高压下硫化钙的电子结构与光学性质

根据密度泛函理论,采用平面波赝势和广义梯度方法,对硫化钙晶体在0～ 200GPa压强范围内的电子结构与光学性质进行了第一性原理计算.得到零温零压下的原胞晶格常数a=4.029A,带隙为2.390eV;随着压强的增加,能带展宽、带隙逐渐减小到零,吸收光谱与反射光谱的峰值向高能量方向移动,即出现蓝移现象;150GPa为硫化钙晶体从半导体变为导体的临界压强.     

立方氮化铝在一定压强下的电子结构与热力学性质

运用超软赝势平面波第一性原理方法,对立方 AlN 晶体在 0-30GPa 的不同压强下进行了结构几何优化,得到平衡晶格参数;在优化结构的基础上计算了电子结构、弹性常数、体弹模量与德拜温度;结果表明立方氮化铝晶体为间接宽带隙半导体,随着压强的增加,晶格参量减小,弹性常数、体弹模量与德拜温度增加,带隙先增大后减小,在 7GPa 时带隙为 5.117eV,达到最大值．     

钠锰氧化物高压相变的理论预测

运用密度泛函(DFT)平面波赝势方法(PWP),计算了钠锰氧化物三种物相的状态方程及其电子结构.研究结果表明:利用状态方程得到的钠锰氧化物从尖晶石型结构的SP相转变为CF相和CT相的相变压强分别为4.94 Gpa和20.48 GPa,CF相与实验值误差仅为+0.44 Gpa.进一步对CT相钠锰氧化物的能带结构和态密度的分析表明钠锰氧化物CT相是一种带隙为2.15 eV的窄禁带半导体材料.靠近费米能级附近的Mn-3d电子轨道和O-2p电子轨道的强烈杂化决定了材料的电子性质.     

硅化镁的电子结构与热力学性质

利用密度泛函理论的赝势平面波方法对 Mg2Si 晶体的结构进行了几何优化,在优化的基础上对电子结构、弹性常数与热力学性质进行了第一性原理计算．结果得到 Mg2Si 是一种带隙为 0.2846eV 的间接带隙半导体;其导带主要以 Mg 的 3p、3s 与Si 的 3p 态电子构成;弹性常量 C11= 114.39GPa、C12= 22.45GPa、C44= 42.78GPa;零温度与零压下的德拜温度为 676.4K．运用线性响应方法确定了声子色散关系,得到 Mg2Si 的等容热容、德拜温度、焓、自由能、熵等热力学函数随温度变化的关系．     

高温下钼的弹性和热力学性质第一性原理计算

通常晶体熔化时弹性常数C44和(C11-C12)/2就将消失,由此提出晶体熔化的力学判据.本文采用第一性原理研究了高温下钼的弹性性质,并且得出结论:在计算温度范围内钼没有熔化并且弹性常数C11、C12、C44随着温度的升高逐渐减小.最后采用准谐德拜模型方法对钼的热力学性质进行了研究,得出了比较好的结论.     

GaN基材料的特性及应用

GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点，在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。     

ZnS半导体高压结构相变和弹性性质的理论研究

基于第一性原理平面波赝势密度泛函方法,研究了ZnS的高压结构相变和弹性性质.计算结果表明,在零温下ZnS从B3结构到B1结构的相变压强为17.04 GPa,这与实验值和其他的理论计算结果符合得很好.     

分子斥力对气体性质的影响

通过分析范德瓦尔斯方程的体积修正项在几个典型实验中所起的作用，讨论分子斥力对实际气体性质的影响。     

多孔GaN纳米晶须的气固机制合成及光致发光性质

采用纯的传统的GaN粉，用物理气相沉积的方法，在1200℃务件下，在一个传统的管式炉中制得了大量的多孔GaN纳米晶须。这些宏量的纳米晶须通过X射线衍射仪(XRC)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)、X射线能量损失谱仪(ECX)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构。结果显示这些纳米晶须的形貌为多孔形，单根晶体的直径为30～100nm、长度达到微米级，宏、微观结构均为六方单晶型结构。多孔GaN纳米晶须的光致发光性质也进行了测定，发现这些多孔纳米晶须在296nm处有一个强的锐形的发光峰。我们用量子限域效应解释了其光学性质，这是对多孔GaN纳米器材在紫外光和大功率激光二极管应用的扩展。     

