非线性控制的硅堆稳压控制器设计

基于窗口黾路和AT89C2051单片机设计实现了一种非线性控制的闭环自动硅堆稳压控制器，该控制器具有自动适应硅堆压降变化、断路故障自主处理等功能。本文提出的数模结合非线性闭环控制电路提供了一个低成本数字闭环电路的解决方案。     

微纳米SiC—MoS2／Ni基复合电刷镀层微观组织与耐磨性能

通过对微纳米SiC颗粒进行表面修饰处理,采用电刷镀技术制备微纳米SiC—MoS2/Ni基复合刷镀层。通过单因素试验和正交试验,分析研究微纳米SiC和MoS2的含量对镀层形貌和耐磨性能的影响。结果表明：镀液中加入经表面修饰的微纳米SiC颗粒可以提高镀层硬度;同时在干滑动磨损试验条件下,微纳米SiC—MoS2复合刷镀层具有良好的耐磨减摩性能。     

三种Fe—Al/SiC复合涂层的冲蚀性能研究

本文采用20钢为基体,依据SiC添加量的不同,利用高速火焰喷涂技术制备出Fe-25Al/7SiC、Fe-25Al/1 1SiC、Fe-25Al/15SiC三种铁铝金属间化合物复合涂层,比较研究了涂层的抗冲蚀磨损行为.利用扫描电镜分析涂层冲蚀后的表面形貌.结果表明:Fe-Al/SiC复合涂层具有较好的抗冲蚀磨损性能,对基体可以进行有效的防护.其中,Fe-25Al/11SiC复合涂层的抗冲蚀磨损性能最优;在90°攻角冲蚀的情况下,涂层的冲蚀失重随着温度的升高而减少;增强相SiC和CeO2的添加有效地提高了涂层的抗冲蚀性能.     

Al2O3-SiC复合陶瓷的制备及力学性能的研究

以枉径为0.5μm Al2O3和粒径为44 μm的SiC粉末为原料,采用无压烧结法制备Al2O3--SiC复合陶瓷,并研究了微米SiC顿枉的含量对Al2O3-SiC复合陶瓷力学性能的影响.通过对样品的抗压强度,维氏硬度和体积密度等表征,得到如下结论:随着SiC颗粒含量的增加,复合陶瓷的抗弯强度(115.02Mpa～65.27Mpa.)和体积密度(3.34g/cm3～3.03g/cm3)均下降;硬度有最小值(162.56Mpa)出现.     

钢结与Al2O3、SiC复相陶瓷硬质合金的研究

本文研究了Al2O3、SiC加入量不同、加入稀土后以及热处理与钢结硬质合金力学性能的关系。采用SPS烧结、测定密度、硬度和耐磨性等,进行了金相、数据分析。结果表明,加入Al2O3、SiC、稀土后有良好的强化效果,热处理后使力学性能进一步提高。     

碳化硅纳米材料研究进展

本文对近年来SiC纳米材料的制备方法和应用情况进行了综述。虽然SiC纳米材料制备规模小、成本高、工序复杂,近期难以实现大规模生产,但SiC纳米材料性能优于传统的SiC材料,能够达到高新技术领域的严格要求,具有更为广泛的用途,为此,应进一步加大对SiC纳米材料的研究。     

SiC表面的氢等离子体处理技术

我们采用ECR-PEMOCVD等离子体系统在200℃下对SiC表面进行了氢处理。处理前后我们对SiC表面做了RHEED和XPS分析。通过分析我们发现经过氢等离子体处理的SiC表面比传统湿法的SiC表面平整度更高,C/C-H的含量显著下降,抗氧化能力显著提高提高。     

浅析SiC材料特性及生长工艺

SiC材料因为具有宽禁带、较高的临界击穿电场、较高的饱和电子速率以及非常高的热导率等优良特性,非常适合被用来制作高温、高频、大功率器件。本文对SiC的晶体结构及材料特性进行了简单介绍,并浅析了SiC材料的生长工艺及优缺点,对后续SiC研究趋势进行了展望。     

铜基复合材料的切削加工研究

应用切削加工车床、工具显微镜、光切法显微镜等设备研究了SiC颗粒增强Cu基复合材料的车削加工性能。结果表明,复合材料中SiC颗粒尺寸越大,硬质合金和高速钢车刀后刀面的磨损速率越快;复合材料中SiC含量越多,刀具后刀面的磨损量越大;复合材料SiC颗粒尺寸越大、SiC含量越多,复合材料切削加工表面粗糙度越大;在相同的切削条件下加工复合材料时,硬质合金比高速钢刀具有更好的耐磨损性能。     

