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相似文献
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1.
氧化锌晶须的制备及应用   总被引:8,自引:0,他引:8  
氧化锌晶须是一种立体四针状单晶体微纤维,其原料来源广泛,成本低廉,国内外制备四角状氧化锌晶须有多种方法,四角状氧化锌晶须具有多功能特性,在耐磨,防滑材料,抗静电及导电复合材料,电波吸收材料,减振抗冲及隔音材料等方面均有广泛的应用。  相似文献   

2.
氧化锌晶须是一种具有规整三维结构立体四针状单晶体微纤维,其原料来源广泛,成本低廉。四角状氧化锌晶须具有多功能特性,在耐磨、防滑材料,抗静电及导电复合材料,电波吸收材料,减振抗冲及隔音材料等方面均有广泛的应用。本文简述了T-ZnO晶须的发展、结构和特性、制备方法和生长.以及作为材料的应用。  相似文献   

3.
为改善高强砂浆的脆性,将碳酸钙晶须引入高强砂浆中以实现增强与增韧的目的.研究了抗压强度、抗折强度、劈拉强度以及断裂功等基本力学性能,采用扫描电子显微镜观察材料的微观结构和微观力学行为,讨论了碳酸钙晶须增强增韧高强水泥砂浆的机理和效率.研究表明:碳酸钙晶须的引入对高强砂浆的力学性能产生了较为积极的影响;碳酸钙晶须增强增韧高强砂浆的机理为晶须-水泥石脱黏、晶须剥离、晶须冲断以及裂纹桥联;裂纹偏转机制是比较高效的一种增强增韧机制,但并不容易在高强水泥砂浆基质中出现.研究认为,晶须与水泥砂浆基质间的界面黏结强度应该适当弱一些,这样有利于通过引入更多的裂纹偏转来增强增韧水泥砂浆复合材料.  相似文献   

4.
采用固体粉末法,制各成功钨酸锌晶须。用XRD,EDX和SEM方法研究了所得晶须的结构组成和形貌,并对晶须的形成机理及晶须生长的影响因素进行了研究。初步确定钨酸锌晶须的生长机理为VS机理,总结出晶须生长的影响因素有饶结温度,保温时间,成分比例和粉末尺寸。  相似文献   

5.
碳酸钙晶须的制备进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
文中对碳酸钙晶须的成核生长机理进行了简要的理论分析,阐述了碳酸钙晶须的制备研究进展,比较了典型方法合成碳酸钙晶须的异同,并对未来碳酸钙制备技术的发展方向提出了建议。  相似文献   

6.
晶须是一种单晶纤维,具有很高的强度和弹性模量,作为树脂基复合材料的填充体具备填充度高、增强效果明显等优点。晶须树脂基复合材料可以制备出形状复杂的薄壁、高尺寸精度、表面光滑的零部件。采用平行双螺杆挤出机熔融共混后注射成型制备一系列晶须含量的镁盐晶须/ABS复合材料,结合力学性能测试和扫描电镜分析镁盐晶须对ABS的增强作用。实验结果表明:镁盐晶须的加入可以提高复合材料的力学性能,拉伸强度和拉伸模量都随着晶须含量的增加而增加,其中弹性模量的增强作用更为显著,但同时,晶须的加入限制了树脂基体的变形,断裂应变和冲击强度都有一定程度的降低。  相似文献   

7.
采用纯的传统的GaN粉,用物理气相沉积的方法,在1200℃务件下,在一个传统的管式炉中制得了大量的多孔GaN纳米晶须。这些宏量的纳米晶须通过X射线衍射仪(XRC)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)、X射线能量损失谱仪(ECX)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构。结果显示这些纳米晶须的形貌为多孔形,单根晶体的直径为30~100nm、长度达到微米级,宏、微观结构均为六方单晶型结构。多孔GaN纳米晶须的光致发光性质也进行了测定,发现这些多孔纳米晶须在296nm处有一个强的锐形的发光峰。我们用量子限域效应解释了其光学性质,这是对多孔GaN纳米器材在紫外光和大功率激光二极管应用的扩展。  相似文献   

