过渡金属配合物构型畸变探究

分析了八面体配合物和四面体配合物畸变的原因,给出了判断八面体配合物和四面体配合物畸变的一般方法:配合物是否发生畸变要看中心离子电子云是否对称分布,若对称分布,就具有规则的八面体或四面体构型,否则,将会发生变形.     

用外层电子对互斥理论判断分子构型

该文通过外层电子对互斥情况来说明分子构型。     

角重叠模型及其在过渡元素配合物中的应用

本文对角重叠模型作简要介绍,并用它来解释过渡元素配合物的一些性质.如四配位体的几何构型;分子轨道稳定化能;二价过渡元素离子水化热等.     

推测四配位过渡族配合物几何构型的两种方法

本文介绍了推测四配位过渡族配合物的几何构型的两种方法,较好地解决了四配位过渡族配合物所出现的种种几何构型的问题。     

配合物水解反应机理的理论探讨

本文应用价键理论和晶体场理论研究了配合物[C_0X(NH_3)_5]~(2 )的水解反应机理。     

VSEPR模型与分子的立体结构判断

价层电子对互斥理论（简称VSEPR）可以判断一些共价型简单分子或离子的几何构型。该理论认为：AB_n型共价分子或离子的价层电子对（包括成键电子对和孤电子对）,由于相互排斥作用,而趋向尽可能彼此远离以减小斥力（体系能量最低）,分子尽可能采取对称的空间构型。根据此理论,只要知道分子或离子中的中心原子上的价层电子对数,就可以...     

用CFSE讨论配位数为四的配合物的空间构型

配位数为四的配合物,通常有平面四边形和正四面体二种不同的几何构型。相同配体不同形成体构型可能不同;同一形成体,配体不同时其构型也可能不同。即平面四边形构型与正四面体构型的配合物,其稳定性取决于形成体和配体的具体情况。我们经常碰到这样的情况,第二、第三周期元素作为形成体形成的四配位数配合物,通常是正四面体构型,如[AlCl_4]~-、[B_eF_4]~2-等。平面四边形构型的配合物则不常见。第四周期以后的元素,特别是过渡金属元素所形成的四配位数配合物,随着形成体d轨道的电子数不同,则可能是正四面体或平面四边形。一般又表现为,形成体的电子构型为d~0、d~5(弱场配体)和d~(10)时,通常形成正面体配合物。如d~0的MnO_4~-[TiCl_4];d5的[F_eCl4]~-、[MnCl]~2-;     

关于过渡元素中电子构型“特例”的讨论

元素铬的价电子构型3d~54s~1和过渡元素一般构型3d~x4s~2不同,在各过渡系中都有若干元素电子构型如(n-1)d~(x+1)ns~1,一般称为电子排布中的“特例”或“不规则”现象,这些元素叫做“特殊”构型元素。对于这个问题,无机化学教学中用“洪特规则的特例”来解释,而对于元素“特殊”电子构型与周期系的关系等问题未作进一步分析,还有人认为“不能用     

高中化学竞赛配合物构型问题的解题思路

根据高中化学竞赛大纲,结合自己多年的竞赛教学经验,对竞赛中出现的配合物问题进行总结,强调配合物构型在竞赛中的重要性。本文就配合物构型方面的问题展开论述,并对拓展知识反位效应和EAN规则进行了简要介绍,结合具体例题,总结出配合物构型问题的解题思路。     

环糊精与过渡金属配合物的包合物

环糊精及其衍生物不仅与简单客体分子包合，也与过渡金属配合物发生包合作用，其中环糊精衍生物与过渡金属配合物的包合作用，可通过环糊精修饰形成金属离子加冠环糊精主体分子，再与有机配体分子包合以及发生相互作用来实现。     

关于元素原子杂化轨道及空间构型判断方法的几点探讨

随着课程改革的深入,高考中对杂化轨道理论知识的考查也在不断加强,而据笔者长期教学实践发现,在一线教学过程中,和绝大多数教师一样,对元素原子杂化轨道及空间构型的判断主要采取价电子对互斥理论（VSEPR法）和归纳记忆法,而这两种方法都不利于学生学习能力的培养,在教学实践过程中效果也较差．采用价电子对互斥理论,由于所需记忆知识及学习要点（如氧族元素的价电子对的计算）较多,     

主族元素的桥联配合物

桥联配合物是从化学键的角度通过桥配体结合起来的化合物．多核配合物是从原子数目上讲含有多个金属原子的化合物，从概念上讲二者略有不同，不能将他们混为一谈．文章讨论了二者的联系与区别，提出了桥联配合物的定义、命名，并研究了主族元素桥联配合物的结构与功能和在周期表中形成的倾向性。     

过渡金属大环配合物电催化氧还原

本文综述了有机大环化合物如卟啉、酞菁类的过渡金属配合物对O_2还原的催化作用。     

芳香醛,酮缩氨基硫脲过渡金属配合物合成方法探讨

介绍了芳香醛,酮过渡金属配合物,从一些芳香醛,酮缩氨基硫脲过渡金属配合物合成中溶剂、温度,反应介质等条件的选择,归纳了合成这类配合物的基本法则。     

根据VSEPR理论推断共价分子的形状

理科《无机化学》(下册)第十九章介绍了简单价层电子对互斥理论对惰气化合物分子形状的处理结果。价层电子对互斥理论(简称VSEPR理论)最初是由西奇威克和鲍威尔于1940年提出的,随后海尔弗列雪,特别是吉林斯必(Gillespie)和宁荷姆(Nyholm)发展了这一理论。应用这个理论推断的许多简单共价分子(或离子)的形状都能同实验测定结果很好地符合。VSEPR理论和杂化轨道理论都是化学键理论中的一种近似模型,从不同角度看问题,     

晶体场理论和角重叠模型对配合物立体构型的解释和预测

本文从配合物的晶体场稳定化能（CFSE），分子稳定化能（MOSE）和结构选择能的具体数值的分析入手，论述了怎样应用晶体场理论和角重叠模型解释和预测配合物的主体构型。     

过渡金属与氧氟沙星配合物的制备与表征

合成了Cu、Hg和Zn氧氟沙星的配合物,通过元素分析,红外光谱分析,热分析表征了它们的组成和性质。