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相似文献
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1.
介绍了利用Pspice软件对大功率晶体管GTR的基本特性进行模拟仿真的方法,通过模拟对大功率晶体管GTR的基本特性进行分析,讨论了不同温度对大功率晶体管GTR特性参数的影响。  相似文献   

2.
利用Silvaco半导体器件仿真软件研究了不同注入条件和结构参数对大功率晶体管直流增益(HFE)的影响,清晰、直观地向学生们展现了晶体管电学参数、结构参数及工艺参数之间的联系。表明将器件仿真技术应用于微电子工艺实验教学,可进一步充实教学内容、丰富教学方法、增强教学效果,并提高学生器件设计和制造的能力。  相似文献   

3.
本文主要介绍一种简易的调速方式,它是利用大功率晶体管的开关特性,通过脉宽调制器对大功率晶体管的开关放大器开关时间进行探讨,从而达到调节电机转速的目的。  相似文献   

4.
针对沟槽栅纵向双扩散场效应晶体管(trench-gate MOSFET),提出了一种新型的SPICE模型.通过对沟槽栅MOSFET器件的物理特性及其内在结构分析,建立了漂移区电阻模型.为了准确模拟器件的动态特性,对栅源电容、栅漏电容及源漏电容分别建立了模型.考虑了器件的自热效应、温度效应及击穿特性,建立了自热模型和击穿电压模型,并对模型温度参数进行了修正.通过器件测试结果验证,各参数测试结果和对应模型的仿真结果误差均小于5%.因此,该模型能准确地反映器件的静态和动态特性.  相似文献   

5.
本文从分析晶体管的热过程入手,得出了晶体管的热阻Rt与最大允许集电极耗散功率Pcm的关系式。再通过对晶体管散热途径的分析及前面所得的关系式,得出了大功率晶体管及集成电路为什么要安装散热器。这种分析方法逻辑合理,过程清楚,理论充分,这种分析方法以前是没有的。  相似文献   

6.
集成电路设计过程中离不开计算机模拟,模拟的精确度不仅与器件模型本身有关,还与给定的器件模型参数值是否正确密切有关,所以准确地提取器件的模型参数显得至关重要。双极型晶体管是集成电路中重要组成单元,为提高学生对集成电路设计中对晶体管单元的参数含义的全面深刻认识,在介绍了双极型晶体管各种模型参数的基础上,分析了三极管EM模型参数的相关公式;并讨论了其模型参数提取的简单易行的方法;最后介绍了参数提取的实验设备和仪器、实验方法和实验手段。该实验方法可以帮助学生掌握双极型晶体管模型参数的提取,同时可以加深学生对双极型晶体管模型参数物理意义的理解。  相似文献   

7.
为克服模拟式晶体管图示仪读数误差大、数据无法保存、无法直接读取晶体管特性参数的缺点, 设计了一款多功能数字式晶体管图示仪.以STM32F103芯片为嵌入式处理器, 通过外围电路测量得到晶体管的各电流值和电压值并存储至存储器.处理器对所测数据运算处理,绘制二极管、三极管、场效应管的特性曲线, 并得出二极管、三极管的开启电...  相似文献   

8.
为分析双极性晶体管放大电路而引入的众多双极性晶体管等效模型加重了初学者负担.本文介绍了一种从双极性晶体管物理结构出发推导出高频低频等效电路以简化分析手段、突出教学目的的教学尝试,同时利用仿真软件的辅助分析加深初学者对工程近似概念的理解.  相似文献   

9.
目的:仿生非光滑表面具有降低表面摩擦阻力的作用,传统的非光滑结构有沟槽和凹坑等。本文旨在研究变异卵圆形凹坑非光滑表面的气动摩擦减阻特性及其减阻机理。创新点:1.以仿生学理论为基础,提出变异卵圆形凹坑结构模型,突破现有非光滑结构类型的局限;2.采用参数构造的方法研究变异卵圆形各构造参数对表面摩擦阻力减阻的影响。方法:1.采用半径、半轴和坑深3个尺寸参数对变异卵圆凹坑结构进行几何定义,并将非光滑结构以一定纵向间距按矩形排布布置在仿真模型底部;2.以3个尺寸参数和纵向间距设计"三水平四因素"正交实验,在不同气流流速下进行数值模拟仿真;3.通过速度矢量、边界层厚度变化和压力分布研究变异卵圆形凹坑非光滑表面的气动摩擦减阻机理。结论:1.变异卵圆形非光滑表面具有一定的气动摩擦减阻效果,和光滑表面相比,在空气来流速度为24 m/s时,有10%的减阻效果;2.正交实验分析表明,4个试验因素对减阻效果的影响从大到小排列分别为:半径、坑深、半轴和纵向间距;3.变异卵圆形凹坑表面增加了边界层的厚度,降低了近壁面区域的速度梯度,减少了剪切力,从而起到了减少摩擦阻力的效果。  相似文献   

10.
设计了一种基于MSP430F436单片机的智能化晶体管图形测试仪,采用12位D/A转换器TLV5616实现图形参数的数字化控制,采用单片机自带的12位A/D转换器和LCD实现输出图形参数的测量与显示,并外扩PS/2鼠标作为人机接口,测量数据可通过RS232串口上传到上位机实现高级处理.相对于传统的模拟晶体管图示仪,该图示仪具有精度高、成本低、易于扩展的优点.  相似文献   

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