氩离子入射角度对坡莫合金刻蚀速率影响研究

利用磁控溅射法在单晶硅基底上制备了200nm厚的坡莫合金薄膜,然后利用能量为500eV、束流密度为1mA/cm2的氩离子束分别以不同的入射角度对薄膜进行刻蚀。采用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、多晶X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对沉积薄膜的成分、晶体结构和微观形貌进行了测试和分析。利用探针式表面轮廓分析仪测量研究坡莫合金(Ni81Fe19)薄膜刻蚀速率与离子入射角度的关系。实验结果发现:随着氩离子束入射角度变大,坡莫合金薄膜的刻蚀速率逐渐变大;当氩离子束入射角度为50°时,刻蚀速率达到最大值(60nm/min);随着氩离子束入射角度进一步增大到80°,刻蚀速率迅速降低到极小值。     

基于改进TOPSIS法的脉冲电沉积Ni-W-P镀层工艺优化

以占空比、脉冲频率、电流密度、镀液温度为优化工艺参数,以镀层表面硬度、结合强度、磨损量、腐蚀速率为综合优化工艺目标,运用改进的TOPSIS法对脉冲电沉积Ni-P-W合金工艺参数进行优化。优化结果为：占空比30%、脉冲频率250 Hz、电流密8 A/dm²、镀液温度60℃。采用优化工艺参数进行脉冲电沉积Ni-P-W合金与最优试验设计组相比,表面硬度提高了8.14%,结合强度提高了5.32%,磨损量减小了4.26%,腐蚀速率减小了6.25%。     

分层脉冲激光焊接实验教学研究

为了深入理解激光焊接方法的特点和工艺参数对温度场的影响规律,在焊接实验课中引入高能束焊接方法激光焊,并通过调整分层脉冲波形实现了对焊接温度场的控制。完成了殷瓦钢的脉冲激光焊接实验,采用红外热像仪测量了焊接温度场,采用有限元法计算了焊接温度梯度和焊后冷却速率。实验结果表明,预热脉冲能够有效降低焊接温度梯度和焊后冷却速率,随着预热脉宽的增大,焊接温度梯度和焊后冷却速率降低,而焊接热裂敏感性则先减小后增大。     

工作温度对CuBr激光脉冲延迟的影响

实验表明:CuBr激光脉冲的延迟时间与工作温度及工作频率有关,激光脉冲有可能出现于电流脉冲的后沿。分析了产生此现象的原因。     

胃镜活检钳的激光焊接工艺研究

采用波长为1.06μm的Nd:YAG激光器对胃镜活检钳进行焊接,通过调节激光的电流、脉冲宽度、离焦量等工艺参数对其进行精密焊接试验。研究结果表明,影响焊接效果的因素中,脉冲宽度决定了焊缝的凸起程度。通过采用较小激光能量条件下重复焊接两次或者三次这一独特工艺方法来克服激光能量稳定性、工件公差等缺陷,达到很好的焊接效果。     

激光打孔中孔洞状况与水层厚度的关系研究

研究在液体环境下脉冲激光打孔中孔洞质量与水层厚度的关系.实验结果表明:液体环境下脉冲激光打孔速率存在一个最佳水层,且该水层下孔洞内部较为光滑,喷溅出的纳米颗粒较为均匀;无论何水层下的孔洞形状均为锥体状,是激光打孔机要解决的主要难题.     

刻蚀工艺参数对单晶硅太阳能电池性能影响

以单晶硅太阳能电池刻蚀为研究对象，研究应用电子显微镜观察、电性能分析等方法，揭示不同刻蚀工艺参数下单晶硅片塔基的微观形态及电性能.结果表明：通过应用优质刻蚀添加剂，可使硅片塔基形状改善，电性能参数提高；添加剂初期时生产的电池片填充因子提高1.029 9;高减重单晶硅太阳能电池片反射率相对较低.     

IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究

硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数.     

355nm紫外激光抛光工艺参数对蓝宝石表面粗糙度的影响

通过用波长为355nm的紫外激光对蓝宝石进行抛光,利用激光共聚焦扫描仪测量抛光后的表面粗糙度Ra,并结合抛光前后蓝宝石表面微观形貌特征观测,研究紫外激光脉冲能量、激光光束扫描速度、激光重复频率及激光光束入射角等工艺参数对蓝宝石表面粗糙度Ra的影响规律。     

交会测量敏感器脉冲编码激光控制系统设计

以空间交会对接应用为背景,设计了脉冲编码激光控制系统。该系统主要包括微控制器模块、二次电源模块、温度控制模块、恒流控制模块、脉冲编码模块和通信模块等。二次电源模块为激光器提供稳定可靠的电压源和电流源,并为整个系统供电;微控制器模块以AVR Xmega128为核心,完成系统的任务调度、状态监测以及与机载计算机通信;温度控制模块和恒流控制模块为激光器提供恒温和恒流,保证激光器稳定可靠;脉冲编码模块完成脉冲编码信号产生及与机载计算机同步逻辑的控制;通信模块完成系统与机载计算机之间的命令与数据交互。通过1和5 Hz脉冲频率下激光脉冲的波形质量、上升时间和传输延时实验,证明了控制系统的有效性。     

