热处理时间对ITO薄膜显微组织及光电性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了ITO薄膜,研究了后续热处理时间对ITO薄膜显微组织及光电性能的影响.研究结果表明:随着热处理时间的延长,ITO薄膜的微观形貌发生了很大的变化,出现了小丘生长并伴随着回复与再结晶过程,严重影响了ITO薄膜的光电性能.     

热处理时间对IT0薄膜显微组织及光电性能的影响

采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了ITO薄膜,研究了后续热处理时间对ITO薄膜显微组织及光电性能的影响。研究结果表明:随着热处理时间的延长,ITO薄膜的微观形貌发生了很大的变化,出现了小丘生长并伴随着回复与再结晶过程,严重影响了ITO薄膜的光电性能。     

Sm部分取代Tb对TbCo／Cr薄膜磁光性能的影响

利用磁控溅射法制备了SmTbCo/Cr薄膜,分析了Sm含量对SmTbCo/Cr薄膜磁光性能的影响.结果表明:随着Sm含量的增加,(SmxTb1-x)31Co69薄膜的Ms、θk和R增加,而Hc随之减少;Sm含量在0.286～0.343范围内的(Sm0.286Tb0.714)31Co69(120nm)/Cr(240nm)和(Sm0.343Tb0.657)31Co69(120nm)/Cr(180nm)薄膜的磁光性能均满足光磁混合记录对介质的要求.     

退火对FeZrBNb薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响

用射频溅射法制备了FeZrBNb软磁合金薄膜,研究了不同退火方式对薄膜磁特性和巨磁阻抗效应的影响。结果表明,退火能改善薄膜的软磁性能,使其矫顽力由0．5kA·m^-1降到了0．09kA·m^-1,横向和纵向有效磁导率都有所提高。退火也能明显提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,加磁场退火的薄膜样品在13MHz下纵向和横向最大巨磁阻抗比分别为2．6％和1．7％。     

TbCo磁化膜制备工艺对其垂直磁各向异性的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．．     

溅射功率对掺镁氧化锌薄膜结构及厚度的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺镁氧化锌薄膜,利用SEM(扫描电镜)、XRD(X射线衍射)和椭偏仪等设备研究薄膜的表面形貌、成分、结构和厚度.结果表明,溅射功率没有对薄膜的生长方向产生较大影响,当溅射功率在40 W到100 W之间变化时,随着溅射功率的增大薄膜的结晶状况变好,晶粒尺寸变大,薄膜的厚度增加.     

井下工具选材及热处理生产条件对其性能的影响

石油钻井井下工具在数千米的深井下工作时受力状况复杂．既有拉压应力,也有扭转弯曲应力;在局部位置(如长瓦棱带处)还承受着强烈的磨擦、震击,减震工具还要耐受强烈的震动和冲击。这就决定了井下工具大部分零件的性能要求是：具有优良的综合机械性能．既要有高强度,还必须具有优良的冲击韧性。     

热处理工艺对车用减震板组织和性能的影响

通过对不同热处理和时效处理工艺的Mn-Cu合金的X射线分析、微观组织分析和阻尼性能测试,分析了热处理冷却方式、时效处理时间对合金组织和阻尼性能的影响。研究表明,时效处理不会产生新相,随着时效处理时间的增加,晶粒尺寸增大,阻尼性能提高,但超过一定时间,阻尼性能反而降低,其中时效处理8 h能够获得最佳的阻尼性能。     

AgNbFeB纳米微晶薄膜材料的制备及磁谱特性研究

利用磁控溅射法制备了AgNbFeB纳米微晶薄膜材料，对其结构和磁谱特征进行了分析和研究，发现该纳米微晶薄膜用作高频材料是很理想的。     

热处理对刨花板力学性质的影响

为了探索提高刨花板力学性能的途径,采用多因素试验方法,对25mm刨花板进行热处理。结果表明：时间和温度对刨花板力学性能都会产生一定影响,其中时间对刨花板的内结合强度、静曲强度影响较大,而温度则对刨花板内结合强度的影响较为显著。由此给出了一种较为合理的热处理工艺参数．同时指出了继续研究的方向。     

Si/SiC纳米复合薄膜退火工艺的控制

讨论了Si／SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能，直接受到退火工艺的影响和制约，退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素，可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火，提高了退火可信度，使纳米复合薄膜的结果更可靠。     

Effect of annealing on wet etch of amorphous IGZO thin film

Amorphous InGaZnO (a-IGZO) film is deposited on the glass substrate by radio-frequency sputtering and the influence of annealing on wet etch of a-IGZO films were investigated.The results show that etch rate of IGZO films decrease with the increase of annealing temperature.Etching taper angle is less than 60 and critical dimension (CD) loss is less than 1 μm in over-etching time of 30 s.The fact implies that IGZO films etching with oxalic acid may be a good wet etching way for the thin-film transistor (TFT) ...     

