VDMOSFET器件的结构及工艺优化对UIS雪崩耐量的影响

VDMOSFET(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件不同于传统数模集成电路中器件,除了基本的静态和交流特性以外,UIS(非箝位感性负载开关)雪崩耐量(Eas)也是功率器件重要的衡量指标。非箝位感性负载开关过程所引起的VDMOS器件失效是VDMOS在应用过程中最主要的失效形式。故而,提高非箝位电感开关雪崩耐量的研究具有极为重要的意义。本文通过对工艺及器件结构的优化,使VDMOSFET的UIS雪崩耐量在不增加工艺层次的条件下增加接近70%。     

摸石过河——全国首例确认商业秘密不侵权纠纷案纪实(上)

案由上海华明电力设备制造有限公司(下称华明公司)是一家以生产有载分接开关为主的高科技企业,公司经过多年的发展已经成为该领域的龙头老大。华明公司创始人肖日明工程师(下称肖工)是我国高压有载分接开关(下称有载开关)行业内的领军人物,早在     

MOS和IGBT驱动器IR2131J及其应用

引言:功率元件驱动电路的特性在PWM直流伺服系统中占有很重要的地位,在PWM直流伺服系统中,H桥型主电路有四个功率开关器件(功率MOSFET或IGBT),若每个开关器件都用一单独的驱动电路驱动,则需四个驱动电路,至少要配备三个相互独立的直流电源为其供电,这使得系统硬件结构复杂,可靠性下降。 IR2131J是功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路,独有的HVIC(High     

关于建筑现场临时用电的管理

建筑工程中标后,根据工程位置,项目班子进行现场勘测,对场地布置、临设搭建、电源等提出可行性方案。设定临时用电平面布置,确保编制的临时用电施工组织设计有针对性和实用性。一、用电设备计划和负荷量计算根据工程工期,人力资源等因素,选择设备的型号、数量、功率和用电设备计划。全场需要用多少电,即现场中的计算负荷是多少?这是我们选择变压器(发电机)、导线、开关电器时的基础。所谓负荷是指电器设备和线路中通过的电流和功率。所谓满负荷是指负荷达到了电     

BGTB5141型100KW短波发射机功率开关模块的故障分析

功率开关模块作为PSM发射机调制器的核心器件,它将主整电压化整为零,使得PSM发射机调制级既实现晶体管化又属于丁类放大,效率高,稳定可靠。本文主要介绍功率开关模块的工作原理和故障分析,供同行参考。     

无刷直流电机闭环控制设计

介绍了一种基于PID算法的无刷直流电机闭环控制系统,系统采用了专用的集成换相芯片MC33035和智能功率模块IRAMS10UP60A,它集功率变换、驱动和保护电路于一体,具有体积小,结构简单,抗干扰能力强且调速性能好等特点,可广泛适用各种中小功率的直流电机控制。     

开关电源并联均流技术

大功率输出和分布式电源是电源技术发展的方向，而并联开关变换器模块间采用均流技术，是实现大功率电源和冗余电源的关键，本文主要讨论几种常见的开关电源均流技术原理和方法。     

印刷机变频技术实现的研究

本文从整体上介绍了印刷机变频器系统设计,又分别详细的阐述了其中每一部分的硬件构成及特点。本系统以TI公司的TMS320LF2401A型DSP为主控芯片,以富士公司的6MBP50RA120型智能功率模块(J0PM)为主功率开关器件。在整个硬件设计过程中,很多方面实行了优化设计。     

变电所综合自动化系统的抗干扰措施研究

依据多年来进行变电所(主要指10kV、27.5kV)施工的经验,对变电所综合自动化系统的主要干扰来源进行了一些分析。从系统软件和硬件设计上提出了提高系统抗干扰能力的措施,有效消除和削弱了变电所综合自动化系统所受到的各种干扰。从变电所运营效果来看,对提高综合自动化系统的抗干扰能力有着重要意义。     

一种宽带大功率单刀双掷开关的国产化设计分析

在射频集成电路的设计中,经常会应用到一种射频开关,帮助射频信号能够到达不同的支路当中。而且,随着电子对抗领域技术的发展,对于超宽带射频开关的需求日益增强。但目前我国市面上的宽带开关,其芯片大都是进口货,功率容量较小,插入损耗宽带平坦度较差,在大功率工作的状态下,无法保证良好的损耗,因此无法满足大功率射频开关的需求。文章就针对这一问题进行了研究,研制出一种新型的宽带大功率单刀双掷开关,而且本设计采用了国产芯片,实现了元器件的自主可控。且本设计的产品在6GHz～18GHz内小信号下插入的损耗低于1.3dB,施加连续波功率10W时,插入损耗低于1.5dB,具有良好的应用前景。     

