衬底温度对Zn095Ca005O薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn095Ca005O薄膜,用X射线衍射（XRD）研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350－400nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。     

衬底温度对Zn0.95Ca0.05O薄膜结构和光学性质的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn0.95Ca0.05O薄膜,用X射线衍射(XRD)研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350-400 nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。     

掺铝氧化锌薄膜的湿化学腐蚀特性研究

利用射频磁控溅射制备AZO薄膜,然后在常温下0.1%的盐酸水溶液中对薄膜进行化学腐蚀,系统研究了腐蚀时间长短对薄膜的表面形貌和光电学性质的影响。结果表明,薄膜表面的粗糙度和方块电阻随腐蚀时间的增加而增大;薄膜的光学透射率和反射率均随腐蚀时间的增加而减小。     

反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。     

玻璃基片上钽薄膜屈曲结构的边界效应研究

利用直流磁控溅射方法在玻璃基片上沉积了金属钽薄膜,研究了边界效应对薄膜屈曲结构的影响.结果表明:制备态的钽薄膜包含较大的残余压应力,促使薄膜与基片脱层而形成屈曲结构;屈曲结构在薄膜边界处成核生长,并逐渐扩展到薄膜内部区域;在薄膜边界处,屈曲结构呈垂直边界的平行直线状条纹结构,随着距离的增加,屈曲结构逐渐分叉形成无规网格结构或电话线结构.利用薄膜的单轴应力和等双轴应力模型,对屈曲结构边界处的形貌特征进行了深入分析.     

PEG/Li^+导电聚合物的表征与导电性研究

实验采用不同分子量的聚乙二醇与锂盐来制备复合电解质薄膜,通过偏光显微镜,差示扫描量热仪对薄膜样品进行分析和表征,研究了不同分子量的聚乙二醇和锂盐浓度对电解质薄膜导电性的影响,结果表明,PEG/Li^+离子导电薄膜中存在球状结晶现象,复合电解质薄膜导电性能与分子量和结晶度均有关。     

射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜的拉曼光谱分析

采用射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜，并应用显微拉曼光谱和电子显微镜对薄膜进行微区光分析．通过拉曼光谱研究，一方面有力地揭示出TiO2薄膜的晶体结构，另一方面对薄膜的生长方式提供了线索．薄膜聚集点和平常点上有统一的相结构，电子显微镜观察结果显示薄膜致密均匀．     

硬质薄膜研究综述

论述了硬质薄膜的发展历史,分析了近年来硬质薄膜的发展现状;叙述了合成硬质薄膜的几种方法,并对各种方法的优缺点进行了对比分析。指出类金刚石薄膜、纳米复合硬质薄膜等依然是今后一段时期的研究热点。     

氮化物硬质薄膜残余应力的研究进展

文章讨论了几种薄膜残余应力测试方法的优缺点,介绍了氮化物薄膜应力沿层深分布趋势的最新研究,偏压和N2分压工艺对薄膜应力的影响及几种调节薄膜残余应力的有效方法．脉冲偏压增大,薄膜残余应力显著增加：N2分压增大,薄膜残余应力显著增加．采用独立变化脉冲偏压或变化N2分压工艺制备的薄膜,其残余应力沿层深分布趋势明显均匀,薄膜残余应力可得到有效调整．     

常压MOCVD法制备TiO_2薄膜及性质研究

利用常压MOCVD法在Si及Al2O3衬底上制备了TiO2薄膜.研究了沉积温度和退火温度对TiO2薄膜结构和形貌的影响,以及TiO2薄膜的光学性质.研究发现,沉积温度为600℃时,制备的TiO2薄膜结构为锐钛矿相,薄膜质量较高.TiO2薄膜在1 090℃高温退火后,薄膜结构完全转变为金红相.TiO2薄膜在可见区域有着高达90%以上透射率,在紫外区域有着强烈的吸收.     

射频溅射GaxIn1-xAs薄膜的外延生长及其物理性能研究

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　Ｔｈｅｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｗｅｌｌｓｕｉｔｓｔｈｅｇｒｏｗｔｈｏｆｃｏｍｐｏｕｎｄｓａｎｄａｌｌｏｙｓ ,ｗｈｏｓｅｅｌｅｍｅｎｔａｌｃｏｎｓｔｉｔｕｅｎｔｓｈａｖｅｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙｄｉｆｆｅｒｅｎｔｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔｓａｎｄｖａｐｏｒｐｒｅｓｓｕｒｅｓ.ＡｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｍｏｕｎｔｏｆｗｏｒｋｓａｂｏｕｔｒｆｓｐｕｔｔｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆｂｉｎａｒｙⅢ Ⅴｃｏｍｐｏｕｎｄｆｉｌｍｓｈａｓｂｅｅｎｐｕｂｌｉｓｈｅｄ[1～…     

Epitaxial growth of Ga x In1−x As film by RF sputtering and physical properties of the films

Single crystal Ga _x In_1−x As films have grown up on GaAs(100) substrate at 375°C and on InP(100) substrate at 390°C, respectively, by the method of rf-sputtering with using undoped GalnAs polycrystal as target. However, on Si(100) or Si(111) substrates at 260–390°C, even at 465°C, only polycrystalline films were obtained. In addition, the structure, composition, electrical characteristic and optical properties of the Ga _x In_1−x As films were investigated using X-ray diffraction (XRD), reflection of high energy electron diffraction (RHEED), energy dispersion analyzer of X-ray (EDAX), Hall measurements and spectroscopic ellipsometry.     

