石墨烯电极的Co-Salophene分子器件的自旋输运研究

分子器件具有体积小、告诉运转、低功率消耗等特点,近些年来,分子器件逐渐代替了硅基电子学,收到了越来越多研究者的关注,尤其是基于石墨烯电极的Co-Salophenes分子被用来设计各种自旋分子器件,在分子自旋电子学具有潜在的应用价值。本文主要对基于石墨烯电极的Co-Salophene分子器件的自旋输运进行了研究。     

基于硅基微环10Gbit/sNRZ系统设计及性能分析

硅基光子器件在光通信、光互连以及光计算领域均具有重要的作用。利用载流子色散效应,采用反向pn结构的硅基微环调制器,实现10 Gbit/s不归零码(Not Return to Zero,NRZ)信号的产生。同时,以此光调制器为核心器件,利用Optisystem和Matlab搭建10 Gbit/s NRZ传输系统并协同仿真分析在不同光纤传输长度和驱动信号下NRZ信号的系统性能。仿真结果表明:当加载幅度为5 V方波信号时,产生调幅信号的消光比为25.2 d B,最大传输距离为22.8 km,相应的系统功率损失为7.58 d B。     

成步文：放眼未来 不懈探索

专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。     

浅析GaN基新型结构HEMT器件

近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言,是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新型结构HEMT器件时,首先对GaN基新型结构HEMT器件的发展历程进行回顾,其次对GaN基新型结构HEMT器件的设计原理做了具体的分析,最后探讨了GaN基新型结构HEMT器件的基本结构。     

高性能碳纳米管光电器件和光电集成

当前,由于大多数光电器件的工艺与硅基电路不相匹配,致使其制备需要巨大的成本,且制备过程异常繁琐。本文就以碳纳米管制备材料为切入点,探讨高性能碳纳米管光电器件和光电集成的优化。     

半导体功率器件用氮化硅基片专利技术专利现状

<正>本文详细梳理了半导体功率器件用氮化硅基片的专利申请趋势、全球专利有效量占比、全球重点申请人、全球专利关注技术功效占比等,希望能对国内氮化硅基片的研发以及产业化提供一些指导方向。近年来,半导体功率器件朝大功率、高密度、集成化等方向发展,因此对陶瓷散热基板提出了更高的要求。目前,     

IGBT栅极绝缘特性测试方法研究

作为新型功率半导体器件的主型器件,IGBT广泛应用于工业、4C(通信、计算机、消费电子、汽车电子)、航空航天、国防军工等传统产业领域以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。IGBT的测试技术也随之进入了一个新的时代,本文针对IGBT静态测试中栅极特性I参数的测试方法进行了分析和验证。     

数控恒流器件的工作原理和特性

提出了利用Ｄ／Ａ转换特性研制数控恒流器件的方法,从理论上分析了器件的设计思想和性能,并研制成功新型数控恒流器件．测试结果表明,该器件样管具有优良的电性能,同时具有体积小、功率损耗低等优点．     

功率MOSFET开关参数对器件功耗的影响

功率半导体器件做为开关使用时,其动态参数对器件的功耗起着决定性的影响。本文通过实验,分析了场效应晶体管MOSFET的Qg参数对器件工作过程中功耗的影响。     

功率MOSFET关键参数的分析研究

功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。     

电子束蒸发制备Si基Al膜及其性能的研究

利用硅基阳极氧化铝(AAO)模板制备的一维纳米管线在光电子学和磁存储领域有广阔的应用前景而硅基Al膜的制备是硅基AAO模板制备的前提。硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率和剩余应力等都会影响硅基AAO模板的自组装过程。利用电子束蒸发在硅衬底上制备了一系列的Al膜,研究了沉积速率和薄膜厚度对硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率等性能的影响和规律。     

多孔硅及硅基发光材料

硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。     

带饱和电感的移项全桥DC-DC变换电路仿真研究

移相全桥DC-DC变换器实现了功率器件的零压导通,大大降低直流变换器中功率器件的开关损耗。但其常用拓扑电路在零压期存在内部环流,增加了电路的损耗,为了解决这一问题,可以在电路中增加饱和电感。文章介绍了电路的基本工作原理,并针对8kW的变换器,设计电路参数并进行仿真验证。     

新型应变SGOI/SOI/MOSFET器件结构及物理模型分析

<正>pointSOI技术和应变硅技术的广泛应用和融合大大提升了新型应变硅器件的发展,通过对新型应变器件结构及物理模型的深入分析和研究,有效改善了传统MOSFET器件因结构尺寸小的限制。同时,沟道掺杂工程在晶体器件中的广泛引入,使得新型应变SOIMOSFET器件得到了飞速的发展,在未来的社会发展中有着广泛的应用前景。     

谈利用公共技术服务平台,实践科学发展观——硅基材料技术服务平台的服务效果分析

通过硅基新材料技术创新服务平台在服务硅基材料企业中取得的实际经验和社会效益,阐述了硅基新材料技术创新服务平台在实践科学发展观中的重要作用。     

光伏逆变器功率单元的热设计

介绍了大功率IGBT功率器件功率损耗的组成,给出了功率器件散热器的热阻计算方法和步骤,简要说明了在采用风冷散热时应遵循的一般准则。     

创业虽难 其志仍坚——记南大光电工程研究院有限公司总经理谢自力

正专家简介:谢自力,南京大学电子科学与工程学院教授,南京南大光电工程研究院有限公司总经理。主要从事氮化物半导体材料MOCVD生长、器件结构设计、GaN基紫外光电探测器和太阳电池的结构设计与器件研发工作。"九五"期间,曾任原"863"计划半导体材料领域GaAs单晶材料评审专家。在InN材料、GaN基紫外探测器、InGaN太阳能电池研究以及氮化物发光二极管研究等领域分别取得了国际先进水平的研究成果。     

N型高阻外延材料制备

本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用桶式外延炉,在4英寸100晶向,2×10-2Ω·cm重掺Sb衬底上,生长厚度50μm、电阻率1000Ω·cm的N/N+型硅外延片,作为高灵敏度光电探测器的衬底材料;实验中,利用SRP、FTIR等测试方法,对材料的电学参数、几何参数以及过渡区形貌进行了测试分析,通过纯化原料、增强吹扫、洁净腔体等手段提高了材料的电阻率,优化了过渡区形貌,从而改善了器件的反向漏电特性。     

碳基双电层电容器功率特性的研究

以多孔活性炭为原料 ,制作了碳基双电层实验电容器 ,对这种实验电容器进行大电流密度放电、恒功率放电以及循环寿命测试研究的结果表明 ,该种电化学电容器具有良好的功率特性     

纳信息功能器件系统的关键科学问题和发展趋势

本文综合评述了国内外纳电子器件和新原理的纳功能器件的最新进展,指出硅基微电子技术正在向与新的、目前尚不明确核心技术的纳信息技术共同发展的方向转型,这是我国信息技术和产业后来居上的重要机遇。基于纳尺度各种显著的物理效应和多场耦合原理,开展低维纳功能器件的新原理、新性能、新架构的深入系统的研究,具有重大科学与现实意义。这类纳信息功能器件与硅芯片技术相融合的设计、工艺和技术将是需要突破的重大问题。随着纳米科学技术研究的重点向功能化器件系统方向发展,如何加强以产业发展为背景的研究,特别是加强微纳电子、芯片设计制造业与纳米科技基础研究的结合,加强微纳硅工艺与新的纳米技术的结合,加强高水平科学研究发现与关键技术创新的结合,是我国纳米科学技术发展的重要问题。