基于模拟退火算法的QoS约束web服务组合

针对web服务组合中选择服务需感知服务的QoS属性问题,采用向量表示法描述原子服务及组合服务的QoS属性和用户提出的多项全局约束,把寻求满足多项非功能属性约束的最优服务组合问题转化为在有向图中搜索最优多约束路径问题,采用有向图对组合服务建模.设计了多QoS属性约束的服务组合模拟退火算法,进行组合服务QoS属性的归一化处理和二次寻优.实验结果表明该方法可求得满足各项QoS约束的可行解,模拟过程显示该算法以多项式时间复杂度选出近似最优解.     

脉冲电子束离子存贮的研究

在离子存贮的研究中,我们采用脉冲电子束去轰击射频阱中的中性原子或分子而产生离子,这样可清楚地将离子的产生过程和信号测量过程分开,同时,利用信号平均和多道分析的手段提高信噪比。     

HfOxNy薄膜的制备及其性能研究

本文采用磁控溅射法制备了HfOxNy高介电薄膜，结合XRD、XPS等手段研究了退火温度对薄膜的结构和化学键态的影响，发现N的掺入使Hf4f峰位向低能方向移动．而随着退火温度的升高，Hf4f的双峰峰位向着高结合能的方向移动，这表明N的含量随着退火温度的升高而降低．XRD结果显示N的掺人能提高薄膜的晶化温度．     

退火温度对NiMn/NiFe双层膜磁性的影响

利用JDP-560C19型超高真空磁控溅射仪,在玻璃衬底上溅射制备NiMn/NiFe双层膜样品,。通过控制NiMn/NiFe双层膜退火温度改变其微观结构,研究样品磁性与退火温度的关系。研究表明,NiMn/NiFe双层膜的矫顽力和交换偏置场均随着退火温度的升高而增大,当退火温度为350℃时,矫顽力和交换偏置场都出现一个峰值,随后随着温度升高,矫顽力和交换偏置场减小。     

Dependence of electrical and optical properties of IGZO films on oxygen flow

Amorphous InGaZnO (a-IGZO) films were deposited on the corning eagle XG (EXG) glass substrates using magnetron sputtering method. The structure, surface morphology, electrical and optical properties of these films were investigated by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), semiconductor parameter analyzer and spectrophotometry, respectively. The influence of oxygen flow on the electrical properties of IGZO thin films was studied, showing that increasing oxygen flow changes the resistivity with six orders of magnitude. The contact resistance of ITO/IGZO is 7.35×10⁻² Ω·cm², which suggests that a good ohmic contact exists between In₂O₃: Sn (ITO) and IGZO film.     

绝缘修饰层及其厚度对喷墨打印OTFT的影响

通过在底栅顶接触的喷墨打印有机薄膜晶体管的SiO2表面采用原子层沉积方式制备薄层的Al2O3修饰层,并与未修饰前进行比较,发现有源层在ALD-Al2O3修饰后的SiO2表面接触角大大变小,且喷墨打印的有源层线条变粗。而随着ALD-Al2O3修饰层厚度的增加,SiO2表面粗糙度变大。通过测试其电学性能,发现ALD- Al2O3修饰层厚度为1 nm时,OTFT的性能最好,与未修饰前相比,其迁移率提高了近8倍,而开关比提高约4个数量级。     

反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。     

双层透明薄膜制备及氧含量对折射率影响研究

利用磁控溅射技术在玻璃基片上分别沉积ZnOx薄膜、TiO2-y薄膜和TiO2-y/ZnOx双层透明薄膜,改变薄膜沉积过程中的氩气(Ar)和氧气((O2)的比例,获得具有不同氧含量的ZnOx薄膜和TiO2-y薄膜.采用椭偏仪测定所有样品的折射率,仔细研究薄膜中氧含量对折射率的影响.分别选择具有较大的折射率TiO2-y薄膜和具有较小的折射率ZnOx薄膜的生长条件,制备TiO2-y/ZnOx双层薄膜,获得光密媒质/光疏媒质双层结构,并观察到He-Ne激光从ZnOx薄膜入射到TiO2-y/ZnOx界面上发生的全反射现象.研究成果适用于大学生物理实验中的研究型实验或大学创新实验.