宏观参量对a—C：F薄膜刻蚀速率的影响

在ECR刻蚀系统中氧等离子体的放电存在两种模式,即微波功率低于500W时的低密度放电和微波功率高于500W时的高密度放电．a—C：F薄膜的刻蚀速率随着氧分压的增加而降低,是由于气压增加时,等离子体的电子温度降低及等离子体鞘电位降低造成．a—C：F薄膜的刻蚀速率随着氧气流量的增加相应地增加,是由于在氧分压保持0．1Pa不变的条件下,氧流量增加使氧原子在真空室的驻留时间变短造成．     

YAG激光切割冷轧钢板的工艺参数研究

实验使用YAG脉冲激光切割机切割Q235薄冷轧钢板。基于激光切割理论,采用正交试验对激光切割工艺参数进行优化。以切口宽度和切口的表面粗糙度为衡量标准,通过对比得出切割0.7 mm、1.0 mm、1.5 mm厚的Q235冷轧钢板的最优切割参数。     

YAG激光输出特性研究

主要研究了JSY-01型脉冲Nd:YAG激光的输出特性。并通过自行设计的实验对YAG激光的偏振特性、光谱特性和脉冲宽度进行了论证和剖析。特别是提出了一种相纸旋转曝光方法,定性地测出了激光的脉冲光强随时间的变化规律。使研究性物理实验在本科实验教学中得到了很好的应用。     

氮化镓的干法刻蚀工艺研究

为了研究氮化镓刻蚀倾角、选择性和形貌与刻蚀参数之间的关系,对氮化镓的干法刻蚀工艺进行了优化。通过研究不同掩膜种类下的选择比、刻蚀形貌,记录了自偏压,测量了刻蚀速率。通过改变包括气体流量、不同气体比例、射频功率、温度、自偏压等干法刻蚀工艺参数,研究了倾斜侧壁氮化镓的刻蚀工艺。结果表明,采用氯基气体可以对氮化镓材料进行刻蚀,刻蚀侧壁及底部形貌光滑;采用氧化硅做掩膜可以获得垂直的侧壁形貌;增大钝化气体比例可以获得倾斜侧壁的氮化镓刻蚀形貌。     

谈万用电表的表盘刻度

万用电表是中学物理实验中的必配仪器,它不但能测量电压、电流和电阻,而且有的还兼有其它功能,因而又是检修工作中不可缺少的检测工具。如果细观察表盘,还会发现很多值得我们研究的问题:直流电压、电流刻度均匀;电阻刻度与众不同,“0”刻线却在     

核物理电化学刻蚀分析中智能化高压电源的研制

提出了一种用于电化学刻蚀(ECE)分析的可编程高压电源实现方案.利用MAX038作为波形发生器,采用P89LPC936 MCU进行控制.电源的输出频率可达2 kHz,电压峰一峰值可达8 000 V.由于系统采用了MCU控制,提高了电源的输出频率和电压的精度,增强了电源的可靠性,并具有工作数据的记录功能.     

有初始相干性注入的V型系统中的无粒子数反转激光非线性增益分析

本文给出了有初始相干性注入的V型三能级系统理论模型,导出了在此系统中实现无粒子数反转激光的条件,分析了非线性增益大小跟驱动场和探测场Rabi频率、自发衰减率、原子注入速率比以及原子与探测激光场相互作用后从腔中排出速率之间的关系。     

金膜表面光栅制备中飞秒激光参数的影响

为了研究飞秒激光参数对制备金膜表面光栅的影响, 设计搭建了飞秒激光干涉微加工实验装置, 经衍射光栅得到的两束相干光在金膜表面诱导出微光栅.借助原子力显微镜研究在不同的脉冲能量密度、脉冲个数、波长等条件下制备的光栅形貌, 测得光栅的周期和线宽.研究发现, 飞秒激光参数对光栅形貌的影响显著, 制备光栅的最佳波长为800 n...     

有初始相干性注入的V型系统中的无粒子数反转激光非线性增益分析

本给出了有初始相干性注入的V型三能级系统理论模型,导出了在此系统中实现无粒子数反转激光的条件,分析了非线性增益大小跟驱动场和探测场Rabi频率、自发衰减率、原子注入速率比以及原子与探测激光场相互作用后从腔中排出速率之间的关系。     

基于最小二乘法的激光位置自动调整方法研究

卫星激光测距中传统的激光脉冲光束位置调整需反复不断进行,人工劳动强度较大。为能更好地调整激光脉冲光束的位置,设计一个自动判定光轴与机械轴是否重合并调整的系统,并进行仿真实验。