变革创业板市场制度促进中小创新型企业发展

中小创新型企业指拥有自主知识产权的核心技术、知名品牌,具有良好的创新管理和文化,整体技术水平在同行业居于先进地位,在市场竞争中具有优势和持续发展能力的中小企业.本文将创业板市场(GEM)按流程划分为准入、交易、税收、监管四个部分,对企业首次公开发行(IPO)和再融资进行了制度变革的探析,从资本市场融资的角度提出了大量促进中小创新型企业发展的制度变革建议.     

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在PSM广播发射机调制器中的应用

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种大电流密度、高电压激励的控制器件,是高压高速新型大功率器件,它的耐压能力为600V～1800V、电流容量为100A～400A、关断时间低至0.02μs。所以在PSM广播发射机调制器的功率模块中大量应用了(IGBT)作为电子开关的重要组件。     

我国中小企业信用体系建设模式创新探析——以湖南长沙国家生物产业基地为例

信用是市场经济的基石,无论是站在从宏观层面还是微观层面来说,信用体系建设都势在必行。从微观方面,中小(微)企业融资难一直困扰是我国中小(微)企业发展的主要问题,而通过信用体系建设的推进,中小(微)企业难的问题可以得到一定程度缓解。研究以湖南长沙国家生物产业基地为例,对我国中小企业信用体系建设模式创新进行了探索,分析了生物产业基地目前信用体系建设存在的问题,并以此为基础,分析了信用体系建设的创新思路和建设架构。     

GW4型隔离开关触指的设计方法研究

主要分析了GW4型隔离开关产品的触指的设计计算方法。     

有源钳位正激变换器设计方法

现在市场上主流的小功率电源一般采用的是软开关技术,这种技术可以降低功耗,提高效率。合理的设计功率变压器的匝数与匝比可以和好的实现开关电源的软开关。在合理分析软开关的机理上,设计出一款有源钳位电路。通过试验证明方案的可行性。     

PSM短波发射机功率开关控制器测试板的设计与应用

基于功率开关控制器悬浮于高电位,当功率开关控制器出现故障时,不能在机上测试以判断并排除故障。通过研究其控制原理,提供模拟电压,制成测试板,便于控制器故障的分析与处理。     

中小功率晶体管芯片背面金属化的研制

在电子产品的生产过程中,中小功率的晶体管生产是一个非常重要的生产环节。芯片作为晶体管的核心组成部分,其能否在晶体管中正常使用是衡量晶体管生产质量的主要指标。这些晶体管芯片一般是以批量生产的方式单独生产,然后再通过集电极使其与晶体管安装在一起,最终制成晶体管成品。但问题是在制备集电极时,金属和半导体之间并不能直接实现较好的接触,出现了整流效应。为了能够更好的实现两者之间的接触,我们决定采用在芯片背面进行金属化的处理方法,来实现半导体与金属的良好接触。现本文就主要研究探讨了中小功率晶体管芯片背面金属化的研制。     

基于TMS320F2407的SR电机调速系统设计

以TMS320F2407DSP为核心控制器,设计了一种性能优良,性价比高的开关磁阻电机调速系统。其控制电路主要包括主控模块、电流检测模块、位置传感器模块、串口电路、故障检测和保护电路等;采用不对称桥式扑结构设计了功率变换器及其驱动电路模块;采用速度和电流双闭环的形式,完成对开关磁阻电机的控制。     

柔性直流输电装备压接型定制化超大功率IGBT关键技术及应用

绝缘栅双极晶体管(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor,?IGBT)作为新一代功率半导体器件的典型代表,具有开关可控、驱动功率小、能够自限流等特点,是柔性直流输电装备的核心元器件,在"双高"电力系统建设和我国能源战略转型中扮演重要角色.与焊接型IGBT器件相比,压接型IGBT器件具有低热阻...     

10kV配电变压器保护配置方式的合理选择

10kV配电变压器的保护配置主要有断路器、负荷开关或负荷开关加熔断器等。本文对10kV环网供电单元和终端用户10kV配电变压器采用断路器、负荷开关加熔断器组合的保护配置方式进行技术-经济比较,供配电网的设计和运行管理部门参考。