VCSEL发光特性模拟

垂直腔半导体激光器(VCSEL)以优于传统的边发射激光器的性能,在很多应用领域已经占据了越来越重要的地位,要很好的研究它的应用价值就必须了解它的特性。本文采用SILVACO仿真软件对VCSEL的发光特性以及热特性进行仿真。得到了一些VCSEL的发光特性和热特性参数,来说明它的实际工作情况。     

宽禁带氮化物面发射半导体激光器研究获重大突破

863计划新材料领域“蓝绿色垂直腔面发射半导体激光器”课题近期取得重大突破,在我国（除台湾地区外）首次实现了室温光泵条件下氮化物面发射激光器（VCSEL）的受激发射,所得器件重要性能指标超过了国际报道的最好水平。这标志着我国氮化物面发射激光器研究已进入世界先进行列。     

电子信息与工程控制学院北京市光电

工业大学电子信息与工程控制学院北京市光电子技术实验室,北京工业大学电子信息与工程控制学院北京市光电子技术实验室 北京100022,北京100022,北京100022,北京100022,北京100022,北京100022,北京100022,北京100022,北京100022悬臂梁;;可调谐垂直腔面发射激光器运用光学传输矩阵和有限元方法对波长可调谐垂直腔面发射激光器(VCSELs)的波长调谐范围     

垂直腔表面发射式激光器阵列与带状光纤阵列的耦合技术

本文对垂直腔表面发射式激光器阵列与带状光纤阵列的耦合技术,做了系统地介绍,并对各个技术的优缺点,及未来的发展方向做了说明。     

中科院半导体所研究员、著名激光器专家——黄永箴

黄永箴。中科院半导体所光电子研发中心主任,目前从事微腔激光器和微腔光学滤波器的研制,光学微腔特性和量子点半导体光放大器的研究,     

LD泵浦的Nd:YVO_4/KTP全固态连续激光器

使用多单管光纤耦合半导体激光器端面泵浦YVO_4+Nd:YVO_4键合激光晶体,采用传统直腔结构。选用Ⅱ类临界相位匹配的KTP晶体实现腔内倍频。当泵浦功率为30W时,输出的单横模绿光功率为5.3W。     

演绎“微腔激光器领域”自主创新——记中科院半导体所光电子研发中心主任黄永箴研究员

黄永箴,1963年1月生。中国科学院半导体研究所研究员,于1983年、1986年和1989年在北京大学物理系分别获得学士、硕士和博士学位,1989年进入中科院半导体研究所工作。现任集成光电子学国家重点联合实验室学术委员会主任及半导体所实验区主任,中科院半导体所学术委员会副主任。2002年获得国家杰出青年科学基金,重点研究微腔的模式特性及微腔激光器,在单向输出微腔半导体激光器的研究上获得系列创新性成果。两次获得中国科学院优秀研究生指导教师奖,指导的博士获得五次中科院院长优秀奖、两次中科院优秀博士论文和2008年全国百篇优秀博士论文。     

半导体激光器芯片专利分析与技术结构研究

半导体激光器作为光电子科技的核心技术,受到各国科技界和产业界的高度重视.芯片是半导体激光器的核心技术之一,在逆全球化、中美贸易摩擦的背景下,我国半导体高端芯片受限风险激增.本文从专利分析的角度出发,对全球半导体激光器芯片的技术现状进行了研究和探讨.     

水平阵列半导体激光器光谱控制研究

随着高功率半导体激光器在科学研究,航空航天,激光显示,工业,表面处理,医疗应用等诸多领域的应用不断增加,高电光转换效率,高输出功率,体积小巧的半导体激光器,期望长寿命和高可靠性。半导体激光器堆栈的水平阵列广泛用于工业中泵浦固体激光器的应用。在连续操作中,五个激光棒的HA输出功率可以达到300W。激光装置的窄光谱和精确中心波长的光谱是泵浦应用中泵浦晶体的高吸收效率所需的。然而,由于焊接在散热器或冷却板上之前和之后的波长变化,多个半导体激光器叠层的光谱控制是困难的。通常光谱分布受半导体激光器的键合质量冷却板上的热分布,不同层的应力以及激光芯片性能等因素的影响。所有这些因素在焊接前难以预测和控制。在高功率半导体激光堆栈开发中,频谱的精确控制是至关重要的。     

激光之旅——记电子科技大学光电信息学院教授王卓然

上世纪70年代半导体激光器研制成功,之后随着各种类型激光器的出现,性能不断提高,互联网和通信业得以飞速发展.半导体激光器具有波长范围宽,成本低、体积小、重量轻、寿命长、兼容性强等特性,是现代信息社会的基石,广泛应用于工业、医疗、军事等领域,受到各国政府的高度重视.成就背后是无数科学工作者默默的努力和不断创新.     