8.
采用纯的传统的GaN粉,用物理气相沉积的方法,在1200℃条件下,在一个传统的管式炉中制得了大量的多孔GaN纳米晶须。这些宏量的纳米晶须通过x-射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)、X-射线能量损失谱仪(EDX)及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)来分析其形貌和宏、微观结构。结果显示这些纳米晶须的形貌为多孔形,单根晶体的直径为30-100 nm、长度达到微米级,宏、微观结构均为六方单晶型结构。多孔GaN纳米晶须的光致发光性质也进行了测定,发现这些多孔纳米晶须在296 nm处有一个强的锐形的发光峰。我们用量子限域效应解释了其光学性质,这是对多孔GaN纳米器材在紫外光和大功率激光二极管应用的扩展。  相似文献   

9.
通过大量实验摸索,设计出适合进行拓展训练的前驱体烧结法制备氧化镁晶须的实验。  相似文献   

10.
通过大量实验摸索,设计出适合进行拓展训练的碱式硫酸镁晶须合成与观察的实验.  相似文献   

11.
本文对电子产品无铅化后纯锡镀层使用带来的锡须问题进行了研究,重点分析了锡须形成的机理,锡须对电子产品可靠性的危害,提出了抑制锡须的措施,对预防锡须的形成、提高电子产品的可靠性具有参考意义。  相似文献   

12.
In GaN has been predicted to be an efficient photovoltaic material. However, the high-density polarization charges and large potential barrier at the i-In GaN/nGaN interface create an electric field that severely decreases the collection efficiency of p-In GaN/i-In GaN/nGaN heterostructure solar cells. We demonstrate that,according to numerical simulations, utilizing a p-In GaN/iIn GaN/n-ZnO heterostructure can greatly reduce the piezoelectric field in the absorption layer and reduce the potential barrier between the n-type layer and the absorption layer interface, thus improving the performances of the solar cell. Moreover, we studied the influence of the band alignment on the ZnO/In GaN interface on the performance of the solar cell. We found that the band alignment of the ZnO/In GaN interface can keep the solar cells at a very high efficiency over a wide scope.  相似文献   

13.
纳米氧化锌的性质和用途   总被引:11,自引:0,他引:11  
纳米氧化锌具有表面效应和体积效应等特殊性能,它可广泛用于橡胶、陶瓷、涂料等行业,还可用作光催化剂、磁性材料、导电材料等,  相似文献   

14.
纳米氧化锌具有表面效应和体积效应等特殊性能,它可广泛用于橡胶、陶瓷、涂料等行业,还可用作光催化剂、磁性材料、导电材料等。  相似文献   

15.
氧化锌纳米材料的制备及应用研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
纳米材料被誉为是"21世纪最有前途的材料",目前,已成为当今许多科学工作者研究的热点,而氧化锌纳米材料的许多优异性能使其成为重要的研究对象并得到广泛的应用.本文综述了近年来合成氧化锌纳米材料的一些新方法,比较了各种方法的优缺点;简单介绍了氧化锌纳米材料的性质及其可能的应用领域,并对氧化锌纳米材料的发展前景进行了展望.  相似文献   

16.
采用水溶液法,在涂布有氧化锌种晶层的玻璃基板上制备列阵式氧化锌纳米棒。考察不同反应物浓度及退火对氧化锌纳米棒的微观结构、形貌和光学性能的影响。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、紫外可见吸收光谱(UV-vis)和光致发光光谱(PL)对氧化锌纳米棒的结构、形貌和光学性能进行表征。结果表明:通过水溶液法制得纤锌矿结构且高定向的六方氧化锌纳米棒,不同摩尔浓度的长晶溶液可以获得不同直径的氧化锌纳米棒。光致发光光谱显示,在接近于430 nm处有一较强的可见光发光峰,其归因于电子从锌间隙缺陷的施体能阶跃迁到价带。  相似文献   

17.
以醋酸锌和氢氧化钠为原料,采用水热合成法制备纳米ZnO,并研究表面活性剂的种类对纳米ZnO形貌以及光致发光性能的影响。通过红外光谱(IR)、X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光谱(PL)测试对样品进行表征,结果表明,相比阴离子表面活性剂,添加阳离子表面活性剂制备出的纳米ZnO的形貌以及光致发光性能更佳。  相似文献   

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