宽频介电谱仪测量误差分析

宽频介电谱仪综合了中低频段集总参数回路测量技术与中高频段分布式参数回路测量技术,使得该仪器在测量材料的介电性能中不仅测试频率范围可达10-6～109Hz,同时获得很高的测量精度。加上该仪器具有的精确温度控制技术,使得介质样品温度测量范围可达-160～400°C。分析了宽频介电谱仪的测量误差以及引起误差的原因,包括由于仪器系统本身尤其是样品架与两电极系统的残余阻抗、被测样品的形状尤其是厚度的影响、介质样品与电极接触性能好坏、被测样品所处的环境(即温度、湿度、电磁屏蔽)等各种因素,使得仪器在使用过程中存在着一定的测量误差,而且上述因素还决定着仪器的测量精度下限。     

层状过渡金属化合物CaMn_2Bi_2的物理性质研究

利用Bi作为助熔剂制备出了层状过渡金属化合物CaMn_2Bi_2单晶样品,通过X射线衍射、能谱分析系统、综合物性测量系统等测试设备对该单晶样品的晶体结构、化学成分、电学和磁学性质进行了测量和表征.结果表明:CaMn_2Bi_2是一个层状过渡金属化合物,具有三角晶系Ca Al_2Si_2型的晶体结构,Mn2+排列成三角格子层.磁化率在150 K表现出反铁磁行为,但是在反铁磁转变温度以上磁化率不满足Curie-Weiss行为表现出鼓包行为,说明在反铁磁转变温度以上系统中存在着很强的反铁磁关联.电阻率从300 K开始随温度降低而降低,表现出金属线性行为;在150 K附近随温度降低而急剧地降低,这与发生反铁磁转变是相关的;直到70 K附近电阻率降到最低,随后在低温下随温度降低而升高,表现出半导体行为.     

热电法测定固体比热容实验装置

研制了一种用热电法测定固体比热容的实验装置。该装置以单片机为主控器,利用帕尔帖片使样品成为孤立系统,自动记录温差电动势、样品温度和时间,消除了人工记录的误差,增加实验的准确性,测得结果的重复性好。除了能测量固体比热容,还可用于测量热交换率、热转换效率等参数。     

用光学吸收方法测定Rb基态原子密度

在气体样品池条件下,用调频半导体激光器激发Rb原子至Rb（sPj）态,通过测量样品池前后光强比,得到不同温度下样品的吸收系数。对于Rb（5S1/2→5Pj）的跃迁,可获得g2／g1值和5Pj的寿命值（我们取j=1／2,即用D1线794nm计算）,从而得出不同温度下样品的基态原子密度．实验结果表明：基态原子的密度N随着温度的升高而增大．通过与其它实验结果进行比较,得出在低温下的数据比较准确,可见利用光学吸收方法测量低激发态原子密度较为理想．     

反应磁控溅射Cu2 O薄膜的结构和电学性质

用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.     

钛掺杂对La0．7Ca0．3Mn1-xTixO3体系电阻的影响

该文通过对La0.7Ca0.3Mn1-xTiO3（X=0-0．15）样品在77K～300K温度范围内电阻的测量,研究了Ti掺杂后样品电阻随温度的变化规律．研究结果表明：在未引入钛杂质时,铁磁相的电阻率遵守T4,5关系,随着钛离子的引入,电子-电子、电子-磁振子以及电子-声子耦合变得更复杂,不能用单一模型来解释．     

经高效熔体处理的易拉罐用铝材的高温流变应力行为

采用动态热模拟试验技术探讨了经高效熔体综合处理和均匀化退火后的易拉罐用铝材在高温压缩变形过程中，变形温度和应变速率对其稳态流变应力行为的影响规律。结果表明，该材料在高温变形时的稳态流变应力与应变速率、变形温度均满足Arrhenius方程，其中更满足双曲正弦函数关系；该材料的热变形是受热激活控制的塑性变形过程。     

关于载流子迁移率测量实验的教学改进研究

霍尔效应法不能有效的测量低迁移率薄膜样品的迁移率特性,因而有必要对载流子迁移率测量实验的教学进行一定的改进。本文介绍的传输波测量法是利用半导体与固体声表面波的互作用来研究半导体中载流子的输运过程,通过测量声电流和耦合到样品中的声功率得到载流子的迁移率。     

载流子热迁移对多量子阱发光性质的影响

采用多量子阱载流子动力学模型,研究载流子热迁移对多量子阱发光性质的影响。随着温度的升高,多量子阱中的载流子被热激发到势垒层中,一部分载流子会被基态能量更低的量子阱再俘获,即载流子在不同的量子阱之间发生了热迁移。研究表明:在不同温度下,量子阱发光强度比依赖于量子阱的激活能;发光强度比的峰值温度主要由深量子阱的激活能决定;峰值大小则取决于两阱的激活能之差。     

热电偶传感器的温度测试

热电偶温度传感器是将被测温度转化为毫伏(mv)级热电动势信号输出.通过连接导线与显示仪表相连接组成测温系统,实现温度自动测量、显示或记录、报警及控制.     

