高二数学测试

一、选择题(本大题共12小题,每小题4分,共48分,在每小题给出的4个选项中,只有一项是符合题目要求的)1.已知a>b,且a+b<0,那么下列关系式成立的是()(A)|a|>|b|(B)|a|<|b|(C)1a>1b(D)1a<1b2.不等式xx--13≥0的解集是()(A){x|x≤1)(B){x|x>3}(C){x|x≤1,或x>3}(D){x|1≤x<3}3.已知a2+b2=1,x2+y2=1,则ax+by的最小值、最大值分别为()(A)-1、1(B)-2、1(C)1、2(D)-2、24.若|x-m|<ε,|y-m|<ε,则下列不等式中一定成立的是()(A)|x-y|<ε(B)|x-y|>2ε(C)|x-y|<2ε(D)|x-y|>ε5.已知a>1,若A=a+1-a,B=a-a-1,则A、B间的关系()(A)A>B(B)A相似文献   

均匀设计法研究SrTiO_3多功能陶瓷的涂覆离子热扩散

采用均匀设计液相涂覆热扩散方法，研究了涂覆离子，热扩散条件等对SrTiO3系陶瓷电性能的影响；用扫描电子显微镜（SEM）作微观分析，X射线能谱仪作元素分析，证实钠离子（Na＋）的涂覆热扩散未在陶瓷晶粒之间产生新相，钠离子（Na＋）在晶粒内表面形成了一扩散层，讨论了扩散条件与电性能的内在联系．     

估算SrTiO3压敏陶瓷表面层的厚度

通过对SrTiO3压敏陶瓷的I-V、C-V特性的分析,得出一种估算SrTiO3压敏陶瓷表面层厚度的方法,并运用该方法估算了厂家提供的SrTiO3试样表面层的厚度．     

SrTiO_3多功能陶瓷的涂覆离子热扩散研究

采用均匀设计液相涂覆热扩散方法,研究了涂覆离子,热扩散条件等对SrTiO_3系陶瓷电性能的影响;用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)作微观分析,用X射线能谱仪和电子探针(EPA)作元素分析,证实钠离子(Na~ )的涂覆热扩散未在陶瓷晶粒之间产生新相,钠离子(Na~ )在晶粒内表面形成了一扩散层,讨论了扩散条件与电性能的内在联系.     

非平方反比引力定律

根据改进的万有引力公式 ,给出变维分形形式的非平方反比引力定律 :F =-GMm/rD,其中D =f(r) ,而不是D =2 .D的取值随问题的不同而不同 .对于光线近日偏折问题 ,1 .95 4 997≤D≤ 2 .对于水星与太阳之间的引力问题 ,设D =2 -ε,则 2 .0 1 81 65 × 1 0 9≤ε≤ 4 .93 5 2 3 9× 1 0 9.     

导数应用专项训练

一、选择题1.设在[0,1]上函数f(x)的图像是连续的,且f′(x)>0,则下列关系一定成立的是().A.f(0)>0B.f(1)>0C.f(1)>f(0)D.f(1)相似文献   

数学奥林匹克初中训练题(63)

第一试一、选择题 (每小题 7分 ,共 4 2分 )1 .若a、b都是质数 ,且a2 +b =2 0 0 3,则a +b的值等于 (　　 ) .(A) 1 999　(B) 2 0 0 0　(C) 2 0 0 1　(D) 2 0 0 22 .设a >0 >b >c,a +b +c =1 ,M =b +ca ,N =a +cb ,P =a +bc .则M、N、P之间的大小关系是 (　　 ) .(A)M >N >P　　 (B)N >P >M(C)P >M >N　　 (D)M >P >N3.△ABC的三边长a、b、c满足b +c =8,bc =a2 - 1 2a + 52 .则△ABC的周长等于(　　 ) .(A) 1 0　 (B) 1 4　 (C) 1 6　 (D)不能确定4 .下面 4个命题 :①直角三角形的两边长为 3、4 ,则第三边长为 5;②x - 1x=-x …     

浅谈极限概念的建立

本文首先通过数列的一些实例说明当自变量n(取正整数)不断增大时有些数列无限接近于某一个数;有些数列不与某个数无限接近;而有些数列和两个数无限接近….我们把数列与某个数无限接近的这个数称为数列当自变量n取正整数无限增大过程中的极限.并举例说明无限接近的意义,就是说要多么接近都行,只不过数列与某数接近的程度越高,而需要的项数一般来说就越大,为了精确描述它用ε描述数列与某数的接近情况,N描述的是自变量n的变化趋势,从而得出了ε—N定义,并附以几何说明,只有详细分析了数列极限的定义以后.对于自变量趋于无限大时函数的极限,只不过是将自变量n(取正整数)换成X(取一切实数)而已.从而得出ε—X定义.类似地得出函数f(x)当x无限变小时的极限定义.当自变量X无限接近某个数x_0时函数f(x)与某数A无限接近时的极限定义,只要注意用δ>0来描述x与x_0的接近情况,ε>0来描述函数与某数的接近情况,从而得出ε—δ定义.     

