基于蒙特卡罗方法的薄膜表面粗糙度的数值模拟

薄膜的表面粗糙度直接影响薄膜的最终性能。本文构建了薄膜的三维生长动力学模型,并采用蒙特卡罗方法实现了薄膜生长的数值模拟,得到了沉积速率、基底温度和原子覆盖度等因素对薄膜表面粗糙度的影响。模拟结果表明:随着沉积速率的增大、基底温度的降低和覆盖度的增大,薄膜的表面粗糙度增大;并且在沉积速率较小时,薄膜的表面粗糙度随沉积速率增加迅速,而沉积速率较大时,薄膜的表面粗糙度随沉积速率增加缓慢。     

氧化物薄膜生长与计算机模拟概况

目前关于计算机模拟薄膜的生长的报道主要是以单金属薄膜的生长和多元化合物为主,而氧化物薄膜模拟报道很少。本文基于传统公认薄膜生长过程,介绍了氧化物薄膜的生长模式。同时,介绍了氧化物薄膜的影响因数和计算机模拟氧化物薄膜生长的三种主要方法及其应用特点,包括了速率方程理论、第一性原理分子动力学、蒙特卡罗方法,并详细介绍了当前国内外计算机模拟氧化物薄膜生长的研究现状。     

多晶硅薄膜制备工艺及其应用发展

科学技术的快速发展,使得多晶硅薄膜的制作工艺得到了完善优化,并且,多晶硅薄膜也已经得到了广泛的应用。本文介绍了结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜的多种工艺方法,细致研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响,分析了多晶硅薄膜制备工艺的应用发展,希望能够为相关人员提供参考借鉴。     

溅射压强对薄膜太阳电池背电极电学性能的影响

采用直流磁控溅射工艺,在不同溅射压强条件下制备了薄膜太阳电池用金属Mo背电极。用场发射场发射扫描电子显微镜(FESEM)和四探针测试仪研究了溅射压强对薄膜的成膜速率和电学性能的影响。结果表明,较高溅射压强条件下,制得的薄膜电阻率较高,薄膜与衬底附着性能较好。随溅射压强减小,制备的薄膜电阻率降低,与衬底附着性较差。溅射过程中,改变溅射压强制备的双层Mo薄膜,能同时达到具有良好附着性和较低电阻率的要求,更适合做薄膜太阳电池背电极。     

薄膜太阳能电池的研究与发展趋势

作为一种新生代的能源,薄膜太阳能电池正得到不断的研究与发展,并取得了很大的进展.主要介绍了非晶硅、多晶硅薄膜太阳能电池,通过比较这两种薄膜太阳能电池的特点总结出一般薄膜太阳能电池的特色,同时阐述薄膜太阳能电池的发展趋势.     

热氧化法在GaN衬底上合成Cu_2O薄膜

通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。     

氧流量对ITO薄膜粗糙度的影响

ITO(氧化铟锡)薄膜是一种应用比较多的透明导电薄膜,在不同的条件下制备的ITO薄膜,其性能也会不同。本文主要阐述了在不同的氧流量下,ITO薄膜表面粗糙度变化的情况。     

ZnO薄膜的制备及光致发光性研究

采用湿化学刻蚀的方法在金属制品锌箔表面获得了一层薄膜。通过XRD、扫描电镜、荧光光谱对所生成的薄膜进行一系列的表征。证明该薄膜为ZnO薄膜,六方片状结构,荧光光谱分析结果显示其在380,460有两个发光峰。     

镁锂合金表面CrN薄膜的制备及防腐研究

采用反应磁控溅射法在镁锂合金衬底上沉积了CrN薄膜。并通过XRD、SEM、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的组成、表面形貌,并着重研究氮化铬CrN薄膜在0.35%的NaCl溶液中对镁锂合金的防护性。结果表明：说明沉积的CrN薄膜提供了合金的抗腐性。     

一种石墨烯纳米纤维复合薄膜电容器研究

复合薄膜电容器的复合薄膜是一种层状的结构,在本文中采用的是石墨烯与纳米纤维间隔相容,使电容器的机械性能进一步的提高,也增加了它的柔软性,通过实验也进一步证明,复合薄膜电容器的电导率是传统纳米纤维薄膜电容器的10倍左右。     

