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主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构,通过降低硅-金属界面态电阻,采用热处理合金手段,进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth,增加芯片粘附强度,提高晶体管的可靠性指标。 相似文献
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利用硅基阳极氧化铝(AAO)模板制备的一维纳米管线在光电子学和磁存储领域有广阔的应用前景而硅基Al膜的制备是硅基AAO模板制备的前提。硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率和剩余应力等都会影响硅基AAO模板的自组装过程。利用电子束蒸发在硅衬底上制备了一系列的Al膜,研究了沉积速率和薄膜厚度对硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率等性能的影响和规律。 相似文献
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硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。 相似文献
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《科技成果管理与研究》2012,(3):F0004-F0004
王守觉,中国科学院半导体研究所研究员,中国科学院院士,是我国半导体器件与微电子奠基人之一。1958年,他在国内成功研制锗合金扩散高频晶体管;1959~1963年负责研究全部硅平面工艺技术,并成功研制了五种硅平面型晶体管;1974年成功应用自制的图形发生器自动制版技术制成了大规模集成电路掩模版; 相似文献
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通过硅基新材料技术创新服务平台在服务硅基材料企业中取得的实际经验和社会效益,阐述了硅基新材料技术创新服务平台在实践科学发展观中的重要作用。 相似文献
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《科技成果管理与研究》2009,(12):20-20
美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管,有望在短期内取代硅晶体管,成为电力应用中的“半导体之王”。相关的研究报告发表在近期出版的《应用物理快报》上。 相似文献
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美国贝尔实验室的两名科学家在1947年发明了晶体管,当时它的长度相当于手表的直径。现在,贝尔实验室的另一个研究小组利用单个分子制成了晶体管,它的大小只有针尖的1000万分之一。科学家们预计,作为当代计算机基础构件的硅晶体管的体积在本世纪20年代将无法再缩小。有机纳米晶体管将使计 相似文献
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《发明与创新》2001,(9)
IBM公司宣布,该公司已经制造出当今世上速度最快的硅晶体管,这一进展预示着电信芯片能够在耗能更少的情况下以更快的速度运行.该公司计划在两年内将这种晶体管投放市场.这种微小的部件将为手机和光纤通讯网络中使用的芯片提供动力.这比现有的技术快80%,同时会将能耗减少一半.通过电缆或DSL调制解调器连接因特网的速度加快,或者手机电池使用寿命延长,消费者也许会注意到这种晶体管的存在.这种晶体管与电脑微处理器是不兼容的.这种晶体管在100吉赫的速度下进行了测试,但可以在210吉赫的条件下运行--这意味着它每秒可以开启和关闭2000亿次以上.在此之前,人们认为硅根本无法达到这样的速度,只有用磷化铟和砷化镓这样的稀有材料制成的晶体管才能达到这样的速度. 方留民 相似文献
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专家档案:成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 相似文献
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现在问世的计算机 ,无论是巨型计算机还是神经计算机 ,都是用硅芯片作为“心脏”,因此无论是晶体管的密集程度 ,还是计算机运算速度都有一定的极限。根据摩尔定律 ,计算机硅芯片尺寸只有指甲盖大小的硅晶片上的晶体管数目每 1 8个月就要翻一番。芯片性能的快速提高导致芯片的耗 相似文献