Positive temperature coefficient of resistivity effects of semiconducting (Bi1/2Na1/2) TiO3-CaTiO3-BaTiO3 ceramics sintered in air atmosphere

Y3+-doped (Bi1/2Na1/2)TiO3-CaTiO3-BaTiO3 (BNCBT) positive temperature coefficient of resistivity (PTCR) ceramics sintered in air atmosphere were investigated in this study. (Bi1/2Na1/2) TiO3 (BNT) component can remarkably increase the onset temperature Tc of PTCR ceramics with the expensive of the resistivity R25 increase. CaTiO3 (9-27 mol%) component can decrease the resistivity, and adjust the effects of BNT phase on the Tc point. For the sample containing 3 mol% CaTiO3, the Tc raises from 122° to 153° when only 0.6 mol% BNT added, while for the ones with higher CaTiO3 content (9-27 mol%), Tc is only increased by a rate of 8-9°/1.0 mol% BNT. The effects of BNT and CaTiO3 components on Rmln (negative temperature coefficient effect) are also discussed.     

万能电子拉伸试验机简易改造及其应用

通过万能电子拉力机与电阻测试仪的结合,获得能测试材料在外力作用下的形变、电性能变化的压力-电阻测试系统。扩展了万能电子拉力试验机的应用范围,提高了材料压力-电阻关系测试精度和科学性。     

Zr-W阴极电阻率随温度变化的实验研究

给出了温度在300K到2500K范围内,Zr-W阴极电阻率随温度变化的实验曲线,得到了Zr-W阴极电阻率随温度变化的经验公式,对实际工作具有一定的指导意义。     

对磁动式测氧仪温度响应的实验研究

对磁动式测氧仪温度响应特性的研究是确定温度补偿方案的依据,也是提高仪器精度的重要环节。文章从仪器的结构分析温度对测量数据的影响;利用升降温实验的方法,研究读数随温度变化的规律和测量误差;提出寻找合适的测温点、对仪器的测温头进行保温、使用不锈钢底板、加橡胶垫等措施。实验数据表明,采用这些措施改进后,仪器温度响应性能有了明显的改善。     

电烘箱温度监控系统设计

结合实验室现有设备,应用分散控制工程设计方法和软件设计方法开发了一套实用小型温度监控系统。该系统包括硬件及软件两大部分,硬件系统由计算机、智能仪表以及电烘箱组成,软件系统采用VisualBasic可视化编程语言编写控制程序,系统上层由计算机控制,下层由智能仪表控制。该系统实现了对温度的采集及温度曲线控制,并对采集数据进行实时、直观的显示,储存并打印各种数据、表格和曲线。最后对温度控制精度及影响因素进行了分析。     

Bi2212单晶中Pb和Y的掺杂效应

采用自助溶剂固态反应法制备出Bi2212及其Ijb和Y掺杂单晶。X射线衍射图表明,除001峰外,没有杂相峰;其晶体结构参数计算表明,随着Pb和Y掺杂量的增加,晶体c-轴常数减小。c-轴方向的电阻-温度曲线则显示其超导转变温度为90K左右。     

红外传感器的温度漂移和非线性补偿技术研究

红外线列车轴温监测系统是目前铁路采用的一种列车运行安全动态监测装置,其中红外轴温探测器是其关键部件.针对红外探测器进行研究,详细讨论了红外轴温监测系统中存在的温度漂移和非线性问题,探讨了解决温度漂移和进行线性化补偿的各种方法和措施,并选择了合适的方案对热敏电阻红外传感器轴温监测装置进行温漂补偿和线性化补偿,建立了用于轴温测量的软件系统和硬件系统.     

陶瓷靶材的制备及性能表征

以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性Al:ZnO(AZO)陶瓷靶材,并系统研究了不同的成型压力、烧结工艺及其烧结温度对靶材电学特性和密度的影响。结果表明:成型压力的大小对于ZAO靶材本身的密度、成品率及最后烧结的性能都有很大的影响。成型压力为14Mpa时,靶材的电阻率最小,为0.35Ωcm。烧结温度的选择也是制备靶材的关键,为了避免靶材出现断层、上表面壳曲、微裂纹甚至开裂现象,要采用缓慢升温,长时间保温与缓慢降温的方法。实验表明,在1250℃时,AZO靶材表面平整致密,基本上达到了陶瓷靶材的烧结终点。     

磁场对NiMnGa单晶预相变温度的影响

利用应变测量研究了外加恒定磁场对NiMnGa单晶预相变温度的影响,发现外加磁场使预相变温度向低温方向漂移,而且预相变温度漂移的程度与外加磁场的方向有关.依据前人的模型和我们的电子显微镜观察,目前的结果证实预相变过程中存在较强的磁弹相互作用;当外加磁场分别沿晶体的[001]和[010]两个等价的晶轴方向时,在[010]方向上导致的磁弹相互作用更强.     

反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。