锗的研究开发和利用

一发展和前期应用锗是1868年由德国化学家文克勒（Winkler）在分析硫化物矿石时发现的。为了纪念他的祖国,他把这一新元素命名为Germanium。锗的发现,填补了门捷列夫元素周期表第IVA族所留下的空白,证实了他所预言的“类硅”元素的存在,是化学史上的一个重大事件’‘’。由于锗与硅同族,具有半导体的性质,是良好的半导体材料,在第二次世界大战期间,开始被应用在雷达微波整流方面,1948年发明晶体管后,由错制出的二极管、三极管在电子工业中成为无线电、雷达、导弹、计算机、通讯、遥控等技术的关键部件,几乎取代了所有电子管的…     

德研制成锗晶体管

德国埃森大学和汉诺威大学2月12日宣布联合研制成锗晶体管,电子在其中的运动速度是在硅晶体管中的2～3倍。这种晶体管不仅在速度方面创造了新的世界纪录,还可能成为未来高速计算机的核。G部件。硅半导体晶体管是当前集成电路的基础,但电子在硅晶体管中的移动速度较慢,特别是随着芯片和晶体管的JJ、型化,电子在硅半导体中的移动速度几乎达到极限。科学家指出,在目前阶段,指甲大,J、的芯片包含了数百万个晶体管,电子在晶体管中的运动速度稍有提高,就能大幅提高整个芯片运算和存储的速度。电子在锗半导体中的运动速度比在硅半导体…     

电子技术基础(1)期末复习提要

1 半导体二极管、三极管和MOS管1.1 掌握的内容 半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容 半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数I_F,I_R,U_(BR)的物理意义,半导体三极管(NPN硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,α,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS管主要参数U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容     

电子技术基础(1)期末复习提要

1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN 型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 I_F,I_R,U_((BR))的物理意义,半导体三极管(NPN 硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS 管主要参数 U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容     

数字电子电路学习要点辅导

1 半导体二极管、三极管和 MOS 管半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关工作状态下的特点。在数字电路中,半导体二极管、三极管和 MOS 管往往相当于一个“开关”,它的作用是使信号“接通”或“断开”。因此,这些半导体器件在多数情况下。工作在截止或饱和状态(导通状态),掌握半导体器件的开关条件和特点,是本章的重点。现将半导体(硅)管、NPN 型三极管(硅)和 NMOS 管的开关条件及特点汇总于表1中。     

3AD50型非正常特性曲线影响MFB型发爆器质量的原因分析

3AD50型锗低频大功率三极管质量的优劣直接影响着MFB型发爆器产品的质量.本文通过对3AD50型三极管共发射极输出特性曲线的研究分析,找出评估3AD50型三极管质量的方法,就是采用DW4822型晶体管特性图示仪去观察三极管共发射极输出特性曲线,并计算出电流放大倍数h_(fe),以便选出最理想的曲线、放大倍数合适的三极管确定为合格的三极管而上机从而保证发爆器的质量.     

数字电子电路学习要点辅导

1 半导体二极管、三极管和MOS管 半导体二极管、三极管和MOS管的开关条件及开关工作状态下的特点。 在数字电路中,半导体二极管、三极管和MOS管往往相当于一个“开关”,它的作用是使信号“接通”或“断开”,因此,这些半导体器件在多数情况下.工作在截止或饱和状态(导通状态),掌握半导体器件的开关条件和特点,是本章的重点。 现将半导体(硅)管、NPN型三极管(硅)和NMOS管的开关条件及特点汇总于表1中。 表1 半导体器件的开关条件及特点     

数字电子电路期末复习指导

“数字电子电路”是中央电大1999级工业自动化、电子仪器与测量、应用电子技术、通信工程等专业的一门必修课。为了便于同学们做好期末复习,现按教材章节顺序将教学要求予以小结,并给出一些练习题供同学们复习时参考。 1 半导体二极管、三极管和MOS管 1.1 掌握的内容 (1)半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。 (2)半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点。     

万用表直流电压的测量误差

当调节RW使Ie=0.87mA时,用一块ME30型万用表的5V电压档测得晶体管发射极电压Ve=4.45V,基极电压Vb=2.40V.由于Vbe=Vb-Ve,根据测得的数据,则Vbe=2.40V-4.50V=-2.05V.我们知道,三极管正常工作时,发射结应正偏.硅管的发射结导通电压Vbe>0.5V.而图中的3DG6(硅管)的Vbe=-2.05V.因此,发射结反偏,管子应处于截止状态.可是,如果管子截止,Re上的电压Ve=4.45V又是从哪里来的呢?这不能说不是一个奇怪的现象.     

谈对三极管特性曲线饱和区的教学

近年来出版的不同版本的教材，对于三极管输出特性曲线饱和区的图示和叙述方法往往有所不同。尽管在工程应用中，对熟知晶体管特性的人员无大影响，但是在给学生讲授时容易引起误解和争议，给教学带来一定的困难。准确、通俗地传递关于三极管输出特性曲线的科学含义，方便教学，是本文的初衷。     

万用表的附加器

万用表是电学实验中常用的仪器，它可以测量电流、电压、电阻，而且每一种测量都有几个量程。为了使万用表应用更加广泛，本文将介绍一种线路十分简单的附加器，它可与不同型号的万用表配合，测量晶体三极管的穿透电流IcE。和电流放大系统p。一、电路原理图1测量p值的线路图图l中R。、Ri分别是PNP型、NPN型晶体三极管的基极偏置电阻。，给晶体管提供固定基极偏置电流人；Rn为限流电阻，当被测管发射极E和集电极C短路时，它能防止较大的短路电流损坏万用表；Ec为电源。由晶体三极管电流放大系数的定义知：虽然卢和p是两种不同含义的参…     

