退火温度对Ce掺杂ZnO薄膜光学特性影响的研究

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片和Si-SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明大部分样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰,退火温度升高能够提高本征发光峰强度,抑制可见光区发光强度.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.     

退火温度对SiO_2薄膜微结构和光学特性的影响

采用射频磁控溅射技术用单晶Si(111)和载玻片制备了SiO2薄膜。对薄膜进行了不同温度的退火处理。利用X射线衍射仪,紫外-可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪等测试不同退火温度下SiO2薄膜的微结构、透反射曲线和红外吸收谱。研究表明:退火后SiO2薄膜仍为四方结构,薄膜的平均晶粒尺寸随退火温度的升高逐渐增大,晶格常数与标准值相比均稍小。退火温度对薄膜平均反射率影响不明显;薄膜平均透射率随退火温度的升高先增大后减小。     

退火温度对ZnO：Tb复合薄膜的结构和形貌的影响

采用的两步法——先溅射成膜，后退火处理的工艺成功制备了ZnO：Tb复合薄膜，结合XRD、XPS、SEM等手段研究退火温度对薄膜结构和形貌的影响．发现退火温度950％，退火时间10小时为ZnO：Tb薄膜的最佳工艺参数——薄膜表面形成新奇T—A—ZnO结构以及不同直径和长度的螺纹状纳米棒．     

不同退火温度下ZnO薄膜结构及光学特性的表征

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片上成功制备ZnO薄膜,对于不同退火温度样品采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外可见分光光度计(UVS)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明在300℃、400℃、500℃退火处理的样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.透射谱中能观察到明显的ZnO吸收边.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.PL谱中在380nm附近可观察到明显发光峰.     

退火温度对NZFO铁氧体薄膜磁性能的影响(英文)

采用化学溶液沉积法在Si(001)衬底上制备Ni0.7Zn0.3Fe2O4铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有单相的尖晶石结构;扫描电子显微镜结果表明样品平均颗粒尺寸随着退火温度的上升从10 nm增加到32 nm。NZFO铁氧体薄膜磁性能与退火温度有强烈的依赖关系,薄膜的矫顽力从退火温度为500℃时的25 Oe增加到900℃时的80 Oe,饱和磁化强度也由146emu/cm3增加到283 emu/cm3,这对于现代电子器件微型化有着非常重要的意义。     

Si/SiC纳米复合薄膜退火工艺的控制

讨论了Si／SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能，直接受到退火工艺的影响和制约，退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素，可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火，提高了退火可信度，使纳米复合薄膜的结果更可靠。     

退火温度、光整延伸率对160MPa级IF钢力学性能影响研究

通过连续退火模拟试验机研究不同退火温度条件下IF钢产品的组织和性能变化规律,并研究不同光整延伸率对此产品的影响,发现：随着退火温度升高屈服强度逐渐降低、延伸率逐渐升高,退火温度每升高10℃,屈服强度减小2-4MPa;随着光整延伸率的增加,样板屈服强度呈上升趋势,光整延伸率每提升0.1%,屈服强度提升3-4MPa。退火温度810-830℃、光整延伸率1.0%-1.2%时,可得到性能良好的产品。     

L1_0-CoPt磁记录薄膜研究进展

L10结构的CoPt合金薄膜具有高磁晶各向异性能,能够满足超高磁记录的要求,极有可能成为下一代超高密度磁存储介质。详细介绍了CoPt薄膜近年来的研究成果,分析了降低CoPt退火温度和减弱晶粒间交换耦合作用的方法,并对其应用前景作了分析。     

磁场退火温度对Ni_(80)Fe_(20)薄膜磁畴结构的影响研究

利用电子束真空蒸发方法制备了厚度100nm的Ni80Fe20薄膜,研究了磁场退火温度对薄膜磁畴结构的影响。利用振动样品磁强计测量了磁滞回线,利用磁力显微镜观察了薄膜的表面形貌和磁畴结构。结果表明:磁畴结构为明显的条状畴,磁畴宽度最大值约为860nm;随着磁场退火温度的升高,磁畴取向趋于沿垂直膜面方向,退火温度为600℃时,沿着主畴的畴壁形成了细小的横向细畴结构。     

真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响

本文报道对用ＳｉＨ４辉光放电方法和溅射法制备的本征ａ－Ｓｉ薄膜样品，进行高真空退电导变化效应。     

磁光克尔法研究NiMn薄膜的磁性质

较详细介绍了磁光克尔效应的原理、测量方法以及磁光克尔法的实验装置,也介绍了实验装置中的仪器特点以及磁光克尔法的测量过程。从实验结果可以看出,NiMn多层薄膜有明显的磁滞行为,反映了NiMn多层薄膜的铁磁特性。     

电流退火对FeZrBCu软磁合金膜巨磁阻抗效应的影响

采用射频溅射法在单晶硅基片上沉积了(FE88ZR7B5)0.97CU0.03软磁薄膜样品,对制备态样品进行了直流电流退火处理。结果表明,最佳退火电流为800 MA,在13 MHZ频率下,最大纵向巨磁阻抗比从制备态的8%上升到最佳退火态的17%,明显提高了巨磁阻抗效应和磁场响应灵敏度。详细分析和讨论了样品的巨磁阻抗效应随退火电流变化的特性和机理。     

Ni-Mn-Co-Sn铁磁形状记忆合金的磁性、相变及磁热效应

采用电弧熔炼的方法制备了Ni43Mn46-xCoxSn1,系列铁磁形状记忆合金,并对其磁性和相变进行了研究．结果表明,由于价电子浓度的增加,Co替代Mn使材料马氏体转变温度迅速提高．Co的加入使合金的奥氏体居里温度迅速提高,而马氏体居里温度则略有降低．在马氏体相变附近,由于磁化强度的突变,合金表现出巨大的逆磁热效应,表明该系列合金在磁制冷领域有着潜在的应用价值．     

非晶碳化硅薄膜光学特性的热退火效应

通过Raman光谱、紫外-可见透射光谱技术及原子力显微镜对非晶碳化硅薄膜结构和光学特性的热退火效应进行了研究。结果表明,碳化硅拉曼谱带随退火温度的增加而逐渐红移和尖锐化,显示了薄膜中晶化有序度的提高。退火后薄膜包含大量紧凑的纳米团簇,膜面相对于未退火样品较为粗糙。根据紫外-可见透射光谱导出的光学带隙从原始样品的1．86eV连续增加到经1050℃退火样品的2．23eV。碳化硅薄膜中纳米团簇的形成及其晶化程度的增加导致了薄膜光学带隙的蓝移效应。     

一维铁磁链中的磁隙孤子激发

采用Holstein-Primakoff变换、相干态表示；含时微扰原理和多重标度方法，研究了Aharonov-Bohm(A-B)磁通对一维铁磁链中的磁隙孤子产生的影响，得到了在A－B磁通影响下的磁隙孤子的峰值、宽度、能量和自旋空间排列。     

加磁场退火对铁基薄膜巨磁阻抗效应的影响

用射频溅射法制备了(Fe88zr7B5)0.97CU0.03软磁合金薄膜,研究了不同磁场退火方式对(Fe88Zr7B5)0.97 Cu0.03薄膜软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响。结果表明,纵向和横向磁场退火方式都能有效地提高薄膜样品的巨磁阻抗效应,在13 MHz频率下纵向最大GMI比分别为18％和17％;纵向磁场退火能有效消除薄膜样品的磁各向异性,优化薄膜样品的软磁性能;横向磁场退火则能有效感应横向磁各向异性并提高巨磁阻抗效应的磁场响应灵敏度。