3)和C6H6-n(Zn2C5H5)n(n=1-3)的几何构型、电子结构和稳定性.结果表明,通过-ZnCp或-Zn-ZnCp半三明治结构与苯环发生垂直取代,可以形成一类新颖的单核或多核夹心化合物.     

单层过渡金属硫化物的辐照效应研究

单层过渡金属硫化物在多个领域具有极大的发展前景。为了研究过渡金属硫化物的辐照效应,以MoS2为代表,讨论了在γ射线辐照后的光电性能变化。结果表明,γ射线辐照会影响MoS2的光电性能,不同辐照剂量对MoS2的影响呈现非线性趋势,其中,辐照剂量为10 kGy时,MoS2的电学性能变化最明显,电导率达到512 S/m,是辐照前的6倍。为开发应用于飞行器中的高灵敏度传感器提供参考。     

3d过渡金属掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2黄铜矿半导体的电磁性质

利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属（TM=V,Cr、Mn、Fe、Co和Ni）掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2（CdCeP2和ZnGeP2）黄铜矿半导体进行系统计算．结果发现；V-、Cr-和Ni-掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态（FM），而Mn-、Fe-以及Co-掺杂的CdGeB和ZnGeP2将出现反铁磁状态（AFM）．     

过渡金属羰基化合物的取代反应机理

分类叙述了过渡金属羰基化合物的取代反应机理及其影响因素。     

过渡金属间相互作用本质探究

共价键理论是化学学科中的一个重要理论,它解释了许多电负性形同或相近的元素的原子成键情况.但近年来由于对过渡金属原子间成键本性广泛深入研究,对共价键理论提出了新的挑战.     

为过渡金属织个梦

因为《第二次握手》一书中女科学家“琼姐”（丁洁琼）的故事而爱上物理,因为对诸多物理现象的不解而迷上物理学,因为对过渡金属氧化物的微观结构感兴趣而恋上那些如音符般的d电子……     

过渡金属化合物催化格氏试剂反应

简述了近十年来用过渡金属配合物（如钯、铜、镍、锆、铁、钛）作催化剂，通过格氏试剂反应进行立体选择性合成的方法和原理。     

新型稀土过渡族金属间化合物的理论研究

稀土永磁材料是以稀土金属元素与过渡族金属所形成的金属间化合物为基本的永磁材料，稀土永磁材料的磁性能与组成该永磁体的稀土化合物的晶体结构有密切关系，了解稀土永磁化合物的结构将为了解稀土永磁材料的性能和制造工艺打下基础，本文介绍了目前取得较大进展的新型稀土永磁材料的研究成果。     

层状过渡金属化合物CaMn_2Bi_2的物理性质研究

利用Bi作为助熔剂制备出了层状过渡金属化合物CaMn_2Bi_2单晶样品,通过X射线衍射、能谱分析系统、综合物性测量系统等测试设备对该单晶样品的晶体结构、化学成分、电学和磁学性质进行了测量和表征.结果表明:CaMn_2Bi_2是一个层状过渡金属化合物,具有三角晶系Ca Al_2Si_2型的晶体结构,Mn2+排列成三角格子层.磁化率在150 K表现出反铁磁行为,但是在反铁磁转变温度以上磁化率不满足Curie-Weiss行为表现出鼓包行为,说明在反铁磁转变温度以上系统中存在着很强的反铁磁关联.电阻率从300 K开始随温度降低而降低,表现出金属线性行为;在150 K附近随温度降低而急剧地降低,这与发生反铁磁转变是相关的;直到70 K附近电阻率降到最低,随后在低温下随温度降低而升高,表现出半导体行为.     

过渡金属敏化稀土近红外发光的研究进展

稀土元素由于具有特殊的电子构型而使得稀土原子或离子的化合物有很多独特的物理和化学性质,尤其是稀土化合物的发先性能,但由于跃迁选择定则,单个稀土离子的发光性能比较弱,需要用其它生色团对稀土离子进行敏化,以增强其发光性能.在众多生色中,过渡金属作为生色团敏化稀土近红外发光有其独特的优点,本文对近年来国内外过渡金属敏化稀土近...     

环糊精与过渡金属配合物的包合物

环糊精及其衍生物不仅与简单客体分子包合，也与过渡金属配合物发生包合作用，其中环糊精衍生物与过渡金属配合物的包合作用，可通过环糊精修饰形成金属离子加冠环糊精主体分子，再与有机配体分子包合以及发生相互作用来实现。     

过渡金属配合物构型畸变探究

分析了八面体配合物和四面体配合物畸变的原因,给出了判断八面体配合物和四面体配合物畸变的一般方法:配合物是否发生畸变要看中心离子电子云是否对称分布,若对称分布,就具有规则的八面体或四面体构型,否则,将会发生变形.     

对ⅡA族金属碳酸盐热稳定性顺序的认识

对ⅡA族金属碳酸盐热稳定性顺序与晶格能大小顺序不一致的缘由,从结构和能量两个方面对ⅡA族金属碳酸盐的热稳定性进行了对比分析,诠释了MgCO3、CaCO3、SrCO3、BaCO3热稳定性递增的原因,以期有助于中学化学教学。     

过渡金属配合物的CFSE与电极电势之间关系的研究

应用晶体场理论 ,研究了配合物的结构与电极电势之间的关系     

基于过渡金属硫化物的存储器研究型创新实验设计

实验教学是高校人才培养的重要环节,如何将科研内容融入实验教学是培养学生创新素养的关键。在信息化时代,数据类型多样化及其容量的急剧增长对存储器的要求越来越高。基于过渡金属硫化物的存储器件因具有较好的存储能力和较高的集成密度成为存储器领域的研究热点。因此,该文设计了基于过渡金属硫化物WS₂存储器的研究型创新实验。采用机械剥离和干法转移制备了WS2场效应晶体管(FET),采用拉曼光谱对WS₂进行表征,利用氧等离子体处理SiO₂表面引入界面态来实现多位数据存储,并进一步对存储器的电学特性和存储性能进行了测试。该创新实验涵盖了材料表征、存储器件制备、电学和存储特性测试以及机理分析等过程,涉及半导体、材料学、微电子和集成电路多个学科领域,且能结合实际科研内容,可极大地提高学生的科研积极性,有利于培养学生的科研思维和创新能力。     

Graphene条带的热稳定性研究

采用分子动力学模拟方法研究了锯齿型和扶手型graphene条带的熔化性质,依据Lindemann指数曲线的变化趋势得出锯齿型和扶手型graphene条带的整体熔化温度分别为5000K～5500K和4500K～5000K,锯齿型graphene条带的热稳定性比扶手型graphene条带相对要好些。Graphene条带通常是不平整的,随着模拟温度的增加,graphene条带在边缘先出现C键的断裂并从边缘处开始熔化。