初一(下)代数综合练习

1.若n,+,:O,”<二0 (C)m<:0,”<之0 2.若一aZb>o,且:). 一、选择题(每小题3分,共 30分)O(B)军>。 D (C)abZ>0(D)ab十aZ>0 3.二元一次方程3x+4y一20的非负整数解的个数是:’)个. (A)1(B)2(C)3(D)无数多 4.若丫一,一i,则。的值是(). (A)o(B)1(C)1或一1(D)不存在 5.若a+b一3,矿十夕~5,则ab的值是(). (A)3(B)1(C)2(D)4 6.若a<一2001,则下列不等式成立的是(). (A)aZ)一2 OOla(B)aZ<一2 001a (C)a…     

化学题选(信息给予题)

一、选择题(每小题只有一个选项符合题意) 1.酸碱质子理论认为:凡能给出质子(H~ )的物质称为酸;凡能结合质子的物质称为碱。根据这一理论,你认为下列物质中具有两性的是( ) (A)HClO_4 (B)NH_3 (C)CO_3~2 (D)H~ 2.四氧化三铁若看作“混和氧化物”时可写成FeO·Fe_2O_3;根据化合价规律和上述书写方法,Pb_3O_4若看作“混和氧化物”时可写成( ) (A)PbO·Pb_2O_3 (B)Pb_2O·PbO_3 (D)Pb_2O_2·PbO_2 (D)2PbO·PbO_2 3.某盐Na_2R_2O_3·5H_2O遇酸分解,具有还原性、易被氧化,化学式中两个R原子可以看成处于不同的价态,它是一个常用的还原剂。该盐的重要还原反应如下:2Na_2R_2O_3 I_2=Na_2R_4O_6 2NaI;R_2O_3~(2-)离子的结     

Li2CO3-SiO2掺杂对双功能低压SrTiO3基压敏陶瓷性能与工艺的影响

以 L i2 CO3-Si O2 为液相掺杂剂 ,采用一次烧成工艺 ,制备出半导体的 Sr Ti O3基压敏与介电性的双功能陶瓷 .通过电性能与微观结构分析 ,研究了液相掺杂浓度、L i/Si比值及烧结温度对材料性能的影响 .结果表明 ,以 6× 10 - 3mol/L的 Li2 CO3 Si O2 为液相掺杂剂 ,L i/Si=3 /2 ,温度为 13 80℃时 ,在石墨和氮气形成的还原性气氛中烧成的 Sr Ti O3基材料可获得优异的压敏与介电双功能特性     

Microstructures and mechanical properties of SiBCNAl ceramics produced by mechanical alloying and subsequent hot pressing

Amorphous SiBCNAl powders were prepared via a mechanical alloying (MA) technique using crystalline silicon (Si), hexagonal boron nitride (h-BN), graphite (C), and aluminum (Al) as starting materials. SiBCNAl powders were consolidated by a hot pressing (HP) technique at 1800 °C under a pressure of 30 MPa in argon and nitrogen. The sintering atmosphere had a great influence on the microstructures and mechanical properties of the ceramics. The two ceramics had different phase compositions and fracture surface morphologies. For the ceramics sintered in argon, flexural strength, fracture toughness, elastic modulus and Vickers hardness were 421.90 MPa, 3.40 MPa·m1/2, 174.10 GPa, and 12.74 GPa, respectively. For the ceramics sintered in nitrogen, the mechanical properties increased, except for the Vickers hardness, and the values of the above properties were 526.80 MPa, 5.25 MPa·m1/2, 222.10 GPa, and 11.63 GPa, respectively.     

CeO2掺杂对BaTiO3系统微观结构及介电性能的影响

对稀土氧化物CeO2掺杂的BaTiO3系统微观结构和介电性能进行了研究。结果表明,在BaTiO3陶瓷中掺杂CeO2会产生细晶效应、介电常数增大以及介电损耗减小等现象。由X射线衍射仪（XRD）计算可知,c轴变长,a轴变短,增强,Ti^4＋“自发极化强度,因而介电常数有所提高。由于Ce^4＋离子进行A位取代,Ce^4＋离子半径（0．103nm）小于Ba^2＋离子半径（0．135nm）,导致晶格常数有所减小,居里温度向低温移动。掺杂CeO2的摩尔分数为0．5％的BaTiO3陶瓷在1240℃下烧成的主要性能指标为：室温介电常数ε25℃≈3160,介电损耗-0．9％,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±15％。     