2.5D碳纤维增强碳化硅基体复合材料疲劳寿命

本文以2.5DC/SiC陶瓷基复合材料为研究对象开展疲劳失效机理研究。首先,开展了2.5DC/SiC陶瓷基复合材料的力学试验,获取了复合材料的拉-拉疲劳特性,发现了2.5DC/SiC陶瓷基复合材料的疲劳破坏机理。然后,采用光学显微镜和扫描电子显微镜对C/SiC陶瓷基复合材料失效断口进行了观察分析。通过对比失效断口形貌和细观损伤模式,对2.5DC/SiC陶瓷基复合材料疲劳破坏特征进行了讨论。     

SiC纳米材料的制备及器件应用研究现状

SiC具有良好的物理性能和稳定的化学性能。本文从SiC微纳米材料的制备和器件应用展开综合论述,SiC微纳米材料被广泛应用在光电催化、光电探测器、场发射显示器等领域,是目前研究的必不可少的材料。     

一种SiC MOSFET驱动保护电路的设计

相比于同等级的Si MOSFET,SiC MOSFET因具有更高速的开关特性和更小的导通损耗而具有极大地应用优势。但是,SiC MOSFET更小的门极电容和更小的门极耐压范也使得其在应用时提出了更大的挑战。本文在分别对SiC MOSFET的开通关断过程进行分析之后得出其安全可靠驱动的要求,研究适用于SiC MOSFET的驱动保护电路,进行LTspice仿真验证,分析了施加不同外部电容和不同驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响,同时对保护电路的功能进行了PSpice仿真验证。     

HFCVD法制备SiC薄膜的研究

用热丝化学汽相淀积法以硅烷、甲烷、氢气为源气,在低温下沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜。用XRD法对生成的SiC薄膜进行分析检测。实验表明在钨丝温度为1900℃,钨丝到衬底的距离为0.8cm时可生成优质的SiC薄膜。     

福建物构所硅碳石墨烯理论研究获进展

中科院福建物质结构所吴立明研究员课题组通过全局粒子群的优化搜索算法与第一性原理方法相结合的手段,成功地预测了能隙为1.09eV 的二维平面SiC2硅碳石墨烯（g-SiC2）材料。     

具有电荷补偿层的SiCGe/SiC光控晶体管的特性模拟

本文提出了一种具有电荷补偿层的SiCGe/SiC的光控晶体管,主要利用SiCGe与SiC构成异质结来克服SiC材料对大部分可见光和全部红外光的不敏感性。结构上,在传统的npn晶体管底部加了一层P型电荷补偿层,在横向和纵向电场的相互作用下,来改善器件的性能。     

碳化硅晶须的高温稳定性

利用x-线衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对三种不同来源的SiC晶须的热稳定性进行了研究。实验发现SiC晶须在180℃以上显微结构发生变化,长径比减小。讨论变化机质及对复合陶瓷性能的影响。     

特种陶瓷在压缩机内圆磨削中的运用

陶瓷材料指所有无机非金属材料。是天然或人工合成的粉状化合物,经成型和高温烧结而制成的多晶固体材料。特种陶瓷是以纯度较高的人工合成化合物为主要原料的人工合成化合物,如Al2O3、Zr Q2、SiC、Si3N4、BN等。本文主要介绍SiC特种陶瓷。它具有良好的综合性能:硬度高,摩擦系数小(0.1~0.2),有自润滑性,是极优的耐磨材料。高温强度高,工作温度可达1600~1700℃,抗弯强度高。蠕变抗力高,热胀系数小,抗热振性能在陶瓷中是最好的。化学稳定性好,能耐各种酸、王水和碱液的腐蚀,也能抗熔融金属的侵蚀。具有优异的电绝缘性能。     

SiC/mullite复相孔陶瓷的常压烧结与性能研究

常压烧结以活性碳为造孔剂的SiC/mullite复相多孔陶瓷。测定了试样的显气孔率、孔径分布和热震性能,通过XRD及SEM等研究了SiC/mullite复相多孔陶瓷的晶相组成和显微结构。在配料中加入7%的CaCO3降低了烧结温度。     

彩色LED的实现方案

全彩色LED一般是由SiC或GaN等蓝色LED与其他材料构成的红、绿色相组合,构成混合型全彩色LED泡.现各国都在采用高发光效率的SiC蓝色LED,GaP红色及绿色LED,并做成LED泡,制成包括白色发光在内的可以多色发光的全彩色LED.     

热处理对Ni-P-纳米SiC化学复合镀层硬度的影响

在普通Ni-P-SiC化学镀工艺基础上,添加纳米尺寸的SiC粒子,采用超声波工艺分散纳米微粒,进行三因素五水平二次正交旋转组合试验,探索最佳试验参数(镀液PH为6,温度为86±1℃,镀液中纳米SiC浓度为3g/L)的复合镀层在不同温度的热处理时对硬度的影响规律。