反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。     

磁控溅射法制备氧化镓薄膜

随着半导体光电技术的日益发展,宽禁带透明导电氧化物薄膜已经成为半导体材料研究的热点之一。氧化镓薄膜具有结构简单、成本低廉、响应快、便于制造的优点,而且还有很高的化学稳定性。它作为一种新型的气体传感器材料近年来日益受到重视。本文研究了通过磁控溅射法制备氧化镓薄膜时,不同的热处理温度对氧化镓薄膜结晶质量的影响。并利用X射线衍射仪,紫外可见透射光谱,对氧化镓薄膜的结构性能及表面形貌进行了测试和分析。     

反应磁控溅射Cu2 O薄膜的结构和电学性质

用X射线衍射仪检测薄膜的结构;用分光光度计测量薄膜的透射率和反射率,采用拟合正入射透射谱数据的方法计算薄膜的厚度;用Van der Pauw方法测量薄膜表面电阻和霍尔迁移率,并计算出电阻率和载流子浓度.结果表明,生成单相Cu2O薄膜的氧气流量范围很小,在氧气流量为5-7sccm范围,薄膜主要成分为Cu2O,其中氧氩流量比为6∶25时,生成单相多晶结构的Cu2O薄膜,其表面电阻0.68MΩ/□,电阻率58.29Ω.cm,霍尔迁移率4.73cm2·V-1·s-1,载流子浓度3×1016cm-3.     

氩氧比对射频反应磁控溅射制备TiO2薄膜亲水性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了锐钛矿相TiO2薄膜,在基片温度、溅射功率、溅射时间以及靶材与基片间的距离等因素不变的情况下,研究不同氩氧分压比对薄膜亲水性能的影响。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射光谱(XRD)表征了薄膜的微观表面形貌和晶相组成,采用静态接触角(SCA)评估薄膜的亲水性。实验结果表明不同氩氧比制备的锐钛矿相TiO2薄膜,紫外光照12 h后,接触角降到10o左右,而氩氧比小于等于5:5的接触角都低至5o左右,达到了超亲水性。氩氧分压比为4:6时,样品薄膜的光致亲水性最佳且光照后亲水性的保持较长。     

Ar/O_2比和基片温度对射频反应磁控溅射法制备钢基SiO_2薄膜亲水性的影响

在工作气压为1.9 Pa的氩氧气混合气氛中,改变氩氧的流量比和基片温度,采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样,并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征.结果表明,在氩氧分压比为64和基片温度为90℃时制备的SiO2薄膜亲水性能最佳.     

射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜的拉曼光谱分析

采用射频磁控溅射法制备纳米TiO2薄膜，并应用显微拉曼光谱和电子显微镜对薄膜进行微区光分析．通过拉曼光谱研究，一方面有力地揭示出TiO2薄膜的晶体结构，另一方面对薄膜的生长方式提供了线索．薄膜聚集点和平常点上有统一的相结构，电子显微镜观察结果显示薄膜致密均匀．     

磁控溅射制备MoS_2/C复合薄膜及其结构表征

采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.     

磁控溅射法制备ZnO薄膜的光学特性分析

该文用磁控溅射法在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜,所得薄膜采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计（UVS）、光致荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌和发光特性进行表征.结果表明掺杂后的ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,磁控溅射镀膜样品的透射边随着退火温度的提高发生蓝移又红移现象,所有样品都有比较好的发光性能;900℃溅射镀膜样品的表面形貌平整度较好,粒子分布均匀.     

直流磁控溅射制备纳米TiO_2薄膜研究

使用直流磁控溅射装置,通过在溅射过程中加入不同的金属网格,250℃条件下在玻璃衬底上制备了不同晶粒尺寸的TiO2薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)对薄膜的表面形貌结构和进行了分析.研究结果表明:在磁控溅射过程中金属网格的引入能有效减小TiO2薄膜的晶粒尺寸,并且金属网格的网孔尺寸越小,晶粒尺寸越小.     

