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在电子产品的生产过程中,中小功率的晶体管生产是一个非常重要的生产环节。芯片作为晶体管的核心组成部分,其能否在晶体管中正常使用是衡量晶体管生产质量的主要指标。这些晶体管芯片一般是以批量生产的方式单独生产,然后再通过集电极使其与晶体管安装在一起,最终制成晶体管成品。但问题是在制备集电极时,金属和半导体之间并不能直接实现较好的接触,出现了整流效应。为了能够更好的实现两者之间的接触,我们决定采用在芯片背面进行金属化的处理方法,来实现半导体与金属的良好接触。现本文就主要研究探讨了中小功率晶体管芯片背面金属化的研制。 相似文献
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主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构,通过降低硅-金属界面态电阻,采用热处理合金手段,进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth,增加芯片粘附强度,提高晶体管的可靠性指标。 相似文献
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《科技通报》2017,(9)
电镀铜残留的添加剂会导致铜在退火过程中很难产生大金属颗粒,造成孔洞缺陷。为此,将电子线路的微孔金属化技术应用于电镀铜工艺中,分析了电镀铜工艺的原理。介绍了电镀铜工艺中的重要阶段,包括电镀液与化学添加剂的选择阶段和退火阶段。分析了电子线路微孔金属化的实现过程,包括除油和整孔、微蚀、浸酸和预浸、活化和加速以及电镀锌。通过电子线路的微孔金属化对电镀铜工艺中的孔洞缺陷进行修复,以增加电镀铜的导电性能。实验结果表明,将电子线路的微孔金属化应用于电镀铜工艺后,电镀铜外观明显变得光滑且带有金属光泽,且镀层导电能力大大增强,说明电子线路的微孔金属化能够有效解决电镀铜工艺中的孔洞缺陷问题。 相似文献
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对于我国金属化有机薄膜电容器结构设计和热计算模型的建立。金属化有机薄膜电容器CAD软件的编制,不仅在一定程度上能增添机械设计的美感,而且还能增强设计的效果,在我国各领域都以得到广泛使用。 相似文献
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现代战场电磁环境日趋恶劣,严重威胁了电发火弹药的安全性与使用的可靠性.随着弹药包装向"以塑代木,以塑代钢"的趋势发展,为了解决弹药对包装材料电磁防护需求的问题,需要对工程塑料进行金属化处理.非晶态合金由于其优异的力学、化学及磁学等性能,可以通过在工程塑料表面制备非晶态合金镀层实现塑料的金属化,从而提高其电磁屏蔽能力,对电发火弹药满足电磁防护的需求具有十分重要的军事及战略意义. 相似文献
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《科技成果管理与研究》2011,(11):107-107
一种新发明的刻度密码转盘门锁(实用新型专利。专利号:200920237044.0),在该锁的背面增加了一个与前面刻度数码相等、数码排列方向相反的转盘。在锁里面前两个开口转盘中各增加了一个辅助部件协助工作,这样,开解锁时无论从锁的前面或背面从顺时针或逆时针旋转解锁都是同一的三个数码组。 相似文献
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VD—MOS(Vertical Channel Double Diffused MOSFET)是利用大规模集成技术,通过在硅基片上外延、多晶硅生长、离子注入、杂质扩散、化学气相淀积以及金属化等工艺过程制成。 相似文献
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单面焊双面成形是指焊工以特殊的操作方法,在坡口背面不采取任何辅助装置的条件下进行焊接,并使背面焊缝有良好的成形。单面焊双面成形技术是焊条电弧焊中难度较大的一种操作技能。打底焊通常指单面焊双面成型焊缝中第一层焊道,打底焊的主要目的是保证单面焊过程中的反面成型。采用间断灭弧焊法焊接平位板试件时操作对工件单面焊双面成型的影响。 相似文献