SiOxNy薄膜退火过程中N元素的流失对于Si结晶的影响

通过不同的溅射工艺制得了3组SiOxNy薄膜样品,并进行了不同的退火工艺。在退火后的样品分析结果中发现了薄膜中的N流失现象,并且对N流失促进了Si结晶的这种特点进行了分析和讨论,为今后利用N流失现象进行S i纳米量子点的制备提供了实验和理论依据。     

退火温度对ZnO：Tb复合薄膜的结构和形貌的影响

采用的两步法——先溅射成膜，后退火处理的工艺成功制备了ZnO：Tb复合薄膜，结合XRD、XPS、SEM等手段研究退火温度对薄膜结构和形貌的影响．发现退火温度950％，退火时间10小时为ZnO：Tb薄膜的最佳工艺参数——薄膜表面形成新奇T—A—ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒．     

硼掺杂纳米硅薄膜的热退火效应研究

采用等离子体增强化学气相沉积技术制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜,然后经过不同温度的热退火处理,获得硼掺杂纳米硅薄膜．结果表明,退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,在1000℃时,薄膜的晶化率达到77％,晶粒大小为3．9nm．退火温度低于600℃时,光学带隙随着退火温度的升高而变窄,高于600℃...     

利用快速热退火法制备多晶硅薄膜

为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火（RTA）技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪（XRD）和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.     

磁控溅射制备MoS_2/C复合薄膜及其结构表征

采用单靶与双靶磁控共溅射技术,在非晶态石英玻璃基底上分别沉积生长了MoS_2薄膜及MoS_2/C复合薄膜.利用X射线衍射、拉曼光谱检测技术对MoS_2薄膜和MoS_2/C复合薄膜材料的结构进行表征,探讨了退火处理前后薄膜结构的变化.结果表明,通过脉冲和射频双靶共溅射制备的MoS_2/C复合薄膜,碳原子对二硫化钼的空隙进行了填充,经过400℃真空退火20分钟,获得了结晶度较好的MoS_2/C复合薄膜材料.     

真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响

本文报道对用ＳｉＨ４辉光放电方法和溅射法制备的本征ａ－Ｓｉ薄膜样品，进行高真空退电导变化效应。     

不同退火温度下ZnO薄膜结构及光学特性的表征

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片上成功制备ZnO薄膜,对于不同退火温度样品采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明在300℃、400℃、500℃退火处理的样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.透射谱中能观察到明显的ZnO吸收边.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.PL谱中在380nm附近可观察到明显发光峰.     

反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。     

真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响

本文报道对用SiH_4辉光放电方法和溅射法制备的本征a—Si(非晶硅)薄膜样品,进行高真空退火的电导变化效应。     

退火温度对SiO_2薄膜微结构和光学特性的影响

采用射频磁控溅射技术用单晶Si(111)和载玻片制备了SiO2薄膜。对薄膜进行了不同温度的退火处理。利用X射线衍射仪,紫外-可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等测试不同退火温度下SiO2薄膜的微结构、透反射曲线和红外吸收谱。研究表明:退火后SiO2薄膜仍为四方结构,薄膜的平均晶粒尺寸随退火温度的升高逐渐增大,晶格常数与标准值相比均稍小。退火温度对薄膜平均反射率影响不明显;薄膜平均透射率随退火温度的升高先增大后减小。     

紫外光学薄膜在吸收基片上的光学透射率的推算

利用光学薄膜的界面反射和透射的光学原理，通过对空气-薄膜-基片所构成的单层膜系统光学特性的分析，在考虑基片吸收的情况下推导出单层膜系统的透射率公式，依据透射率公式可以求解薄膜的光学常数．     

ZnO薄膜的电化学沉积及其性能研究

以透明导电玻璃(TCO)为衬底,用硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极电沉积法合成了ZnO薄膜.通过改变电解液浓度、温度和沉积电压等实验条件,系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程.用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光谱法等技术对沉积物的形貌、结构及光学性质进行了表征.结果表明,通过控制电解液的浓度和温度及沉积电压等反应条件可以制备出不同形貌的ZnO薄膜.XRD结果表明,所得的ZnO纯度高且呈六方纤锌矿结构;光谱法研究表明,该薄膜在344 nm和552 nm处有两个吸收峰,禁带宽度为3.25 eV.     

Effect of annealing on wet etch of amorphous IGZO thin film

Amorphous InGaZnO (a-IGZO) film is deposited on the glass substrate by radio-frequency sputtering and the influence of annealing on wet etch of a-IGZO films were investigated. The results show that etch rate of IGZO films decrease with the increase of annealing temperature. Etching taper angle is less than 60° and critical dimension (CD) loss is less than 1 μm in over-etching time of 30 s. The fact implies that IGZO films etching with oxalic acid may be a good wet etching way for the thin-film transistor (TFT) array process.     