磁控溅射TiN薄膜及其性能研究

以直流反应磁控溅射方法在Si（111）基底上制备薄膜TiN.研究发现：在保持其他工艺参数不变的条件下,溅射气压在0.3～1.3 Pa范围内,薄膜的主要成分是（111）择优取向的立方相TiN.当溅射气压为0.5 Pa时,沉积的薄膜膜层致密均匀,色泽金黄,膜厚为115.8 nm,结晶性能好.在可见光区半透明而在红外光区呈高反射,红外反射率为90%,具有良好的太阳光谱选择性.     

射频溅射GaxIn1-xAs薄膜的外延生长及其物理性能研究

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　Ｔｈｅｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｗｅｌｌｓｕｉｔｓｔｈｅｇｒｏｗｔｈｏｆｃｏｍｐｏｕｎｄｓａｎｄａｌｌｏｙｓ ,ｗｈｏｓｅｅｌｅｍｅｎｔａｌｃｏｎｓｔｉｔｕｅｎｔｓｈａｖｅｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔｌｙｄｉｆｆｅｒｅｎｔｍｅｌｔｉｎｇ ｐｏｉｎｔｓａｎｄｖａｐｏｒｐｒｅｓｓｕｒｅｓ.ＡｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｍｏｕｎｔｏｆｗｏｒｋｓａｂｏｕｔｒｆｓｐｕｔｔｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆｂｉｎａｒｙⅢ Ⅴｃｏｍｐｏｕｎｄｆｉｌｍｓｈａｓｂｅｅｎｐｕｂｌｉｓｈｅｄ[1～…     

类金刚石碳膜磁控溅射抗剥离结合强度的实验研究

在复杂型腔制件W18Cr4V钢基体上采用磁控溅射法涂镀类金刚石,研究不同的中间过渡层制备复合结构层的DLC碳膜,薄膜中含有sp3杂化碳原子含量最高,且膜层外观结构光滑无裂痕,韧度、界面结合强度、硬度和厚度等性能指标良好.实验结果对比分析发现Ti/TiN/TiAlN为过渡层的DLC碳膜抗剥离附着性能好,膜层间的结合强度和致密度大幅提高,涂层的内应力明显降低,DLC碳膜的综合力学性能得到全面改善.     

Preparation and Characterization of Nano-Particles PZT Ferroelectric Thin Films by RF-Magnetron Sputtering

Pt/Ti bottom electrodes were fabricated on SiO2/Si substrates by magnetron dual-facing-target sputtering system. Lead zirconate titanate(PZT) thin films were deposited on Pt/Ti/ SiO2/Si substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering system. The thickness of PZT thin films which were deposited for 5 h was about 800 nm. XRD spectra show that PZT thin films deposited in Ar ambience and rapid-thermal-annealed for 20 min at 700 ℃ have good crystallization behavior and perovskite structure. AFM micrographs show that mean diameter of crystallites is 70 nm and surface structures of PZT thin films are uniform and dense. Raw mean, root mean square roughness and mean roughness of PZT thin films are 34.357 nm, 2.479 nm and 1.954 nm respectively. As test frequency is 1 kHz, dielectric constant of PZT thin films is 327.6. Electric hysteresis loop shows that coercive field strength, residual polarization strength and spontaneous polarization strength of PZT thin films are 50 kV/cm, 10 μC/cm2 and 13 μC/cm2 respectively.     

Sol-gel法制备BZT铁电薄膜及其电性能的研究

Sol-gel法制备BZT铁电薄膜,用X射线衍射仪(BSX3200)和扫描电子显微镜研究了BZT的结构和表面形貌,用差热-热失重(TG-DTA)析谱分析BZT粉体的退火工艺.测定了薄膜的电性能:薄膜不加偏压下的介电常数大约为620左右,介电损耗和调谐量分别为0.0335和48.63%.     

ZnO薄膜的反应蒸发法制备及其光电特性

分析热蒸发时锌液滴在舟内跳动的原因,给出解决问题的方法．用反应蒸发法制备成功ZnO导电薄膜,并给出薄膜的形貌显微照片、XRD图谱、光电效应的测量结果以及其结果与电阻率、薄膜光电子迁移率的关系．