集成电路γ射线料位计的研制

本文介绍了浙江省技术物理应用研究所研制的LWJ85-I型集成电路γ射线料位计的电路工作原理。运用集成电路作为中心元件制作γ射线料位计在国内尚无公开介绍。     

超特高压直流输电工程实现中国造

中国科学院上海微系统所SOI（绝缘硅）小组与上海宏力半导体制造有限公司研究人员密切合作,利用双方在SOI材料科学研究和集成电路制造方面的优势,在国内首次利用标准CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺平台开发出10Gbps速率的硅光调制器芯片,该芯片可以和电路集成在同一SOI硅片上,     

生物芯片上创奇迹:DNA计算机

电子计算机是20世纪最重大的科技成就之一。自1945年世界第一台电子计算机“ENIAC”问世以来,计算机科学得到了惊人的发展,已经经历了第一代电子管计算机、第二代晶体管计算机、第三代集成电路计算机、第四代大规模集成电路计算机。进入80年代,一些国家在研制第五代计算机时,发现集成电路的制造工艺已经达到了理论极限,即集成电路为平方毫米十几万到几十万个元件,但难以达到百万个元件,即使集成度再提高,其运算速度也难以解决。因此,世界上发达国     

微电子学中的SOI技术

一、引言在绝缘衬底上生长单晶硅(Silicon-on-Insulator,简称SOI)的技术是80年代倍受青睐的一项微电子先进技术。其近期目标是制造超高速和抗辐照的高可靠集成电路,并广泛地用于制造新颖的传感器件。其远期目标是立体的高集成度三维集成电路,透明绝缘衬底上生长的硅单晶膜,在平板显示和大面积图象敏感器件等方面也有诱人的前景。     

加科学家实现光在硅片中传播

加拿大多伦多大学的科学家最近成功开发出一种光波在硅片上的传播技术，这一技术为制造新一代光电集成电路带来了希望。     

钨刻蚀残留的改善

钨CVD在现代先进集成电路制造中有着不可或缺的应用,利用氟化学药品产生等离子体刻蚀钨的钨回刻工艺在业界中被广泛地使用。在集成电路制造过程中会发生钨被刻蚀以后硅片表面仍有大面积的宏观钨残留的现象,这样会造成电路失效,导致废弃硅片。钨薄膜淀积的均匀性是造成钨刻蚀残留的主要原因,通过改善钨薄膜淀积设备的一些设置,作业方法和作业条件的合理分配,以及钨刻蚀的条件,有效地改善了钨刻蚀残留现象,减少了硅片的废弃．     

新发明 新产品

新发明新产品日本日立电器公司研制出一种价格更低廉的半导体新材料。这种材料是用石墨纤维与铜粉按一定比例配合而成，可用在大功率晶体管印刷电路板、集成电路等电极上，代替目前价格昂贵的钨和钼。由于成本低廉、工艺流程简化，因而可将大规模集成电路的材料造价降低到...     

平面工艺制造集成电路的研究

平面工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程,制作出集成电路;器件和电路都是在芯片表面一层附近处,整个芯片基本上保持是平坦的。单片集成电路工艺是利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。     

硅片，再见!

硅片制造业并非是一个经常占据头版头条新闻的工业。其世界销售量并不大——去年大约为22亿美元。硅片制造技术是贝尔电话实验室于20世纪50年代首先研制成功，时至今日该技术已处于成熟期。但是，在今年春天Monsanto公司却将其硅片分公司卖给了一家西德公司，这样一来，硅片制造业便加入到由美国公司所开创其后又被抛弃的一些工业的队伍之中。     

LED全彩色显示大屏幕驱动设计

随着计算机技术、大规模集成电路和专用元器件的飞速发展，TI公司的最新推出的TLC5941驱动芯片具有点校正和高亮度等级的特点。可以构成高性能的显示系统。     

浅析110kv中性点接地的分布与零序保护的关系

110kv电网中性点接地方式,直接关系到网络中设备的绝缘水平和过电压水平,还关系到过电压保护元件的选择以及继电保护的方式,在很大程度上影响着系统运行的可靠性和通讯干扰。     