高精度输出半导体激光器的温度控制系统设计

本文利用高信噪比的运算放大器、半导体制冷器,设计了一种激光器的温控系统,其能为半导体激光器提供高稳定度的恒温控制(ATC),从而提高了半导体激光器的使用寿命和输出波长的单一性。     

基于Multisim10的半导体激光器驱动电路仿真分析

半导体激光器驱动电路设计的关键是恒流和恒功率控制,本文设计了一种实用的半导体激光器驱动电路及保护激光器安全稳定工作的保护电路。     

基于DS18820的半导体激光温度控制系统

本文介绍一种基于DS18820的半导体激光温度控制系统,从数字温度传感器和单片机与DS18820的典型接口两个方面详细介绍了激光器温度控制电路,并阐述了整流输出电路即利用PWM技术对温度进行调节控制,使半导体激光器的温度趋于稳定.     

高精度半导体激光器温度控制系统技术研究

本文给出了一种利用高信噪比的运算放大器与半导体制冷器设计的激光光源电路驱动系统,以及半导体激光器的稳定度实验测量结果。实验证明,本驱动系统能为半导体激光器提供高稳定度的恒温控制(ATC),温度控制精度可达0.01℃,波长控制精度可达0.1nm,而且提高了半导体激光器的使用寿命和输出波长的单一性。     

大功率半导体激光器模拟负载及老化系统的设计

目前,在半导体激光器领域,国内外厂商及研究机构更多的关注于千瓦级半导体激光器的结构研究及系统应用研究。随着千瓦级半导体激光器的广泛应用,科研与生产都需要尽快解决高效率的驱动与控制系统的模拟测试与老化问题。在我公司的实际生产中,对应每一种型号的激光器驱动系统都制作了一套模拟LD巴条的二极管阵列老化测试装置。避免了采用真实LD巴条带来的风险。但这种装置通用性差,且不适合进行长时间的老化测试工作。为了解决通用性差和长时间老化负载过热的问题,进而设计制造了一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。解决了千瓦级激光器驱动系统的大批量老化测试问题。     

让硅发光

科学家们长久以来都在寻找基于硅材料的激光。这一进展将使工程师们能在便宜的硅芯片上集成电子器件和光学器件，而不是被迫采用昂贵的特殊半导体材料，如砷化镓或磷化铟。硅激光器将促成光系统的可行性，利用光子代替电子，以每秒数GB的速度迅速传输大量数据。最近，加利福尼亚大学洛杉矶分校和英特尔公司的两个研究小组，报告了他们成功的使硅材料发射连续激光。     

温度对半导体激光器特性的影响

在描述半导体激光器动态特性的速率方程中引入温度的影响。借助半导体激光器等效电路模型,模拟仿真了温度对直调激光器P-I特性、频率响应特性、脉冲调制特性和啁啾特性的影响。     

大功率半导体激光器散热研究综述

在我国最近的几年时间里,半导体激光器所应用的功率逐渐升高,所以相应引发的散热情况成为了目前阻碍半导体激光器进一步发展的最大原因。由于机器芯片的升温最终会使得激光器的工作性能不断降低,想要使得半导体激光器能够在大功率的工作原理下依旧保持持续稳定的工作性能,就只能让芯片的工作得到很好的散热,经过对半导体激光器中的芯片升温现象对半导体激光器各项功能的影响程度分析,得出了芯片升温对半导体激光器有着非常重要的影响。本文根据半导体激光器在芯片升温中出现的问题进行了探讨,对如何解决这一问题提出了方法。     

半导体激光器的驱动电路设计

对于半导体激光器而言,其输出功率的稳定性是评价其性能的最重要的参数。设计了一种半导体激光器驱动电路,并进行了测试,测试表明加入温度控制部分之后激光器输出功率的稳定度得到了明显提高,功率稳定度达到1.75‰。     

国内外专家合作改写纳米线激光器调谐范围世界纪录

湖南大学纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学合作,将半导体激光芯片调谐范围（指发光波长所能调节的范围）扩大,成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光,创造了新的半导体激光器调谐范围世界纪录。据介绍,此前半导体激光器调谐范围最长只能达到几十纳米。