自制演示照度计

在初中新教材(人民教育出版社)物理第一册第75页“照度”一课中,由于是新增内容,许多学校均无照度计,为了满足初中阶段对学生进行照度知识的定性学习,并直观反映光源距离不同以及照射角度不同、光照度的变化等,特设计自制了这种非常方便的照度演示仪器。1制作原理利用半导体材料对光线的敏感特性。2制作材料光敏管(用DDO1三极管代用)、放大管、带柄的放大镜、钮扣电池四节、导线等。3制作方法用一只DDO1金属壳功率三极管,小心锉掉金属壳顶,作为受光敏感元件,注意不要将其内部半导体损坏(用DDO1功率三极管主要是为了有一个较大的半导体受…     

关于6J1的电路改进和安装调试时几个必须注意的问题——教学随笔

美音牌6J1晶体管收音机是我校为学生实验而采购的机型之一。本机系便携式六晶体管中波段调幅广播收音机,电路由硅、锗管混合组成,变频、中放基极偏流采用稳压电路装置供给,降压性能良好,具有较高的灵敏度和选择性(灵敏度不劣于1 mv/m、选择性≥20dB),造型新颖,美观大方,音质优美,结构简单,便于初学者学习、安装和调试.但是笔者从理论和实验两方面发现该机在电路设计方面的一点不足之处,以致影响了整机性能和技术指标。如图(1)所示,电阻 R_7、R_8、R_9和电容 C_8组成自动增益控制电路,电阻 R_7又和 R~4、R_8、R_9组成中放管 G_2的偏置电路,同时给检波二级管 D_1提供了起始电压     

电子技术基础(一)期末复习辅导

现将电子技术基础—数字电子电路课程的复习要求按教材章节顺序汇总如下,另外,给大家出了一些复习练习题,供大家期末复习参考。一、各章复习要求第一章半导体二极管、三极管和 MOS管1.掌握二极管的单向导电特性,开关应用时的开关条件及开关工作状态下的特点。2.掌握双极型三极管(主要是 NPN 硅     

一种“电流方向指示器”的制做及使用

图1是自制简易的电流方向指示器的原理图。该指示器广泛适用于磁场、电磁感应等章节的教学演示及学生分组实验。能直观地指示电流的方向,还能判别直流电与交流电,灵敏度高,变化范围大,成本低(约3元钱),制作容易。电路说明:由于锗管、硅管导通时,发射结所加电压不同,锗管约为0.2～0.3伏,硅管约为0.6～0.8伏。因此,对BG_1设置偏置电阻R_1、R_2,使BG_1的发射结上的电压有0.5伏左右,此时BG_1、BG_2都处于截止状态。D_1、D_2为发光二极管;W为电位器,用来调节输入信号的大小。当输入端输入电信号时,R_3就相当一个电源。当a点电势高于b点时,BG_1导     

一种多功能数字式晶体管图示仪的设计

为克服模拟式晶体管图示仪读数误差大、数据无法保存、无法直接读取晶体管特性参数的缺点, 设计了一款多功能数字式晶体管图示仪.以STM32F103芯片为嵌入式处理器, 通过外围电路测量得到晶体管的各电流值和电压值并存储至存储器.处理器对所测数据运算处理,绘制二极管、三极管、场效应管的特性曲线, 并得出二极管、三极管的开启电...     

模拟电子电路概念题练习

1　填空题(1 )在放大电路中 ,测得晶体管Ｔ1 Ｔ2 的三个管脚①、②、③的直流电位如表 1所示。请将制作管子的材料 (Ｓｉ或Ｇｅ)、类型 (ＰＮＰ或ＮＰＮ)及管脚①、②分别为哪个极 (ｂ、ｃ、ｅ)填在表内的空格处。表 1　晶体管管脚直流电位表 (待填表 )晶体管 　管脚电位 (Ｖ)　①　　②　　③管子材料管子类型管脚电极①　　②Ｔ1 Ｔ22- 52 .7- 0 270　　 (2 )放大电路中的晶体三极管一般工作在特性曲线的区 ,它属于控制型器件。(3)某三极管的输出特性曲线如图 1所示。由图可估算出 β = ,ＩＣＥＯ=,ＩＣＢＯ=,Ｕ(ＢＲ)ＣＥＯ= ,ＰＣＭ=。…     

几种偏置电路在三极管放大电路中的作用

在三极管放大电路中,为了使三极管在正常工作时对输入信号进行不失真的放大后在输出端有相同的信号的波形,就要使三极管始终工作在放大区而不进入饱和区和截止区,这就要给三极管加上一个稳定的静态工作点电流。而这个电流就由三极管的偏置电阻来提供,这些偏置电阻就构成了偏置电路,偏置电路向放大器的三极管提供的电流就称为偏置电流。因为要使晶体管处于放大状态,其基极—射极之间的PN结应该正偏,集电极—基极之间的PN结应该反偏。     

硅锗合金的热学性质

硅锗合金是一种无限互溶的固溶体,它可以通过精确改变组分的含量来获得.国内外对硅锗材料在微光电子的研究已有报道,但对其热学性质的研究还很少.文章通过介绍了组分、载流子的浓度以及声子对硅锗合金热导率的影响,突出了温度和比热容对硅锗合金热导率的影响函数关系.     

控制电学之四划时代的发现——三极管

三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件。其作用是把微弱电信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。