ZnO纳米棒与纳米管的制备及光致发光特性研究

采用水热法,以氯化锌和氨水为反应溶液,在Cu衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米棒和纳米管阵列。借助SEM和PL等手段对其结构和光致发光进行了分析研究。实验表明,ZnO纳米棒的生长过程结束后,自然冷却与恒温(40℃)溶解会使ZnO纳米棒发生优先溶解的区域不同,在溶解过程中,纳米棒的各处溶解的速率大小不同,形成了不同的纳米结构。在PL图谱中,ZnO纳米棒与纳米管表现出相似的弱的紫外峰和强的由于Cu杂质引起的绿光发射峰。     

Al2O3过渡层对ZnO薄膜性质的影响

采用磁控溅射（Sputtering）方法在Si（100）上成功生长了Al2O3薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过ZnO薄膜的表征。表明,ZnO薄膜能在Al2O3过渡层上沿c轴准外延生长,采用适当的Al2O3过渡层后,其电学性质也有大幅提高。     

ZnO单晶材料不同温度下光致发光性能研究

对ZnO单晶材料不同温度下进行了光致发光研究。室温下ZnO单晶有两个发光峰,分别为375nm的紫外发光峰和570nm的可见光发光带。随着温度的降低,出现两个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)和束缚激子(D0X)发光峰,并且束缚激子发光峰随着温度降低较自由激子变化明显。较低温度时在370nm到400nm出现多个发光峰,为声子(LO)参与的受主束缚激子(A0X)发光峰。10K时出现四个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)、表面激子(SX)和束缚激子(D0X)发光峰。     

碳纳米管薄膜的制备及引用研究

膜状碳纳米管保留了碳纳米管微观性状,同时在宏观上又体现出多样的应用性。本文介绍了碳纳米管薄膜的特点,对几种制备方法做了简要的介绍说明,通过对当前碳纳米管薄膜几大应用方向如传感器,场发射装置等的分析,展示了碳纳米管薄膜的巨大应用潜力。     

多晶钼酸钙薄膜化工制备的研究

随着近年来科学技术的不断发展,薄膜材料被广泛的应用在各行业工作和生产中,对于促进和推动企业的现代化工作和发展发挥着不可替代的作用。21世纪,社会的发展促使先进器械的广泛使用,各种型号的高反膜、分光膜、反射率光膜和增透膜等早已成为各种光学仪器中不可缺少的核心部件。随着社会生产技术的发展,薄膜不仅单纯的应用在光学仪器之中,在其他领域也得到了广泛的应用。多晶钼酸钙薄膜作为主要的薄膜组成成分,受到社会各界的关注与青睐。本文就多晶钼酸钙薄膜的化工制备工艺进行分析与研究,并提出了各种制备原理和优缺点。     

ZnO薄膜P型掺杂的研究现状

ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,必须获得性能良好p型ZnO。然而,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。     

二氧化钛光催化薄膜制备的研究进展

二氧化钛(TiO2)是一种重要的光催化剂,具有氧化能力强、稳定性好、无毒无害的特点.载体支撑的TiO2薄膜具有回收分离简单、可用于光电催化的特点,在环境污染物去除方面有广泛的应用,在解决环境污染问题有着不错的应用前景.文章通过总结近些年TiO2薄膜的常用合成制备方法、载体材料合成方法及改性技术,为制备高性能的并展望Ti...     

特殊形貌ZnO的水热制备及光催化性能

以十二烷基硫酸钠为形貌控制剂,醋酸锌和氢氧化钠为原料水热制备氧化锌。以甲基橙作为光催化降解的对象,实验结果表明,溶液初始浓度为0.5 mol.L-1、反应时间为24 h、反应温度120℃,氧化锌的光催化活性最佳,太阳光照2 h后,甲基橙的降解率为76.5%。XRD测试表明,ZnO为六方红锌矿相,SEM观测显示,ZnO晶粒主要呈规整八面体。     

