Ce_(0.6)Zr_(0.4)O_2/γ-Al_2O_3复合粉体的制备及其结构研究

以氯氧化锆、硝酸铈、硝酸铝为原料,采用化学沉淀法在经过扩孔处理的γ-Al2O3基载体上制备出Ce0.6Zr0.4O2/γ-Al2O3复合粉体。为有效去除水分,减少粉体团聚,采用正丁醇与粉体共沸蒸馏。采用XRD技术对所得粉体的晶型及相结构进行了表征。结果表明:Ce0.6Zr0.4O2/γ-Al2O3复合粉体中CeO2为立方晶型,随着焙烧温度的升高,样品的衍射峰依次变强,半高宽变窄,说明晶粒变大,晶体的完整性变好。     

0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3铁电薄膜漏电流机制

以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3铁电薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.分析了薄膜的漏电流机制,研究表明,薄膜漏电流在低场强下(<32kV/cm)符合欧姆(热电子发射)导电机制并受到晶界限制行为的影响,在中场强下(32⁸5kV/cm)空间电荷限制电流(SCLC)机制占据优势,在高场强下(8585kV/cm)空间电荷限制电流(SCLC)机制占据优势,在高场强下(85¹00kV/cm)富勒-诺丁海姆(FN)隧穿机制起主导作用.     

PZT铁电薄膜疲劳状态下的电学性能

为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理,本文对PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持损失和印记特性的变化进行了研究。研究结果表明:在欧姆导电区域,PZT薄膜体电阻率随疲劳进程而减小,表明薄膜中氧空位体积分子数增大;在疲劳进程中,电滞回线向负电压方向偏移产生印记,同时保持损失随疲劳进程加剧,且正极化方向的保持能力相对更好;利用双势阱和氧八面体结构模型来解释实验现象,得到在疲劳进程中原胞内部的双势阱变浅、变窄导致极化下降,并且氧空位更易在氧八面体顶端形成而导致疲劳中产生印记和极化保持在正方向上更好的结果。     

外加应力对外延Pb(Zr_(1-x)Ti_x)O_3薄膜相图及物理性质的影响

用非线性热力学方法,研究了外加应力及组分对外延单畴Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜的相图及物理性质的影响.通过数值计算,得到了PZT薄膜在不同组分下的"外加应力-失配应变"相图.由相图可知,外加应力可以使薄膜发生铁电相变.在室温下,外加压应力能使薄膜的铁电相转变到顺电相.薄膜的压电系数对相变非常的敏感,施加一个适当的外加应力,可以大幅度提高压电系数.本文的计算结果,可以解释压痕仪和扫描力电镜研究铁电薄膜时所观察到的实验现象.     

x射线衍射研究单晶Si衬底上低温生长的LaNiO3／Pb（Zr0．52Ti0．48）O3／LaNiO3铁电电容器结构

通过脉冲激光沉积,于Si(001)单晶衬底上在550℃的衬底温度下生长了LaNiO3／Pb(Zr0．52Ti0．48)O3／LaNiO3/SrtiO3/TiN/Si异质结构。利用四圆x射线分析了该多层膜结构中各层曲轴向外延关系。     

Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜。不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火。采用X射线衍射、Hall测试、紫外-可见透射光谱测试及X射线光电子谱等分析测试技术对薄膜进行结构和性能表征,结果表明:ZnOSe薄膜具有良好的(002)择优取向;800℃退火后的薄膜中空穴浓度达到了1.517×1017 cm-3,实现了p型导电。     

溶胶-凝胶法制备SrNb_(0.05)Ti_(0.95)O_3薄膜及性能分析

以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4·Nb(C2H5O)5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3(SNTO)薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析:掺杂Nb5+能使SrTiO3转化为n-半导体。     

Sn_(0.95)Mg_(0.05)P_2O_7-聚甲基丙烯酸甲酯的制备及性能研究

本文采用超声波法制备了Sn_(0.95)Mg_(0.05)P_2O_7-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)新型有机-无机固体离子复合电解质、运用X射线衍射、扫描电子显微镜和红外光谱仪对样品进行了表证,并且测定了电导率随温度的变化规律.XRD、红外测试表明Sn_(0.95)Mg_(0.05)P_2O_7和PMMA混合没有发生反应生成新物质;SEM表明样品的致密良好.电导率测试表明温度为140℃时电导率达到最大值0.05S·cm~-1     

新型锂离子正极材料Li_2Ru_(0.5)Co_(0.5)O_3的结构及其电化学性能

利用高温固相反应法制备了新型锂离子电池正极材料Li2Ru0.5Co0.5O3.通过X射线衍射技术和电化学性能测试对Li_2Ru_(0.5)Co_(0.5)O_3的微观结构及其电化学性能进行了表征.研究结果表明,该新材料为六方层状结构,空间群为R-3M;电化学性能测试表明,该材料具有良好的比容量和循环性能,在电压范围2.5V～4.8V内,以16mA/g的电流密度,其初始充电比容量达240mAh/g,初始放电比容量为175mAh/g,40次循环后容量保持率为78%.     

