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研究了掺Al或Ag微粉的聚丙烯(PE)基和聚二氟乙烯(PVDF)基复合材料的导电开关特性,发现在某一电场阈值(对应开关电压阈值VK)附近、复合材料的电导率随外电场为化而发生大幅度变化,还研究了掺入金属微粉的种类、体积比及颗粒度对VK的影响,验证了量子隧道效应是复合材料导电开关特性的主要机理。 相似文献
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本文研究了掺Al或掺Ag微粉的聚丙烯基和聚偏氟乙烯基导电开关型复合材料的受γ辐射效应。发现吸收一定剂量的γ辐射后,材料的开关电压阈值Vk降低。 相似文献
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本文研究了掺A1或掺Ag微粉的聚丙烯(PE)基和聚偏氟乙烯(PVDF)基导电开关型复合材料的受γ辐射效应。发现吸收一定剂量的γ辐射后,材料的开关电压阈值Vk降低。并发现导电开关型复合材料存在三个累积辐射剂量界限:γ0、γ1和γ2。当累积辐射剂量小于γ0,复合材料Vk数值的变化与自然老化相似;当累积辐射剂量大于γ0但小于γ1,材料的开关性能变差,但停止辐射后经历一段时间后可以自行基本恢复;当累积辐射剂量大于γ1但小于γ2,材料的导电开关性能消失;当累积辐射剂量大于γ2后,材料将永久损伤。本文从理论上分析并验证了γ辐射的电离效应和量子隧道效应的叠加作用是产生复合材料上述受辐射效应的主要原因。 相似文献
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熊淑平 《实验室研究与探索》2014,(2):57-59
通过对某些测试方法的改进,设计了综合测试方案,以达到最终实现对薄膜样品膜面、膜厚两个方向上电导率和Seebeck系数的测试。制备了薄膜样品。应用电子束微影技术,在矽晶片表面制造纳米孔洞阵列结构,以改善半导体介面性质并增进其导电性,研究结果显示,在矽晶片表面建构方型孔洞阵列,且在孔洞够小的情况下,与未建构纳米孔洞而只做退火处理的对照样品相比,有效降低了导体的接触电阻,在金属导体电接触中,拥有更加优良的导电性,即在低温制程的中小孔洞阵列结构能取代退火处理。纳米科技有效增进半导体薄膜接点导电特性。 相似文献
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本研究了导电加热切削的刀具磨损特性,分析了导电加热切削的刀具磨损机理、电热特性以及刀具的适应性。 相似文献
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主要介绍了ACS交流开关在阻性负载和感性负载应用下的不同特性、ACS交流开关的最高开关频率的选择和ACS交流开关在使用中的温升等要注意的问题,目的是使设计人员能够针对具体应用案例做出正确的设计. 相似文献
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杨书义 《中国教育技术装备》2005,(5):17-18
用废旧灯泡、木板等简单易得物品自制教具演示物体热导电特性,以帮助学生理解“绝缘体和导体的互相转化”,从而减轻教学难度,提高教学效率。 相似文献
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具有亚微米结构的聚合物复合材料中,电子因具有介质击穿效应和量子隧道穿透效应而能自由运动,使材料导电。亚微米复合材料按电学性能可分为绝电材料、可变电导材料、导电材料三类,其中导电材料是一种新型材料,其性能与金刚石的性能相反,可望广泛用于微电子和能源等高技术领域。微米量级的金属Ni粉和纳米量级的ZrO2粉在烧结过程中不发生界面反应和化学反应,使烧结体的微观结构雏持在原始颗粒的尺寸,即亚微米量级,证明了在亚微米结构的金属陶瓷中存在着渗流的现象。 相似文献
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具有亚微米结构的聚合物复合材料中,电子因具有介质击穿效应和量子隧道穿透效应而能自由运动,使材料导电.亚微米复合材料按电学性能可分为绝电材料、可变电导材料、导电材料三类,其中导电材料是一种新型材料,其性能与金刚石的性能相反,可望广泛用于微电子和能源等高技术领域.微米量级的金属Ni粉和纳米量级的ZrO2粉在烧结过程中不发生界面反应和化学反应,使烧结体的微观结构维持在原始颗粒的尺寸,即亚微米量级,证明了在亚微米结构的金属陶瓷中存在着渗流的现象. 相似文献
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曹玉英 《成都教育学院学报》2010,24(5):70-71,94
“程控交换原理”是通信工程专业的重要专业基础课,内容比较抽象、难懂。在教学中必须重视知识间的联系,包括理论知识与实用技术、实际设备、应用实例之间的联系;重视该课程与数字电子技术、单片机原理与应用、DSP技术及应用、EDA技术等课程之间的联系;并对比小型程控交换机和大网设备ZXJ10程控交换机的区别和联系。 相似文献
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对构建一般非线性切换系统的切换律进行了讨论,由系统的渐近能控性出发,在一定的假设前提下,得出了存在依赖于状态的切换律,使闭环系统在广义的意义下渐近稳定的结论.结论推广到了仿射控制系统,给出了使系统镇定的一个充分条件. 相似文献
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任务转换中的执行控制研究 总被引:2,自引:0,他引:2
个体的认知活动总是在不同的任务之间转换。有关任务转换中的执行控制的研究,一般把任务转换分为同时性程序和继时性程序两种类型。目前主要有6种理论解释:“从注意到行动”理论(ATA)、“前额叶执行”理论(FLE)、执行控制阶段模型(SMEC)、“策略性反应一延迟”理论(SRD)、两成分模型(TCM)以及平行分配加工理论(PDP)。这些理论从不同的角度阐述了任务转换中的执行控制机制。它们之间相对独立而又紧密联系,为探讨个体的认知机制提供了重要的理论基础。 相似文献
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房丽敏 《辽宁科技学院学报》2007,9(1):33-35
通过数值自洽求解定态的维格纳方程和泊松方程,计算了一维多势垒结构偏压隧道电流,讨论了共振隧穿结构参数(量子阱宽度)连续变化对其电流特性的影响.数值模拟结果给出这类电子器件的量子极限--可观察到共振隧穿现象的量子阱宽度的限度. 相似文献