TbCo非晶薄膜垂直各向异性的磁偶极模型分析

根据稀土-过渡金属薄膜中原子磁矩的亚铁磁结构排列，建立TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性的磁偶极模型，依此计算TbCo非晶垂直磁化膜磁各向异性能Ku值随温度的变化．与实验测量结果比较，稀土原子、过渡金属原子以及稀土-过渡金属原子之间的磁偶极相互作用，只是TbCo薄膜存在垂直磁各向平性的次要部分．     

TbCo磁化膜制备工艺对其垂直磁各向异性的影响

利用磁控溅射法在玻璃基片制备TbCo非晶垂直磁化膜,采用样品振动磁强计和磁转矩测量仪测量薄膜的磁性能和磁转矩曲线．结果表明：Cr底层、TbCo磁性层组分、溅射气压、基片偏压、退火温度和TbCo磁性层厚度对薄膜的磁各向异性能都有很大影响．．     

倾斜溅射FeCoDy薄膜静磁性能与磁化反转机制

研究了倾斜溅射制备的(Fe_(65)Co_(35))_(92.2)Dy_(7.8)薄膜的静磁性能与磁化反转机制.制备得到的薄膜为非晶薄膜,表现出良好软磁性能与单轴各向异性.其易轴方向矫顽力随溅射角度增加而增加.在39°溅射的薄膜中获得最大的单轴各向异性场为898.1 Oe.接近难轴方向的磁化反转由一致旋转占主导,而接近易轴方向时由畴壁反钉扎机制占主导.基于LLG方程的计算表明,通过调控倾斜溅射角度,薄膜的铁磁共振频率可由5.3 GHz调制到10.9 GHz,展示了在微波器件中的应用前景.     

原子的磁矩、顺磁性和抗磁性

本文从原子磁矩的计算入手,按着运用量子力学微扰论方法探讨原子顺磁磁化和抗磁磁化的量子理论。     

立方各向异性磁性薄膜的磁化反转过程分析

采用能量极小原理研究了含有立方各向异性的磁性薄膜中的磁化反转过程.存在一个临界磁化角度使得磁化强度将从一次跳跃过渡到两次跳跃,并使得磁滞回线表现出不同的形状。     

磁化学实验与磁天平

磁天平是高校进行磁学、磁化学及科研实验必不可少的仪器之一,它主要用于对顺磁或逆磁物质结构等方面的研究。物质的磁性一般可分为顺磁性、反磁性和铁磁性。顺磁性是指磁化方面和外磁场方向相同时所产生的磁效应。在外磁场作用下,使原子、离子或分子的固有磁矩顺着磁场方向转向是顺磁性产生的原因。反磁性是指磁化方向和外磁场方向相反时所产生的磁效应。在外磁场作用下,电子的拉摩进动产生了一个与外磁场方向相反的诱导磁矩是物质具有反磁性的原因。反磁性是普遍存在的。铁磁性是指在低外磁场中就能达到饱和磁化,去掉外磁场时磁性并不消失…     

3.0%Si无取向硅钢磁各向异性的研究

无取向硅钢要求沿材料的所有方向都具有均匀的磁性能,即要求磁各向异性要尽可能地小,以便为旋转电机提供理想的磁性能。通过试验测试了3.0%Si无取向硅钢不同方向的磁感,铁损和磁致伸缩系数。实验结果表明55°和125°磁化轴为最难磁化轴,而0°和180°磁化轴为最易磁化轴,铁损的变化规律与磁致伸缩系数一致,即90°最大,0°和180°最小,采用相应的理论和数学模型能较好地进行模拟和解释实验结果。     

Cu掺杂对FeZrB软磁合金膜巨磁阻抗效应的影响

研究了Cu掺杂对FeZrB非晶软磁合金薄膜的巨磁阻抗(GMI)效应的影响。研究发现，未掺Cu元素的Fe88Zr7B5非晶软磁合金薄膜和掺了4at％过量Cu的(Fe88Zr7B5)0．96Cu0.04非晶合金薄膜均无明显的GMI效应．掺了3at％适量cu的(Fe88Zr7B5)0．97Cu0.03非晶合金薄膜则具有显著的GMI效应，在13MHz的频率下，最大纵向巨磁阻抗比为17％，最大横向巨磁阻抗比11％．     

磁性多层膜的发展概况

本文综述了由磁性和非磁性层交替重叠构成的金属磁性多层膜通常具有的界面磁各向异性、磁性层间耦合、维度效应、巨磁电阻效应,巨隧道效应等现象,由于界面原子的复杂结构以及磁性原子通过非磁性原子所发生的相互作用等因素使得磁性多层膜表现出丰富多采的性质,引起人们的极大兴趣。     

铁磁性物质的Weiss分子场及其本质

铁磁性物质的两个基本特点为自发磁化和磁畴结构.Weiss"分子场" 理论是解释自发磁化的经典理论,却不能说明"分子场"的本质,量子力学研究认为"分子场"的本质是相邻原子中电子间的相互交换作用导致的磁有序,因此,"分子场"的本质是静电作用.     

