单晶硅太阳电池制备工艺探讨

本文介绍目前晶体硅太阳电池制造工艺,通过实验给出各个工艺流程的工艺参数及可调节范围,说明各环节对太阳电池的贡献及注意问题。提出了通过优化各工艺流程来提高晶体硅太阳电池效率的一些方法。     

阿奇霉素栓的研制及临床应用

目的:研究阿奇霉素栓的处方、制备工艺、质量控制及临床疗效。方法:以明胶、甘油为基质制备阿奇霉素阴道栓,建立质量控制,并对其进行临床疗效观察。结果:本品制备工艺可行,质量控制能够控制本品的质量,临床疗效可靠。结论:本品制备工艺简单、质量稳定,具有安全、疗效好等优点,适于医院推广使用。     

NaClO/IPA体系制备单晶硅太阳能电池绒面的研究

采用NaClO和IPA体系对单晶硅各向异性腐蚀制备绒面。通过紫外可见光光度计和扫描电镜对硅绒面的反射率、形貌进行了表征。结果表明,当NaClO为10%（质量分数,下同）, IPA为5%,腐蚀温度为80℃,腐蚀时间为15 min时,能够得到均匀单晶硅绒面,硅片平均反射率达15%左右;与传统的NaOH/IPA腐蚀体系相比,该工艺制得的单晶硅绒面结构反射率低,有利于太阳能电池性能的提高。     

复方芪贞口服液的制备和临床应用

目的研制复方芪贞口服液,并考察其对糖尿病肾病的效果。方法研究复方芪贞口服的制备工艺;并建立建立该口服液的质量控制方法。结果处方配伍及制剂过程合理;各项指标评价及稳定性考察结果验证工艺可行。结论本品制备工艺合理,质量可控,临床使用效果良好,值得推广应用。     

溶胶-凝胶法制备SiO2/TiO2多层膜工艺研究

采用溶胶-凝胶工艺，使用旋涂方法在单晶硅片、石英玻璃和K9玻璃上制备SiO2／TiO2系列多层膜。采用椭偏仪、透射电镜等对所制得的多层膜的性能进行了研究。结果表明实验条件对SiO2／TiO2多层膜的制备非常重要。通过对实验条件的改善与优化，可以镀制出性能优良的SiO2／TiO2多层膜，以用于微型谐振腔、滤光片、一维光子晶体和传统的光学高反膜的研究。     

硅基质上图案化金膜的制备

介绍了一项材料化学综合实验。该实验利用紫外光刻技术在硅基底上制备出图案化的金膜,采用冷热台偏光显微镜对硅片上图形的质量进行检查。通过该实验,不仅可以了解光刻技术的相关基础知识,掌握图案化金膜的常见制备方法和常用表征手段,还能在后续的实验中以图案化Au膜作为模板,设计制备出多种图案化的半导体、聚合物纳米结构。该实验可以在本科生及研究生实验教学中推广。     

慢肾宁片质量标准的研究

目的:研究慢肾宁片剂的制备方法及质量控制。方法:利用部分药物粉碎,部分药物水提浓缩的方法制备,从制剂的性状、鉴别、重量差异、崩解时限和稳定性考察等方面进行质量控制。结果:建立了慢肾宁片的制备方法和质量标准。结论:该制剂制备工艺合理,控制质量标准可行。     

ZTC1＋1澄清剂法与水醇法制备小儿止泻液的比较研究

将ZTC＋1天然澄清剂（工艺1）与乙醇（工艺2）用于小儿止泻口服液的制备。结果表明。两种方法制备的口服液色泽、澄明度及质量均符合该产品的标准;澄清法与水醇法相比,具有沉淀速度快,工艺流程短,成本低等优点。     