Dielectric Properties of ZnTiO3 Microwave Ceramics Consolidated with MgTiO3

STABILIZED ZNTIO, WAS PREPARED BY DOPING MAGNESIUM OXIDE THROUGH TRADITIONAL SOLID-STATE REACTION. THE EXPERIMENTAL RESULTS INDICATE THAT ZINC TITANATE CRYSTALS DOPED WITH MAGNESIUM OXIDE GROW WELL AND THE DECOMPOSITION INTO ZN2TIO4 AND TIO2 IS RESTRAINED THROUGH TRADITIONAL SOLID STATE REACTION. BY ADJUSTING MOLAR RATIO OF MGO, BETTER PROPERTIES CAN BE OBTAINED. THE DIELECTRIC PROPERTIES OF THE CERAMICS DOPED WITH 30% MGO( MOLAR PERCENTAGE) SINTERED AT 1 060 ℃ ARE AS FOLLOWS:THE VALUE OF QUALITY FACTOR IS GREATER THAN 20 000(6. 5 GHZ), THE TEMPERATURE COEFFICIENT OF RESONANCE FREQUENCY IS ABOUT 2 × 10-6/℃, THE DIELECTRIC CONSTANT RANGES FROM 18 TO 22. BESIDES, IT IS PROVED THAT HEAT TREATMENT CAN OPTIMIZE MICROSTRUCTURE AND THE VALUE OF QUALITY FACTOR, WHICH INCREASES FROM 23 833.93 TO 47 584.00 AFTER 2 H OF HEAT TREATMENT AT 1 040 ℃.     

Structure and Dielectric Properties of Sb2O5-Doped ZrO2-SnO2-TiO2 Microwave Ceramics

The microwave frequency band is generally con-sidered in the range of 0.3—3 000 GHz. Its impor-tance is recognizable in the current growth of micro-wave communications systems which make use of thesuperior information density. Many kinds of dielectricmaterials have been developed for microwave applica-tions[1,2]. Among them, solid solution ZrO2-SnO2-TiO2(ZST) has a higher dielectric constant, a highquality factor (Q) value and a lowtemperature coeffi-cient of resonant frequency (TCF). B…     

Gd掺杂BiFeO3铁磁电陶瓷的介电性能

采用固相反应法制备了对BiFeO3进行A位Gd掺杂的系列陶瓷样品Bi1-xGdxFeO3(x为0.00、0.05、0.10、0.15、0.20),借助XRD物相分析手段对样品进行的研究表明其均为三方钙钛矿结构;室温下频率在100Hz-1MHz范围内,Gd掺杂各组分样品的介电常数εr都比未掺杂时显著提高,x=0.05组分样品的介电常数εr最大;除了x=0.05组分,各组分样品的介电损耗tanδ都比未掺杂时略为减小.     

Structural and dielectric properties of Y2O3-doped Ba0.92Sr0.08Ti0.95Sn0.05O3 ceramics

The structural and dielectric properties of Ba0.92Sr0.08Ti0.95Sn0.05O3 (BSTS) +x (molar ratio, %) Y3+ ceramics are investigated. Combining the lattice parameters and the distortion of crystal lattice, an alternation of substitution preference of Y3+ ion for the host cations in perovskite lattice is found. Owing to Y3+ ion entering the A site, the maximum dielectric constant is 5 627 for 1.25% Y3+-doped samples; when Y3+ ion is more than 1.25%, it tends to occupy the B site in perovskite lattice, causing a drop in the dielectric constant. Owing to the appearance of oxygen vacancy, the optimized dielectric loss is 0.004 for 1.25% Y3+-doped samples. The thermal stability of BSTS ceramics is significantly improved and the Curie temperature shifts to lower value with the amount of Y2O3 increased, making it a superior candidate for capacitor applications.     

CeO_2掺杂对BaTiO_3系统微观结构及介电性能的影响

时稀土氧化物CeO2掺杂的BaTiO3系统微观结构和介电性能进行了研究.结果表明,在BaTiO3陶瓷中掺杂CeO2会产生细晶效应、介电常数增大以及介电损耗减小等现象.由X射线衍射仪(XRD)计算可知,c轴变长,a轴变短,增强Ti4+自发极化强度,因而介电常数有所提高.由于Ce4+离子进行A位取代,Ce4+离子半径(0.103 nm)小于Ba2+离子半径(0.135 nm),导致晶格常数有所减小,居里温度向低温移动.掺杂CeO2的摩尔分数为0.5%的BaTiO3陶瓷在1 240℃下烧成的主要性能指标为:室温介电常数ε25℃a≈3 160,介电损耗≈0.9%,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±15%.