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本体异质结有机太阳能电池性能影响因素 总被引:1,自引:0,他引:1
基于电子给体/受体共混体系制备的本体异质结有机太阳能电池是一种低能耗、高效率的有机光伏器件,是目前国内外研究的热点之一。作为器件的核心部分,光电转化共混活性层的质量优劣会直接影响电池的光电转换效率。文章以P3HT:PCBM共混体系为基础探讨影响本体异质结有机太阳能电池性能的因素。研究发现,给/受体材料的共混比例、有机溶剂的沸点、活性层厚度以及器件的热退火处理等因素都可直接影响到太阳能电池的性能。 相似文献
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随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献
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中国科学院物理研究所韩秀峰研究员带领的“自旋电子学材料、物理和器件”M02课题组,目前主要方向聚焦在巨磁电阻(GMR)和隧穿磁电阻(TMR)材料.物理及其器件原理的研究。该组自2002年成立以来,在国家基金委、科技部973项目、中科院知识创新工程等相关项目课题的资助下.逐步建立了巨磁电阻和隧穿磁电阻材料的制备和微加工实验平台.在磁性隧道结材料和隧穿磁电阻效应、巨磁电阻材料、 相似文献
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本文提出了一种具有电荷补偿层的SiCGe/SiC的光控晶体管,主要利用SiCGe与SiC构成异质结来克服SiC材料对大部分可见光和全部红外光的不敏感性。结构上,在传统的npn晶体管底部加了一层P型电荷补偿层,在横向和纵向电场的相互作用下,来改善器件的性能。 相似文献
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陈超 《内蒙古科技与经济》2016,(5):83-85
采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85%,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的异质结器件,表现出明显的整流特性;探讨了Zn(O,S)薄膜厚度对器件I-V特性曲线的影响,当Zn(O,S)薄膜厚度为100nm时,器件具有光响应。 相似文献
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一维纳米材料(碳纳米管、纳米线、氧化物纳米带)作为研制纳电子器件理想的材料具有重要的科学意义和应用前景。本工作主要集中在氧化物纳米带、碳纳米管的功能化及其和纳米器件性质研究。 相似文献
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半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。它是以具有各种人工剪裁能带结构的半导体低维电子系统(二维、一维和零维)为其主要研究对象,涉及半导体物理、材料和器件的综合性研究领域。“半导体超晶格微结构”的研究属国家自然科学基金委员会重大基金项目,它以探索、开发新一代固态电子、光电子器件作为研究工作的着眼点,以生长超薄、陡变和大面积均匀的超晶格、多层异质结等低维量子结构的分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等超薄层材料生长手段为技术基础,着重开展半导体超晶格低维系统与普通三维固体不同的新物理现象和效应及其潜在的应用前景方面的基础研究,研究和探索新一代超晶格量子器件的新原理、新模式和新结构。本项目的总体设想是要在全国范围内组织起具有国内第一流水平,国际先进水平的,对半导体超晶格量子阱材料、物理和器件进行综合性基础研究的科研实体,经过“七五”和“八五”期间的工作,应当将我国在该领域内的基础研究整体水平推进到国际先进行列,并且在某些专题研究方面应当做出具有特色的,国际领先的研究成果。 相似文献
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为了实现将SiC基光电探测器探测光信号的波长范围转至可见光至近红外波长范围内,使其能够用于光通信领域,或是作为光电转换器件使用在大功率光控器件中。本文设计了Si/4H-SiC异质结光电晶体管,通过silvaco软件模拟讨论了异质结光电晶体管的结构以及进行了特性分析。实现了将SiC基光电探测器的探测波长范围转置可见光范围内。 相似文献
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为了实现将SiC基光电探测器探测光信号的波长范围转至可见光至近红外波长范围内,使其能够用于光通信领域,或是作为光电转换器件使用在大功率光控器件中。本文设计了Si/4H-SiC异质结光电晶体管,通过silvaco软件模拟讨论了异质结光电晶体管的结构以及进行了特性分析。实现了将SiC基光电探测器的探测波长范围转置可见光范围内。 相似文献
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专家档案:成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 相似文献
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《中国科学院院刊》2009,(4):439-439
物理所/北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组,与微加工实验室的顾长志研究组合作,设计并制备了一种新型n-ZnO/i—MgO/p—Si双异质结p—i-n可见肓紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性,在±2V时的整流比达到10^4以上。研究发现ZnO/Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应,器件只对高于ZnO带隙(380nm)的紫外光响应,因而具有可见肓紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比,该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能,紫外光响应强。并可直接在可见光背景下工作,不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应,因而具有结构简单、性能优越等优点。 相似文献