利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.     

强紫外发射ZnO薄膜的溅射方法制备及表征

采用直流反应溅射方法在N型Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的晶体结构采用X射线衍射技术来表征,测量结果表明制备的样品是沿c轴高度取向的六方纤锌矿结构的多晶薄膜.扫描电子显微镜测量显示薄膜的表面粗糙度较低,且ZnO与Si衬底的边界线清晰,结构致密.此外,利用室温光致发光谱研究了薄膜的光学性能,ZnO薄膜的室温光致发光谱(PL)只有位于377nm处的一个很强的紫外峰,这与材料内的激子复合有关.此外对薄膜进行了拉曼散射的研究,拉曼频移的计算结果表明溅射生长的薄膜中存在张应力(0.25Gpa).     

电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化影响浅析

通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和喇曼谱仪检测铝诱导非晶硅薄膜的场致固相晶化的情况,分析了电场方向对铝诱导非晶硅薄膜固相晶化的影响.     

NiSi／Si（001）声子模式对称性分析

通过极化拉曼对以Si（001）为衬底、生长方向为NiSi[200]//Si[001]NiSi薄膜材料的拉曼峰进行了声子模式的分组,确定实验得到的NiSi薄膜的六个拉曼峰分别属于三类声子模式．其中213cm^-1、295cm^-1和367cm^-1处拉曼峰属于Ag对称性;196cm^-1和254cm^-1处拉曼峰属于B3g对称性;401cm^-1。处拉曼峰属于B1g或B2g对称性．     

冲击加载下苯的拉曼光谱特性

基于一级轻气炮加载技术和激光拉曼光谱测试技术观察了冲击加载下苯的拉曼特性。发现在压力1.0-3.0GPa内苯的C-H伸缩振动峰(3061cm-1)的拉曼频移随压力增加而线性增加。证实了苯在动态冲击加载下拉曼光谱特征变化,且没有发生液-固相变。     

氧等离子体处理聚硅烷涂层制备二氧化硅薄膜

用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜 红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为 10 75cm-1,并随处理时间的延长峰位向高波数移动 ,可至 10 88cm-1 光电子能谱测得薄膜中的O1s和Si2p的电子结合能分别为 5 33 0ev和 10 3 8ev ,硅氧原子接近化学计量比 拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰     

共聚焦激光拉曼光谱技术鉴定三份激光打印机墨迹

使用共聚焦激光拉曼光谱仪对送检的三份激光打印机墨迹进行鉴定。在高倍显微镜下,发现各检材的细节特征有明显区别;使用785 nm波长激光光源,对各检材进行测定,发现不同检材的激光拉曼光谱图中拉曼峰型,峰个数及峰位移有明显区别。通过上述检测,可以得出鉴定结论。     

真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响

本文报道对用SiH_4辉光放电方法和溅射法制备的本征a—Si(非晶硅)薄膜样品,进行高真空退火的电导变化效应。     

溅射功率对掺镁氧化锌薄膜结构及厚度的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺镁氧化锌薄膜,利用SEM(扫描电镜)、XRD(X射线衍射)和椭偏仪等设备研究薄膜的表面形貌、成分、结构和厚度.结果表明,溅射功率没有对薄膜的生长方向产生较大影响,当溅射功率在40 W到100 W之间变化时,随着溅射功率的增大薄膜的结晶状况变好,晶粒尺寸变大,薄膜的厚度增加.     

衬底温度对Zn0.95Ca0.05O薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn0.95Ca0.05O薄膜,用X射线衍射(XRD)研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350-400 nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。     

激发频率对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

为制备高质量的纳米晶硅薄膜,采用等离子体化学气相沉积方法,以硅烷、高纯氢为源气体,氢稀释率保持在98％,衬底温度200℃,反应气压100 Pa,沉积时间60 min,在射频频率分别为13.56、54.24 MHz下合成了纳米晶硅薄膜.利用Raman光谱和X射线衍射技术分析了样品,结果表明,高激发频率可促进薄膜从非晶硅到纳米晶硅的转化,有利于提高薄膜的晶化率,且晶粒具有各种晶体取向,没有出现择优生长.当激发频率从13.56 MHz升高到54.24 MHz时,晶化率相应从9％提高到72％.     