0.9Pb(Sc_(0.5)Ta_(0.5))O_3-0.1PbTiO_3/PbTiO_3多层薄膜制备及铁电性研究

以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象.     

SnO2：Sb薄膜的光学和电学性能的研究

本文采用等离子体激活化学气相沉积制备了SnO2掺杂透明导电膜，并研究了薄膜的光学和电学性能，制得的薄膜电阻最低约为17Ω/口，其可见光透射率为85%以上，红外吸收率为80%左右，还测得该膜具有负温阻特性。     

(110)取向镍酸镧导电薄膜的制备及性能研究

采用化学溶液法在SiO2/Si(100)衬底上制备了LaNiO3导电薄膜,研究不同热解温度、不同薄膜厚度对LNO薄膜结构和导电性的影响,结果发现薄膜均呈现(110)择优取向生长,尤其是650°C退火6层的薄膜(110)相对取向度最大为2.05,750°C退火的薄膜电阻率最小,且电阻率随时间和厚度的增加而变大.     

常温H2S气敏薄膜的溶胶—凝胶制备及性能研究

以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以Zn(CH3COO)2·2H2O2为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶（Sol-Gel)工艺制备了ZnO-SnO2薄膜;采用DTA-TG及XRD等分析手段研究了ZnO-SnO2薄膜的热分解和晶化过程,对ZnO-SnO2薄膜的结构进行了表征。研究了ZnO-SnO2薄膜的电学、气敏性能及机理。实验证明,ZnO-SnO2薄膜在常温下对H2S气体具有很好的气敏性能。     

正交法优化电沉积CuInSe2薄膜条件的研究

本研究以导电玻璃作基体材料,在0.1 mol/L的柠檬酸和KC1溶液中,在pH为1.5的条件下,采用了正交实验设计和电沉积法,制备了不同的CuInSe2薄膜样品,分析了各样品的X射线衍射测试结果,优选出较佳的电沉积条件,制备了质量较好黄铜矿型的CuInSe2薄膜。     

Co-Pi和Cu2O共修饰TiO2薄膜及其光电化学性质研究

用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流.     

Zn_(0.85)Co_(0.14)Cu_(0.01)O薄膜的制备及其微结构

用电子束蒸镀方法在250℃~450℃的衬底温度范围内在单晶Si衬底(111)晶面上成功生长了Zn0.85Co0.14Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄,仅为0.408°。     

V2O5光电薄膜的溶胶——凝胶制备及性能研究

以V2O5为原料，苯甲醇，异丁醇为溶剂，采用溶胶0－凝胶（Sol-Gel）工艺制备了V2O5薄膜。采用差热－失重（DTA－TG）、付里叶红外光谱（FT－IR）、X－射线衍射（XRD）等分析手段研究了V205薄膜的结构特性。并研究了V2O5薄膜的透射光谱、气敏、伏安特性及温阻特性。实验发现沉积在ITO导电玻璃衬底上的V2O5薄膜，烧结温度起高,透光性能越好；V2O5薄膜在常温下对NOx气体具有一定的气敏性能。     

喷雾热解法制备SnO2薄膜的结构及性能研究

采用喷雾热解法,在玻璃基板上制备了辐射率较低的SnO2薄膜。利用紫外可见光分光光度计、XRD等手段,研究了沉积温度、液流量对薄膜结构及光电性能的影响。结果表明,沉积温度为520℃、液流量为1.30mL/s时,薄膜具有较佳的电学、光学性能,透过率为80%,电阻率为7×10-4Ω.cm。     

YSZ/Al_2O_3复合陶瓷的制备及性能研究

选用ZrO2（5wt．％Y2O2）和Al2O2为粉体原料,采用溶胶凝胶法制备氧化锆基氧化铝（YSZ／Al2O3）复合陶瓷,研究了悬浮体的Zeta电位、分散性、流变性及其显微结构．结果表明：在pH=9～10附近、选用SD-00为分散剂,加入量为1．0wt．％,粉体最佳配比为70wt．％ZrO2（5wt．％Y2O2）和30wt．％Al2O3获得固相含量为50Vol．％的悬浮体,制备出了均匀致密、高强度的YSZ／Al2O3复合陶瓷．     

空心球形Bi_2O_3/BiOCl复合材料的制备及光催化性能研究

将Bi2O3空心球作为前驱体,利用酸腐蚀法得到Bi2O3/Bi OCl复合催化剂。以有机染料罗丹明(Rh B)为目标污染物进行可见光催化性能的研究表明,Bi2O3/Bi OCl复合催化剂的光催化活性较Bi2O3的催化活性有较大的提高,酸腐处理10分钟的Bi2O3/Bi OCl复合光催化剂表现出最好的光催化活性。对降解后溶液的总有机碳测定表明光敏化过程使溶液中80%的罗丹明分解。