基于分布式的多丝切割工艺管理系统

本文针对切割丝不耐磨问题,通过分析钢丝磨损机理,研发加工工艺管理系统。综合改变压缩率、不同模具参数、不同黄铜丝生产工艺对切割钢丝表面硬度的影响等一系列的参数分析,从而得到提高钢丝寿命、不影响其它性能的工艺参数,进而改善钢丝耐磨性,改善硅片成材率。因此,本文研究的多丝切割加工工艺管理系统具有非常重要的实际应用价值。     

乳化炸药连续生产线的质量控制

文章从工艺控制角度，分析了影响乳化炸药连续生产线产品质量的因素，讨论了生产前的原材料选择和检测、水相油相制备、连续乳化冷却敏化、装药包装等过程中的质量控制，对稳定和提高乳化炸药产品质量具有十分重要的意义和作用。     

多孔硅发光

多孔硅是一种硅基纳米材料，硅基材料的研究是实现光电集成的关键，多孔硅的发光研究为硅基发光研究开辟了新的应用研究领域．对多孔硅发光的意义、多孔硅的各种制备方法进行了的报道，论述了多孔硅的微观结构、多孔硅的光致发光机制及多孔硅的光致发射光谱．     

下一次硅谷的革命

IPv6初始地址分配原则要求区域地质注册组织(Local Internet Register,简称LIR):计划提供IPv6连接的组织,将获得单一的聚合地址分配。     

多孔硅发光研究

发光多孔硅的发现为长期追求的硅基发光材料的研究开辟了一条新路.硅基发光材料的研究日益受到重视.为了实现硅基全色光显示,探寻硅基蓝光发射材料是十分必要的,然而它一般不易获得.所以,研究硅基蓝光发射材料是一个意义深、难度大的课题.本文重点阐述了多孔硅的发光机理,并介绍了多孔硅材料的潜在的应用前景.     

硅集成电路研究

本文介绍了硅集成电路的主要发展方向和趋势,重点阐述了硅集成电路制造过程中的关键技术和技术突破点。     

非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱

以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析。结果表明:当激光功率达到某一阈值时,非晶硅样品发生了晶化,即由非晶硅转化成了结晶硅,特征峰发生了46.8 cm-1的位移,薄膜的结晶性质发生根本变化。而结晶硅样品在激光功率变化过程中仅因能量积聚造成了薄膜内应力变化,激光能量消散后内应力恢复原来的状态,特征峰在±5.4 cm~(-1)位移内波动,薄膜的结晶性质并未发生明显变化,表明薄膜处于稳定的晶态结构。     

单晶硅缺陷的分析

晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷,观察典型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律:中间尺寸大,密度小,边缘尺寸小,密度大,验证缺陷对杂质的吸收。     

硅光电池特性研究

为了研究硅光电池的特性,应用新的电学实验手段,借助光伏效应实验仪,对硅光电池的光电特性、伏安特性、负载特性作了初步的分析和研究,得到了硅光电池的开路电压、短路电流、内阻与光照强度的关系,以及衡量光电池性能优劣的重要指标填充因子,且发现一定光照下硅光电池对负载供电达到输出功率最大值时,负载阻值和该光照下硅光电池内阻相差不大.     

硅营养对蔬菜生理效应的研究进展

本文在植物硅素营养吸收和运输研究的基础上,对硅素营养在蔬菜作物的生长发育、矿质营养状况和抗逆能力等三方面的生理效应做了相关综述。     

制砖厂将在硅谷遍地开花？

忘掉芯片吧。由于一种低能耗生产工艺的出现,硅谷发现普普通通的砖头在未来将大有利可图．而该工艺将使美国科技之都实现绿化。制砖厂卡尔斯达公司有众多博士,还得到了风险投资商的支持,其愿景是以更廉价、更节能的方式建造房屋。     

非硅MEMS技术及其应用

MEMS(Micro-Electro-Mechanical Dystems 微机电系统)是集微结构、微传染器、微执行器和微电控为一体的机电系统,是一个多学科交叉的高新技术领域.