行政协议性质理论梳理及争议探究

行政协议是应对社会发展、科技进步衍生的公私主体合作而产生的一种新型行政管理方式。行政协议性质确定是行政协议研究中的基础性、前提性问题。对当前关于行政协议性质的学说进行总结和思辨,以及结合行政协议发展趋势,将行政协议定性为一种新型的、独立的行政方式更为适当,也更有利于行政协议理论和法律制度的进一步研究。     

高温高压下正交MgSiO3晶体的热力学性质

使用第一性原理方法研究了MgSiO3正交结构的晶格常数和弹性性质,并结合Debye-Grüneisen模型研究了压力从0到150GPa,温度从0到900K,MgSiO3正交结构的热力学性质,包括常压下晶胞体积V、定压热容CP、定体热容CV、熵S、德拜温度Θ、Grüneisen参数和体弹模量B随温度的变化以及不同压强下CP、CV、S、Θ、体膨胀系数α和Grüneisen参数与温度的关系.常压下计算的热容CP随温度的变化与实验数据符合很好.     

高压下CaF2晶体的弹性常量与德拜温度

利用第一性原理超软赝势平面波的方法,对氟化钙晶体在0～300GPa范围内进行了几何优化,计算了弹性常量、体弹性模量和德拜温度.发现随着压强的增大,晶格参数减小,原胞体积减小,体弹性模量增大,德拜温度先升高后降低.     

材料高压下相变的可逆转性研究

利用分子动力学模拟结果研究了ＳｉＯ２、ＧｅＯ２和α－ＡｌＰＯ４系统高压下相变的可逆转性问题,ＳｉＯ２和ＧｅＯ２系统高压下的相变非常数似,仅稍有差别。ＳｉＯ２和ＧｅＯ２系统高压下形成的新相,作压力后在常压下仍可稳定存在。α－ＡｌＰＯ４系统高压下的相变不同于ＳｉＯ２和ＧｅＯ２系统,其高压下的新相在常压下又回复到原来结构分析模拟数据,找到了存在差别的七个方面,即压缩性、配位数、键长、亚稳态、熵变、玻璃转     

Properties of High Strength Steel Fiber Reinforced Concrete under Compression

ＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＨｉｇｈＳｔｒｅｎｇｔｈＳｔｅｅｌＦｉｂｅｒＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＣｏｎｃｒｅｔｅｕｎｄｅｒＣｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎＱｉａｎＣｈｕｎｘｉａｎｇ（钱春香）（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅ...     

High pressure research on materials

In this part of the article, various experimental techniques for investigating materials under high pressure are discussed. The effect of pressure on the behaviour of materials is discussed with suitable examples. P Ch Sahu (left) is at the Materials Science Division of Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Kalpakkam. He is a specialist in the field of high pressure science and is presently heading this activity at his institute. N V Chandra Shekar (right) is a Senior Scientist at the Materials Science Division of Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Kalpakkam. His primary research areas are in high pressure phase transitions and in synthesis and study of novel materials under extreme pressure and temperature conditions.     

高温高压条件下泡排剂评价方法

设计了高温高压条件下泡排剂性能评价方法,即重力击打发泡法和通气发泡法,并通过测试市售泡排剂产品对比研究了两种方法适用性。其中重力击打发泡法在高压条件下不适用,高压下垂直下落的液柱分散,击打产生泡沫量不足,且压力越高,液柱分散程度越大。通气发泡法在高温高压条件下适用,测试参数为发泡时间、消泡时间、携液率,110℃、4.5 MPa条件下测试两种泡排剂,并评价出B型泡排剂高温高压条件下稳泡性优于A型泡排剂。