An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition system and Si, GeSi epitaxy on a three-inch Si wafer

An ultrahigh vacuum chemical vapor deposition (UHV/CVD) system with reflection high energy electron diffraction (RHEED) was introduced. The Si epilayers and SiGe strained-layers on three-inch Si (100) substrates were grown in this UHV/CVD system. The substrate temperature during growth was from 550°C to 780°C. The properties of epilayers were characterized by high-resolution cross-sectional transmission electron microscopy (TEM), double crystal X-ray diffraction (DCXRD), and spreading resistance (SPR). A B-doped SiGe epilayer with uniform resistivity distribution was grown. Project supported by NSFC and Science Commission Program of Zhejiang Province of China.     

"离经"与"叛道":20世纪80年代日本的青春电影

作为日本电影史的显在现象，青春电影的流变一直贯穿着整个日本电影的发展，尤其在20世纪80年代，由于经济的高速发展与整个传统文明了出现了社会语境的剧烈冲突，传统文明与经济发展的分裂立即被敏感的艺术家所捕获，他们纷纷以此为题材开始大量的影像创作，出现了青春电影的创作高峰。本文从青春电影的生成、电影文本主旨的传示和典范性文本的影像风格反观80年代的青春电影，为青春电影勾列出明晰的样式特征。     

LaCaSrMnO_3薄膜性能的实验研究

利用PLD方法,在倾斜LaAIO,单晶衬底上镀制了'LaCaSrMnO3薄膜.对该薄膜进行了LITV信号测量,表明其LITV信号上升沿和脉冲宽度都比LCMO薄膜小,可以用来制作更快响应的光探测器件;对该薄膜进行了R-T关系测量,其金属-绝缘体转变点为313K.     

LaCaSrMnO3薄膜性能的实验研究

利用PLD方法,在倾斜LaAlO3单晶衬底上镀制了LaCaSrMnO3薄膜。对该薄膜进行了LITV信号测量,表明其LITV信号上升沿和脉冲宽度都比LCMO薄膜小,可以用来制作更快响应的光探测器件;对该薄膜进行了R—T关系测量,其金属-绝缘体转变点为313K。     

LB膜技术的应用综述

LB膜技术是一种制备分子高度有序排列的超薄膜的先进技术。本文对LB膜技术的应用进行了综述,主要讨论了目前LB膜技术在生物膜仿生模拟、超薄膜制备、光学及传感器等方面的应用研究进展。     

英语电影欣赏课的学习策略和基本教学方法

英文电影资料是鲜活的语言材料,同时反映英美国家的文化,该课程的学习对于提高学生学习兴趣,促进听力口语学习具有重要意义.作者根据英语专业本科二年级的教学需要,通过分析收集的材料分析了该课程的学习策略,并简要介绍了教学安排和一些教学方法,提出了教学中的一些问题.     

氧空位对Fe掺杂ZnO的铁磁性的影响

利用反应磁控溅射法在S i基地生长Zn1-xFexO(x=0.04,0.06,0.08,0.10,0.12)薄膜.X射线衍射结果表明所有样品都具有纤锌矿结构,且C轴择优取向.X射线光电子能谱显示薄膜中的Fe离子为 2价态.磁力显微镜结果表明薄膜具有明显的磁畴花样.磁性测量表明所有在真空下退火的样品都具有室温铁磁性而空气下退火样品具有顺磁性.薄膜中的铁磁性与氧空位有关.     

Mn掺杂对铁酸铋薄膜漏电流和铁电性能的影响

采用溶胶凝胶的化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了不同浓度(0,0.05,0.1 at.%)的Mn掺杂铁酸铋薄膜.薄膜晶体结构的X射线衍射结果显示不同浓度掺杂的薄膜平均晶粒尺寸相差并不大,而薄膜的漏电流分析则表明5%Mn掺杂的铁酸铋薄膜比未掺杂和10%Mn掺杂的薄膜漏电流要小.此外,通过薄膜的铁电性能测试发现5%Mn掺杂的铁酸铋薄膜比未掺杂和10%Mn掺杂的薄膜的铁电性能也要好.根据缺陷化学理论,由氧空位的电荷补偿引起的Fe离子和Mn离子价态变化是产生这一结果的主要原因.