椭偏仪对α-Co纳米薄膜性能的研究

本文采用椭偏仪(SE)测量了不同厚度的Co纳米薄膜的椭偏参数(Ψ和Δ),结合薄膜的特性,建立最优的模型,获得了薄膜的厚度及光学性能。XRD结果表明:纳米薄膜为六方密堆结构α-Co。     

高精度碳膜电阻温度系数的研究

随着微电子技术的飞跃发展,对薄膜集成电路,半导体集成电路的功能、集成度、精度、可靠性和使用寿命等,都提出了越来越高的要求。薄膜混合集成电路中的薄膜电阻无源器件,具有参数精度高、温度系数小、噪声系数低、高频特性好、可靠性高等特点,得到了广泛应用。本文主要论述了薄膜电阻的制作工艺对温度系数的研究。     

工艺参数对Ti、NdFeB薄膜厚度的影响

本文采用磁控溅射法制备Ti、NdFeB薄膜,并研究分析了工艺参数对Ti薄膜及NdFeB磁性薄膜厚度的影响,这些工艺参数是溅射类型、溅射时间、基靶距。     

薄膜太阳能电池专利技术分析

针对薄膜太阳能电池专利进行检索和分析,指出美国、日本和中国是薄膜太阳能电池专利申请较活跃的区域;在新型薄膜太阳能电池中,铜铟镓硒薄膜电池的发展势头较好,且转化效率高,在该薄膜电池发展的关键节点上,美国可再生能源实验室起到了关键性的作用。     

锶钡比及膜厚对钛酸锶钡薄膜介电行为的影响

采用溶胶-凝胶法制备不同锶钡比、不同膜厚的钛酸锶钡薄膜,研究了薄膜的介电行为。性能测试表明,在不同的锶钡比的钛酸锶钡薄膜中,介电性能最好的锶钡比为0.5:0.5,此时介电系数最大介电损耗最小;膜厚与薄膜的介电系数呈线性关系,随膜厚增加薄膜的介电系数线性增加。     

Al2O3过渡层对ZnO薄膜性质的影响

采用磁控溅射（Sputtering）方法在Si（100）上成功生长了Al2O3薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过ZnO薄膜的表征。表明,ZnO薄膜能在Al2O3过渡层上沿c轴准外延生长,采用适当的Al2O3过渡层后,其电学性质也有大幅提高。     

电沉积法制备CuInS_2薄膜

本文介绍了CuInS_2薄膜的概念和用途,阐述了电沉积法制备薄膜的方法,着重介绍了制备过程中电极和沉积液等参数的设置,并且对薄膜进行扫描电镜和XRD表征。     

染料聚合物薄膜辐射光谱

文章通过对旋涂与涂敷制成的两种纯染料聚合物薄膜的辐射光谱进行测试,观察到涂敷薄膜辐射的是自发辐射光谱,旋涂薄膜辐射的是一种类似的激光,同时也发现了旋涂染料聚合物薄膜辐射光波长的蓝移现象.     

碳纳米管薄膜的制备及引用研究

膜状碳纳米管保留了碳纳米管微观性状,同时在宏观上又体现出多样的应用性。本文介绍了碳纳米管薄膜的特点,对几种制备方法做了简要的介绍说明,通过对当前碳纳米管薄膜几大应用方向如传感器,场发射装置等的分析,展示了碳纳米管薄膜的巨大应用潜力。     

Mg-Li合金表面沉积Ti/TiN复合薄膜提高合金抗腐性的研究

本文采用直流反应磁控溅射法低温下在Mg-Li合金表面沉积Ti/TiN复合薄膜,薄膜厚度约为1.6μm,靶材是纯度为99.99%的钛靶。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、及在0.35wt%NaCl中的抗腐蚀性能。结果表明:复合薄膜的腐蚀电位较合金基体正移82.6mV,腐蚀电流降了一个数量级,析氢速率也明显减小,说明Ti/TiN复合薄膜提高了镁锂合金的抗腐蚀性。