加磁场退火对铁基薄膜巨磁阻抗效应的影响

用射频溅射法制备了(Fe88zr7B5)0.97CU0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对(Fe88Zr7B5)0.97 Cu0.03薄膜软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明,纵向和横向磁场退火方式都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13 MHz频率下纵向最大GMI比分别为18％和17％;纵向磁场退火能有效消除薄膜样品的磁各向异性,优化薄膜样品的软磁性能;横向磁场退火则能有效感应横向磁各向异性并提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度。     

反应磁控溅射Cu-Al-O薄膜的结构和光电学性质研究

反应磁控溅射方法在玻璃基片上沉积Cu-Al-O薄膜,并对薄膜进行退火处理,研究溅射功率和退火温度对薄膜结构和光电学性质的影响。用X射线衍射仪、分光光度计等仪器对薄膜的性质进行表征,采用拟合正入射透射谱数据计算薄膜的厚度。结果表明：不同溅射功率条件下制备的薄膜为非晶态,透射率在近红外部分达到60%以上,电阻率随溅射功率的增加呈U型变化,在120 W附近,电阻率达到极小值;退火后,薄膜的XRD谱出现Cu4O3、Cu O和Al2O3的混合相,薄膜透射率有所提高,电阻率随退火温度的提高而先增大后减小。     

非晶碳化硅薄膜光学特性的热退火效应

通过Raman光谱、紫外-可见透射光谱技术及原子力显微镜对非晶碳化硅薄膜结构和光学特性的热退火效应进行了研究。结果表明,碳化硅拉曼谱带随退火温度的增加而逐渐红移和尖锐化,显示了薄膜中晶化有序度的提高。退火后薄膜包含大量紧凑的纳米团簇,膜面相对于未退火样品较为粗糙。根据紫外-可见透射光谱导出的光学带隙从原始样品的1．86eV连续增加到经1050℃退火样品的2．23eV。碳化硅薄膜中纳米团簇的形成及其晶化程度的增加导致了薄膜光学带隙的蓝移效应。     

Experimental Research of DLC Film Deposited by Filtered Vacuum Arc Evaporation

本文研究了过滤式阴极电弧沉积方法获得的类金刚石薄膜．实验研究电弧的稳定性和探针电流与沉积参数的关系，并系统研究了膜层的性能．膜层的摩擦性能也得到了研究．     

超高分子量聚合物胶膜的热拉伸

The three stages in the hot-drawing process of ultrahigh-molecular-weight polyethylene gel films can be detected by x-ray diffraction, infrared spectroscopy, birefringence and scanning electron microscopy. In the first stage of the drawing process, the lamellae in the gel films rotate and/or slip with the b-axis preferentially perpendicular to the drawing direction. With increased drawing, the c-axis of the lamellae become parallel to the stretching direction while unfolding of the chain begins, and the chains of the amorphous phase also orient along the drawing direction in the strain-chain domain. When the draw ratio is large enough, the lamellar structure is transformed into a fibrillar structure in a two-dimensional fashion.     

纳米颗粒薄膜的磁性

提出一种唯象的量子模型研究纳米磁颗粒膜在外磁场下的磁学性质 .用玻恩近似方法计算了两类不同磁相的颗粒膜的磁电阻 .结果表明 ,磁颗粒的平均散射截面随着原子数的增加而减少 ;巨磁电阻来源于传导电子与磁颗粒之间的与自旋有关的散射 .磁电阻随外磁场和磁矩的变化与已报道过的实验符合     

Fe3O4（100）／STO（100）薄膜的制备及磁输运特性研究

采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO（100）基底上制备了Fe3O4（100）薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度（约120K）时磁电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中栽流子浓度随着温度的降低而减小,In（n）与I／T基本呈线性关系,符合半导体热激活模型,迁移率随着温度的降低而减小,说明在薄膜内存在大量电离杂质中心。薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场。说明薄膜中APBs密度较低。     

AgNbFeB纳米微晶薄膜材料的制备及磁谱特性研究

利用磁控溅射法制备了AgNbFeB纳米微晶薄膜材料，对其结构和磁谱特征进行了分析和研究，发现该纳米微晶薄膜用作高频材料是很理想的。