Effect of annealing on wet etch of amorphous IGZO thin film

Amorphous InGaZnO (a-IGZO) film is deposited on the glass substrate by radio-frequency sputtering and the influence of annealing on wet etch of a-IGZO films were investigated.The results show that etch rate of IGZO films decrease with the increase of annealing temperature.Etching taper angle is less than 60 and critical dimension (CD) loss is less than 1 μm in over-etching time of 30 s.The fact implies that IGZO films etching with oxalic acid may be a good wet etching way for the thin-film transistor (TFT) ...     

氩氧比对射频反应磁控溅射制备TiO2薄膜亲水性能的影响

采用射频磁控溅射法制备了锐钛矿相TiO2薄膜,在基片温度、溅射功率、溅射时间以及靶材与基片间的距离等因素不变的情况下,研究不同氩氧分压比对薄膜亲水性能的影响。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射光谱(XRD)表征了薄膜的微观表面形貌和晶相组成,采用静态接触角(SCA)评估薄膜的亲水性。实验结果表明不同氩氧比制备的锐钛矿相TiO2薄膜,紫外光照12 h后,接触角降到10o左右,而氩氧比小于等于5:5的接触角都低至5o左右,达到了超亲水性。氩氧分压比为4:6时,样品薄膜的光致亲水性最佳且光照后亲水性的保持较长。     

衬底状态及热处理对Sm-Fe GMFs磁致伸缩性能的影响

采用IBS法在锡青铜衬底上溅射沉积Sm-Fe非晶态超磁致伸缩薄膜,研究衬底的表面状态和薄膜热处理对Sm-Fe薄膜磁致伸缩性能的影响.实验结果表明,锡青铜衬底状态对Sm-Fe超磁致伸缩薄膜磁伸性能有很大影响.样品经过200℃真空热处理后,100 mT内dλ/dH值从制备态Sm-Fe薄膜的0.71×10-3 T-1提高到2.48×10-3 T-1,薄膜低场磁敏性得到显著提高.     

Measurement of the thermal transport properties of dielectric thin films using the micro-Raman method

The micro-Raman method is a non-contact and non-destructive method for thermal conductivity measurement. To reduce the measurement error induced by the poor fit of the basic equation of the original micro-Raman method, we developed a new basic equation for the heat source ofa Gaussian laser beam. Based on the new basic equation, an analytical heat transfer model has been built to extend the original micro-Raman method to thin films with submicrometer- or nanometer-scale thickness. Experiments were performed to measure the thermal conductivity of dielectric thin films with submicrometer- or nanometer-scale thickness. The thermal resistance of the interface between dielectric thin films and their silicon substrate was also obtained. The obtained thermal conductivity of silicon dioxide film is 1.23 W/（m.K）, and the interface thermal resistance between silicon dioxide film and substrate is 2.35×10^-8 m^2.K/W. The thermal conductivity and interface thermal resistance of silicon nitride film are 1.07 W/（m.K） and 3.69×10^-8 m^2.K/W, respectively. The experimental results are consistent with reported data.     

退火温度对Ce掺杂ZnO薄膜光学特性影响的研究

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片和Si-SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明大部分样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰,退火温度升高能够提高本征发光峰强度,抑制可见光区发光强度.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.     

HfOxNy薄膜的制备及其性能研究

本文采用磁控溅射法制备了HfOxNy高介电薄膜，结合XRD、XPS等手段研究了退火温度对薄膜的结构和化学键态的影响，发现N的掺入使Hf4f峰位向低能方向移动．而随着退火温度的升高，Hf4f的双峰峰位向着高结合能的方向移动，这表明N的含量随着退火温度的升高而降低．XRD结果显示N的掺人能提高薄膜的晶化温度．     

溅射法在不同O2／Ar比例下制备HfO2薄膜

作为一种性能稳定的绝缘体,HfO2在电子、光学以及能量相关的领域中有着重要的应用。在本工作中,我们使用反应溅射方法在不同O2／Ar比例下制备了HfO2薄膜。XRD结果显示,O2／At比例并不能明显的影响样品的结构。通过Debye—Schener公式估计,样品由纳米晶粒组成。在O2／Ar比例为0．06（功率12W）时制备的样品最接近化学配比。在可见光区域,样品具有很好的透光率,T〉85％。明显的吸收发生在波长小于220nm时。通过Tauc公式可以估算出,样品的带隙在5．051到5．547eV范围内变化。