概率流密度矢量是方形势垒穿透中之守恒量

本文证明 ,在一维方形势垒贯穿中 ,概率流密度矢量 J→ =Jex→ 是一个守恒量。     

概率流密度矢量J是方形势垒穿透中之守恒量

本证明，在一维方形势垒贯穿中，概率流密度矢量^→J=J^→ex是一个守恒量。     

概率流密度矢量(J→)是方形势垒穿透中之守恒量

本文证明,在一维方形势垒贯穿中,概率流密度矢量J=Jex是一个守恒量.     

球型量子点结构中电子的共振隧穿

在有效质量近似和绝热近似的框架下,应用传递矩阵理论研究了球型量子点中电子的共振隧穿.结果表明:同一球型量子点中有效势垒宽度的增大使共振峰加宽,峰谷比减小;共振峰的位置由束缚能级决定,球型量子点半径越小,束缚能级越高,对应小尺寸的球型量子点要在较高能量处发生共振隧穿.这些可以为设计和制造更加优化的共振隧穿器件提供一定的理论指导.     

纳米MOS器件栅氧化层电子直接隧穿——量子力学教学中的“生长点”

针对量子力学势垒隧穿教学难点,通过对MOS结构栅氧化层电子直接隧穿的真实模型的讨论,使量子力学从抽象走向实际,教学更生动又易于理解,同时使学生开拓眼界、活跃思维,学到运用基础理论指导科学研究的方法。     

电子-空穴对在势垒隧穿中的纠缠特性分析

分析了电子隧穿简单势垒所产生的电子-空穴对的纠缠特性.基于能级配置的差异,协力纠缠度随势垒高度的变化呈规律性的变化特征.     

双轴对称Fe8铁磁颗粒基态的量子隧穿

将双轴对称Fe8铁磁颗粒在难轴方向加磁场的隧穿问题,用等效势方法化简为常质量的粒子在等效势阱中运动的粒子,然后利用周期瞬子方法计算基态能级劈裂.结果表明随外场的增大,能级分裂作周期性变化.     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导。通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小。     

反对称双磁垒纳米结构中电子的输运性质

研究了电子通过反对称双磁垒纳米结构的输运性质,计算了电子的透射几率和电导.通过与对称的双磁垒比较,反对称双磁垒纳米结构具有更强的波矢滤波的性质,但是透射几率和电导都大大地减小.     

驱动三阱系统中双原子的隧穿动力学

文章研究了驱动三阱系统中双原子的隧穿动力学。在高频近似下基于Floquet理论我们解析得到了共振情况下系统的准能量及Floquet态,并分析了Floquet态描述下原子处于各Fock的几率与外场驱动参数的关系,发现零准能量对应的Floquet态在一定的驱动参数下完全局域于单个Fock态,其相应参数下系统的时间演化展示了原子隧穿的相干破坏效应。     

河南省健身气功在广场体育中的发展潜力研究

随着河南省全民健身气功的深入推广,人民的健康意识与活动意识迅速增强．广场体育作为健身气功的重要阵营,直接关系到全民健身的效果,因此,本文旨在探寻河南省体育广场健身气功的参与现状,并进行分析研究,针对存在的问题提出了相应的对策办法,探讨健身气功在广场体育发展的新思路,为推动促进健身气功的发展提供有益的建议,以此促进河南省全民健身计划的推广与实施。     

集两类奇妙特性于一身的幻方

给出构造任意16k(k∈N+)阶集Franklin半幻方和完美幻方所有特性于一身的幻方的造法及其严格证明.     

用程序实现自然方阵构造奇数阶全对角线幻方

用C—程序实现自然方阵的构造，并利用自然方阵构造奇数阶n≥5，(n，3)=1的全对角线幻方．     

Switching Characteristics and Analysis of Resonant Tunneling Diodes

Resonant tunneling diode （RTD） of AlAs/InGaAs/AlAs double barrier-single well structure was designed and fabricated. The devices showed current-voltage characteristics with peak-valley current ratio of 4 ： 1 at room temperature. The scattering parameter of RTD was measured by using an HP8510（C） network analyzer. Equivalent circuit parameters were obtained by curve fitting and optimized. The RTD switching time was estimated using the measured capacitance and average negative differential resistance. The minimum rise time of the sample was estimated to be 21 ps.     

超F幻方的奇妙特性

揭示了超F幻方的更多的奇妙特性并给出了严格的证明。     

石墨烯微电子材料潜在应用研究

在硅电子材料即将发展到顶峰时,石墨烯以其优良的导体和半导体性质将成为延续硅材料的主流微电子材料;详述了石墨烯的结构与电学性质,从而说明其作为微电子材料的优势,并列举了在微电子器件构建中已经取得的成果及构建器件的方法,简述了相应石墨烯的制备方法.     

正方介质柱二维光子晶体传输特性FDTD数值研究

把时域有限差分方法用于二维正方介质柱组成光子晶体传输函数理论研究,计算了若干情况下二维光子晶体的透射率即光传输函数随频率的变化。计算结果表明:对于一定的入射方向,某些频率的光不能在光子晶体中传播即出现所谓的禁带,禁带的宽度、频率范围与晶格结构、柱体截面大小及放置方位有关。     

用程序设计实现全对角线幻方的构造

本文用C-程序实现行等和矩阵的构造,并利用行等和矩阵构造阶数为n(n≠4t 2,12t)的全对角线幻方.