巨磁电阻效应及其应用

介绍了巨磁电阻效应的概念以及巨磁电阻材料在磁传感器、高密度读出磁头、磁性随机存储器等领域的应用.     

新型磁电阻效应实验仪研制及应用

利用新型的磁电阻效应实验仪对多层膜巨磁电阻传感器、自旋阀巨磁电阻传感器以及各向异性磁电阻传感器的电阻随外加磁场的变化进行了研究,从而了解各种磁电阻的特性。该新型仪器可在高校实验中应用,有助于学生掌握磁电阻传感器的定标方法,测量并计算3种磁电阻传感器灵敏度,也可用于研究3种磁电阻传感器输出电压与通电导线电流的关系,以及磁电阻的其他效应。     

巨磁电阻材料及器件在信息存储领域的应用

介绍了巨磁电阻材料及器件在计算机高密度读出磁头、随机存取存储器领域的应用,描述了其工作原理、性能特点,并对今后应开展的研究和应用作了展望。     

磁电阻效应的研究进展

以巨磁电阻效应的发现为标志的自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息科学的交叉学科.本文对几种磁电阻效应及其应用进行了综述,详细介绍了几种常见的磁电阻效应体系,并对磁电阻效应的发展前景进行了展望.     

材料的磁声发射

对磁声发射技术进行了概述,详细介绍了材质、热处理及应力状态对材料磁声发射的影响,使广大科技工作者对这样一门新技术有所了解,以促进它的发展和利用。     

用巨磁电阻位移传感器测量磁致伸缩系数研究

介绍采用巨磁电阻传感器与配对小磁钢设计组成新型位移传感器,测量材料的磁致伸缩系数,并对自旋阀巨磁电阻(NVEAA002-02)位移传感器以及多层膜巨磁电阻(SS501A)位移传感器的测量结果进行分析比较,得出用多层膜巨磁电阻(SS501A)位移传感器测量磁致伸缩系数时灵敏度较高,结果较准确,对磁致伸缩系数的传统测量方法有明显的改进。     

由“巨磁电阻效应”诺贝尔获奖者引发的思考

从与巨磁电阻效应有关的诺贝尔奖获奖情况来看,评奖委员会秉承了其一贯的重理论创新的思想,由此我们再一次的想起了理论研究和应用研究哪个更重要的问题和中国是否有必要刻意追求诺贝尔奖的问题。     

锰氧化物CMR效庆的产生机理

在对锰氧化物的晶体结构、电子结构和电子态及其CMR效应的可能机理进行全面论述的基础上,报道作对La0.67Ca0.33MnO3掺Ga磁电阻的研究,实验结果表明Ca掺杂破坏了DE作用,使电阻率上升而磁胡序转变推移到低温,但值得强调指出的是,Ga掺杂使磁电阻效应显提高,证明Mn位元素替代是提高CMR的一种可能机理。     

巨磁电阻效应及在物理实验中的应用

阐述巨磁电阻效应的作用机理,对AA系列巨磁阻(GMR)传感器的阻值与磁感应强度的关系进行了测量,研究巨磁电阻效应特性,设计了巨磁电阻效应在物理应用方面系列实验.     

锰基钙钛矿型复合材料的电输运及低场磁电阻研究进展

锰基钙钛矿氧化物由于具有高的自旋极化率,其多晶样品表现出显著的低场磁电阻效应.通过把第二相材料引入到钙钛矿材料的表面或晶界,可以对颗粒边界进行表面改性,进而提高其电输运以及磁电阻性能.本文介绍了几类第二相材料,如绝缘体氧化物、金属材料、磁性材料和铁电材料.讨论了电输运性能和磁电阻提高的可能机制,展望了此类复合系统材料的良好前景.     

自旋阀巨磁电阻位移传感器测金属线膨胀系数

巨磁电阻在测量微弱磁场的变化较其他传感器具有体积小、灵敏度高等优点.比较了多层膜巨磁电阻和自旋阀巨磁电阻的区别,按其特性设计一个采用自旋阀巨磁电阻的位移传感器,并用此位移传感器精确测量金属的线膨胀系数.与各大高校在此实验中用普通方法测金属线膨胀系数的方法相比,该自旋阀巨磁电阻位移传感器测量金属线膨胀系数的方法有操作简便、测量精确,以及将力学量用电学量测量,并将物理数字化,便于电脑采集等优点.     

认识“巨磁电阻”效应——走进2007年诺贝尔物理学奖

<正>2007年诺贝尔物理学奖授予了法国物理学家阿尔贝·费尔和德国物理学家彼得·格林贝格尔,以表彰他们各自独立发现了"巨磁电阻"效应。近年来,根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用,瑞典皇家科学院在评价这项成就时说:"今年的物理学奖授予用于读取硬盘数据的技术,得益于这项技术,硬盘的体积迅速变得越来越小,而它的容量却越来越大。"这项技术被认为是"前途广阔的纳米技术领域的首批实际应用之一"。现在,就让我们来认识这种神奇的效应吧!     

磁电弹材料波动与断裂的力学行为研究

完成单位:石家庄铁道大学完成人:刘金喜,冯文杰,房学谦磁电弹材料是由压电介质和压磁介质复合而成的新型多功能材料,能够实现机械能、电能和磁能之间的相互转换,在航空、航天、机械、交通等工程领域都有着广泛的应用前景。研究其在力、电、磁多场作用下的力学行为,可以