利用纳米级氮化硼和金量子点实现量子隧穿效应 美首次制造出不使用半导体的晶体管

美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。     

量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管

据报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题,在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件,在过去40年间,科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力,但目前这条道路似乎已快走到尽头。     

“性情大变”的纳米金

金是出了名的“极不活泼的”金属之一,不易被氧化,也不易被腐蚀。但美国科学家最新研究发现,金在纳米尺度下会“性情大变”：结构会发生奇异变化,还能具有磁性,甚至发生“金属——绝缘体”转化现象。科学家把仅有20个原子的金纳米簇吸附在氧化镁薄膜表面,然后外加一个电场。     

美科学家研制出新型隧穿场效应晶体管

c美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示．他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题．在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。     

平行耦合四量子点体系自旋相关的Fano效应

研究了平行耦合四量子点体系的自旋相关的Fano效应。量子点1、3和量子点2、4之间的耦合强度取定值,当量子点1、2之间的耦合强度很小时,对其输运性质基本不产生影响。量子点1、2间的耦合强度增大时,多通道间的量子相干会导致电导谱中出现Fano峰。     

CdSe/ZnS核-壳结构球型量子点光学克尔效应的研究

本文使用了紧致密度矩阵的方法,在有效质量近似下,对CdSe/ZnS核-壳结构的球型量子点中的光学克尔效应进行了研究.我们得到了不同核层半径R1和壳层厚度R2与量子点光学克尔效应三阶极化率x3ate谈施工的函数曲线,计算结果表明,在3nm-10nm的范围内,量子点的光学克尔效应强度和该量子点的尺寸密切相关.     

科学家开发出纳米级磁共振成像仪

美国IBM公司研究中心和斯坦福大学纳米探索中心的科学家们共同开发出一种磁共振成像仪（MRI）,其分辨率要比常规MRI高出1亿倍。发表在《美国国家科学院院报》的这项研究成果,标志着为在纳米级研究复杂3D结构提供分子生物学和纳米技术工具方面迈出了重大一步。     

纳米能源所首次利用摩擦效应高效能声音发电

中科院北京纳米能源与系统所（筹）工中林研究组首次实现了利用摩擦效应的高效能声音发电。他们将镀有金属电极的聚四氟乙烯膜（Teflon）和具有孔洞结构的金属电极膜贴合在一起。