二氧化钛薄膜材料制备工艺研究进展

TiO2薄膜材料由于其具有颜料特性及高的催化活性和光稳定性而应用广泛。本文通过查阅大量文献资料，主要对制备TiO2薄膜的常用方法，如溶胶-凝胶法，溅射法，化学气相沉积法进行了综述，以及对TiO2薄膜的制备工艺的发展趋势进行了简述。     

纳米硅变温光致发光谱的研究

研究了纳米硅在3K-250K温度范围的光致发光谱的特性。观测到纳米硅的三个发光峰,其中心波长分别为470nm、479nm和487nm。随着温度的升高,470nm的发光峰呈现蓝移且强度明显增强,479nm的发光峰位不随温度的变化而变化,487nm的发光峰随温度的升高出现微小的红移。基于量子限制效应,提出综合发光模型解释实验结果。     

固体薄膜制备技术

简要叙述了近年来固体薄膜制备技术,运用新技术进行薄膜样品的制备及性能的比较,主要介绍了目前应用较普遍的几种方法:如脉冲激光沉积法(PLD)、化学气相沉积法(CVD)、溶胶—凝胶法(Sol-Gel)等。     

常压下用化学气相沉积法制备TiO_2薄膜的最佳条件

Tio2薄膜材料由于具有其颜料特性极高的催化活性和光稳定性而应用广泛。本文通过查阅大量文献资料,主要对Tio2薄膜的常用方法中的化学气相沉积法进行了论述。     

压电薄膜传感器制备工艺的研究

集成电路技术发展引领着微电子学电路集成进入了系统集成的时代.集成化芯片系统不仅要强大的运算分析能力、信号处理能力,还要有可以感知外界信号的微传感器,并将运算结果作用于外界环境中的微执行器.本文从微传感器的发辰现状着手,分析了压电薄膜传感器的工作原理,并进一步介绍了PVDF压电薄膜传感器的制备工艺.     

ZnO:Ga麦克风微米结构的制备及其光学性质

以混合的Zn粉和金属Ga作为源,通过热蒸发方法合成了高产率ZnO:Ga麦克风微米结构。室温光致发光表明,可见发光峰可能是由于ZnO样品中的表面缺陷态引起的。发光动力学表明,低温光致发光由中性施主束缚激子(D0,X)、中性受主束缚激子(A0,X)和A0,X的一个伴线(A0,X-1LO)组成。随温度的升高各个峰的强度迅速下降。最后被自由激子(FX)取代,成为占主导地位的峰。     

氧气浓度对ZnO薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射法镀制ZnO薄膜,通过椭偏仪和四探针测试仪分析了氧气浓度对薄膜光电性能的影响.结果表明:随着氧分压的增加,薄膜折射率呈变大的趋势,电阻率升高,导电性能降低.     

常压下用化学气相沉积法制备TiO_2薄膜的最佳条件

Tio2薄膜材料由于具有其颜料特性极高的催化活性和光稳定性而应用广泛。本文通过查阅大量文献资料,主要对Tio2薄膜的常用方法中的化学气相沉积法进行了论述。     

镁锂合金表面CrN薄膜的制备及防腐研究

采用反应磁控溅射法在镁锂合金衬底上沉积了CrN薄膜。并通过XRD、SEM、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的组成、表面形貌,并着重研究氮化铬CrN薄膜在0.35%的NaCl溶液中对镁锂合金的防护性。结果表明：说明沉积的CrN薄膜提供了合金的抗腐性。     

金刚石研究的历史进展—单晶金刚石薄膜

人类在很早以前就发现了天然金刚石,虽然在自然界可以找到很大的金刚石晶体,但数量很少,很昂贵,只能作装饰品,为皇冠上的明珠,不能大量工业应用。1959年英国的M·P·Bovenkerk等用人造方法在高温高压下合成金刚石颗粒获得成功,为工业上大量应用金刚石颗粒开辟了道路,为制作切削工具,     

CIGS薄膜太阳能电池的制备工艺和产业化前景

文章介绍了CIGS薄膜太阳能电池的结构及特性、吸收层的主要制备工艺、并简述了其产业化前景。