无限长中空载流圆柱体的磁场分布特征

文章利用安培环路定理分析了无限长中空载流圆柱体的磁场分布特征.     

长直载流导线空间磁场分布的分析

电磁场中对长直或流导线空间磁场分布的分析,经常会应用到安培环路定理进行计算,但应用定理时要注意定理应用条件。本文详细的分析了有限长直裁流导线和无限长直裁流导线空间的磁场分布。     

无限长载流螺线管磁场分布特点的证明

由载流圆环的磁场和安培环路定理严格证明了无限长载流螺线管的磁场分布特点,即管内是均匀磁场、管外磁场为零;指出无限长载流螺线管的磁场是不能仅由安培环路定理求出的.     

载流螺线管穿过闭合环路时(B)的环流分析

分析了长直载流螺线管的磁场分布及其磁感应强度沿闭合环路的环流，指出载流螺线管穿过闭合环路时磁感应强度沿闭合环路的积分不等于μ0I.     

稳恒磁场高斯定理和安培环路定理的证明

从毕奥-萨伐尔定理出发,利用矢量分析的相关结论,对稳恒磁场的高斯定理和安培环路定理给出了简明且严格的数学证明.     

均匀旋转带电体轴线上的磁场分布

分析了均匀旋转带电圆柱体、球体、椭球体在轴线上的磁场分布，介绍它们计算方法，以加深对此问题的理解。     

载流环平面内的磁场分布

用毕奥-萨伐尔定律求出了载流环平面内的磁场分布，并用实验验证了它的正确性．     

磁场环路定理中H的物理含义

几乎所有的大学物理教材都把磁场环路定理中的H仅理解为总磁场强度,即H是空间所有传导电流的贡献,其实这不是绝对的,它还可以理解为包围在闭合路径之内的传导电流在闭合路径上产生的磁场强度。     

普通物理学中安培环路定理的另一种证明方法

在大多数电磁学教材中,常从无限长的载流导线激发的磁场出发来证明稳恒磁场的安培环路定理,然后指出这个定理是普遍成立的。本文给出了普通物理电磁学中,稳恒磁场的安培环路定理一般情况下普遍成立的证明方法。     

无限长载流导体板的磁场分布

真空中，一条无穷长直导体薄片宽为2a。载有电流1，1沿片长的方向流动，并且电流均匀分布在导体的横截面上，如图所示，这里我们选取横坐标（X轴）沿着导体板的横截面方向并且与导体板重合，纵坐标（Y轴）垂直于导体板且垂足O为导体板的中点。     

电流元激发的磁场在一闭合曲线的环流

从稳恒磁场的安培环路定律出发，论证了电流元激发的磁场的环流关系。     

载流园形线圈轴线附近的轴向磁场分布

本文应用微积分为大学理工科低年级学生从理论上弄清了载流园形线圈轴线附近的轴向磁场分布和亥姆霍兹线圈中点附近的磁场分布。     

半无限长直电流产生的磁场

本文介绍了一端延伸至无穷远.另一端对称地流出的半无限长直电流所产生的磁场的求法,对安培环路定理在此的应用加以探讨,并具体分析了两个具体问题,最后就不利用安培环路定理而在圆柱坐标系中进行求解提供了正确的方法.     

建立麦克斯韦方程的一种方法

本文根据矢量场的基本性质,利用规范变换的方法探讨电磁场的普遍规律,推导出了法拉第电磁感应定律和普遍情况下的安培环路定理,从而建立了麦克斯韦方程。同建立麦克斯方程的其他方法相比,推导过程简单。     

静磁场的空间特性

由静磁场在空间点、线、面、体上的性质,逐一从局域(场点)到整体(场域)揭示静磁场的力的性质(施力特性)和能量的性质(做功本领),阐释静磁场的基本规律,即高斯定理和安培环路定理,并给出静磁场的两个重要制约依赖关系——唯一性定理和互易定理.     

关于大学物理中的“安培环路定理内容”教学的探讨

本文是关于大学物理教学中涉及磁场中"安培环路定理"教学方法的一种探讨,充分利用磁力线的特点、毕奥—萨伐尔定律及简单的微积分知识,避免大多数教材中烦琐的数学推导,最终推导出安培定理的结论,使学生更容易理解和掌握。     

电磁场模拟磁控溅射装置中磁场的空间分布

通过建立通电线圈磁场的数学模型,采用FORTRAN语言自主编程,对磁控溅射靶附近由通电线圈产生的磁场分布进行了二维数值模拟计算。计算结果表明,当内、外线圈加反向电流,加大内或外线圈电流,可使线圈产生的磁场非平衡度增加。通过调节内、外线圈电流,控制磁场分布,而增加内或外线圈电流则可使真空腔内磁场强度分布更加均匀,从而控制了等离子体密度及能量分布,使等离子体在真空腔内分布均匀化。另外,这种外加的电磁场还会使磁控装置本体磁场增强,对磁控溅射产生的等离子体起到增强作用。此结果为磁控溅射装置上磁场配置提供重要参考依据。