薄膜测量的椭偏仪法

简述了椭偏法测量薄膜厚度的物理原理，分析了其系统误差。     

LaCaSrMnO3薄膜性能的实验研究

利用PLD方法,在倾斜LaAlO3单晶衬底上镀制了LaCaSrMnO3薄膜。对该薄膜进行了LITV信号测量,表明其LITV信号上升沿和脉冲宽度都比LCMO薄膜小,可以用来制作更快响应的光探测器件;对该薄膜进行了R—T关系测量,其金属-绝缘体转变点为313K。     

LaCaSrMnO_3薄膜性能的实验研究

利用PLD方法,在倾斜LaAIO,单晶衬底上镀制了'LaCaSrMnO3薄膜.对该薄膜进行了LITV信号测量,表明其LITV信号上升沿和脉冲宽度都比LCMO薄膜小,可以用来制作更快响应的光探测器件;对该薄膜进行了R-T关系测量,其金属-绝缘体转变点为313K.     

纳米二氧化锡薄膜的AFM研究

以SnCl4.5H2O作为反应前驱物,采用溶胶-凝胶法制备了纳米SnO2薄膜,对薄膜烧结的温度及时间等工艺进行了研究,得到了最佳的烧结条件,采用X射线衍射仪（XRD）及原子力显微镜（AFM）对薄膜进行了结构形貌表征。结果表明,当烧结温度为450℃时,纳米SnO2薄膜为金红石型结构,表面形貌最佳,平均颗粒约为39-45nm。     

Er掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

采用溶胶凝胶工艺,分别在普通载玻片和Si片上生长了不同浓度的Er掺杂ZnO薄膜,稀土Er3＋与Zn2＋的摩尔比分别为1%、2%、3%,所得薄膜采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计（UVS）、光致荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌和发光进行表征.结果表明掺杂后的样品仍为六角纤锌矿结构,随着掺杂浓度提高,掺杂样品的XRD衍射峰向大角方向微移,透射边向短波方向微移,紫外发光峰的强度逐渐增强,表面均呈颗粒状且尺寸逐渐减小.     

不同浓度La掺杂ZnO薄膜光学特性的研究

用凝胶溶胶（sol—gel）法在普通截玻片和si上生长了稀土La掺杂ZnO薄膜,稀土La^3＋离子和Zn^2＋浓度摩尔比分别为1％,2％,3％．通过X射线衍射仪（XRD）、紫外可见分光光度计（UVS）、原子力显微镜（AFM）、光致发光（PL）等对薄膜的结构、光学特性、形貌进行表征,结果显示不同浓度La掺杂的ZnO薄膜均为六角纤锌矿结构,薄膜表面颗粒均匀平整,随着掺杂浓度的提高,La掺杂ZnO薄膜的紫外发光峰出现蓝移现象．     

NiTi薄膜残余应力测试方法的探讨

介绍了适用薄膜残余应力测量的弯曲法和X射线掠射法,重点介绍了一种新型测量薄膜残余应力的方法—纳米压痕法,并采用非球形压头纳米压痕法测量了NiTi薄膜的残余应力,对薄膜残余应力的测量进行了有益的探讨和尝试,结果表明纳米压痕技术可作为定性测量薄膜残余应力的有效手段。     

高介电HfOxNy薄膜的表面形貌及光学特性研究

采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜．利用原子力显微镜,研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响,结果表明,N的掺杂改善了HfO2薄膜的表面形貌,同时抑制了高温退火过程中表面粗糙度的增加;通过椭圆偏振仪对薄膜的光学特性的研究表明,随退火温度的升高,薄膜的折射率和消光系数都呈上升趋势．