世界计算机的发展方向

1945年,美国发明了第一台电子计算机。这台计算机主机的核心元件是电子管,体积庞大。翰人设备为纸带光电阅读机,即在纸带上打孔,纸被打穿光能通过,计算机读为1;纸未打穿光不能通过,计算机读为0。计算机利用这些0和1二进制数字,进行数值计算。 随着科学技术的进步,计算机在迅速发展,主机核心元件从电子管、晶体管发展到集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路;输入设备从纸带光电阅读机发展到计算机101键标准键盘;计算机的体积从占地几十平方米缩小到台式微机;主算机的功能从单一的数值计算到广泛应用于各行各业,包括数值计算、文字处理…     

计算机机房的雷电防护措施

计算机及网络设备由大量的集成电路组成,在1mm2芯片上集成了十几万个元件,最大击穿电压为几十伏,最大允许工作电流为几微安,只对低能量干扰比较有效,对雷电电磁脉冲生成的过电压和过电流的抗冲击能力十分脆弱,做好防御雷电保护工作。     

纳米技术人类文明的加速器

我们都已感受到信息产业发展之迅猛,不论是计算机、手机、还是电视机,型号更新都很快。其原因是所用的微电子芯片按莫尔定律发展,每18个芯片中元件的集成度翻一翻,性能和工作频率提高,元件的平均价格下降。元件愈做愈小,会碰见三个极限:现有原理极限、材料及制作困难趋向极限和投资极限。解决这些问题的出路在于突破现有原理,利用量子效应,研究新原理、新材料和新工艺,制作量子元器和集成电路。也就是说发展的必然趋势是走进纳米科技。     

用X射线减小芯片尺寸

由麻省理工学院研制的X射线金属板印尉设备克服了目前硅片技术中存在的缺陷。它不仅能使设计人员制造出尺寸仅为25nm的元件．而且与传统的金属板印刷技术相比．该技术的适应性更强，也更易于定做芯片。这是由于请设备摒弃了传统的具有固定模式的掩模．该掩模为“漏印板”，光通过此板即可在硅片表面蚀刻图案。     

大规模集成电路的功能测试研究

本文介绍了大规模集成电路功能测试的基本原理,并对集成电路功能测试的几个主要方法进行了概述,通过对比每种测试方法的优缺点,进而得出模拟故障法为适合我国大规模集成电路功能测试的最佳方法。该方法主要是解决了随着大规模集成电路的发展,单个电路本身的输入、输出管脚数量不断增加而带来的测试矢量呈现指数增长的问题,从测试时间和测试成本上考虑,使用传统的穷举法已经不可能符合大规模集成电路的测试要求。与传统的穷举法相比,它可以在不降低测试结果的准确性和可靠性的同时,使编制程序所需要的测试矢量控制在可以接受的水平上。最后,本文介绍了模拟故障法的主要思路和测试顺序。     

信息屏幕

本实用新型(专利号:98232786.2)是一种安全型电加热管,由进出水管、密封环、密封圈、热交换管、绝缘电加热体、绝缘导热体、电热膜等构成。电热膜制作在绝缘电加热体的外壁上,绝缘导热体填充在热交换管与电加热体之间,其优点是通过双重绝缘,完全解决了漏电问题,使用安全可靠。     

缺乏核心技术困扰我国信息产业的发展和国家安全

核心技术相差太远 在信息产业发展中软件是大脑,集成电路是心脏。有专家预测,我国在大脑和心脏的最核心的技术方面与国外相差至少30年,比如,美国最先进的集成电路生产线已开始采用12英十硅片、0.13微米芯片的工艺技术。而我国目前仍以5-6英     

20世纪影响人类生活的20项发明

16.集成电路 发明者:杰克·基尔比 玻勃·诺耶斯(美国) 发明时间:1958年 集成电路主要是硅,它是地球上除氧以外含量最丰富的元素。许多人把集成电路称做“硅片”。它不仅成为当今电子科学技术的基础,而且正在创造     

科技快递

DNA电路最近,美国加利福尼亚大学和圣迭戈的一家公司研制了一种使DNA在不久的将来就可能用于连接微型电路的元件,并已申请了专利。他们将这种微型电路用预定的DNA片段涂覆,而在起基体作用的硅片上用辅助的DNA片段涂覆。当把微型装置和基体浸在溶液中联结在一起时,辅助的DNA片段也彼此结合。这种DNA电路系统可以用于1纳