新型场发射器件中栅极的化学刻蚀制备

为了得到碳纳米管场发射器件的三极结构,设计了一种新型栅极.在电极的制作过程中使用普通的丝网印刷方法,然后运用化学刻蚀的手段进行双面刻蚀制备出带有小孔阵列的栅极.在栅极制作过程中通过改变酸液刻蚀的时间和浓度,可以腐蚀出不同形状的小孔.运用扫描电镜(SEM)和红外光谱(IR)分析,得到小孔的尺寸、形貌和刻蚀液的成份,然后在三极结构上加电压显示出孔的亮度图像,最后对器件结构进行模拟,算出在电场条件下的电子从阴极拉到阳极基板的轨迹.模拟结果和实验结果一致,从而实现了对场发射三极器件的优化.     

碳纳米管场发射阴极工艺及进展

本文对碳纳米管阴极制备工艺及其发射性能进行了综述,对工艺进行了分类讨论.总结了规模化碳纳米管场发射阴极制备工艺应具有的特点.     

TFT液晶显示驱动电路与电源优化设计方法

本文结合有源矩阵液晶显示器件及其驱动技术的发展,分析了TFT-LCD驱动电路的工作原理与电源设计,介绍了一种用于六位数字屏的全新TFT-LCD驱动电路,并对头盔显示器液晶显示及驱动电路设计方法加以详细讨论,软件编程调试与电路实验,取得了好的显示效果。     

8路抢答器的设计与仿真

在明确抢答器电路设计要求的基础上,详细分析了其开关阵列电路、触发锁存与解锁电路、编码电路、译码及显示电路、提示音电路的实现过程.电路仿真结果表明,所设计电路满足要求.根据设计好的电路进行仿真,能极大地简化硬件调试工作,节省制作电路板的时间.     

碳纳米管在VFD场发射阴极中的应用研究

将碳纳米管运用电泳的方法沉积在图形化阴极电极,制备了碳纳米管场发射阴极．并对封装了这种阴极的三极型VFD进行了电子发射性能和发光特性的测试．实验表明用本文方法制备的碳纳米管阴极做电子场发射源的三极型VFD连续点亮了20小时,在15小时内电流波动性不大于7％,并且有良好的发光均匀性和发光亮度。     

基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究

大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法.     

场发射显示器能量消耗研究

为了降低场发射显示器的能量消耗,提出一种新型的像素点结构,并优化了其内部电场分布.基于此结构建立了一个电路模型,得到显示屏功耗的3个主要组成部分:阳极功耗、漏电流损耗和寄生电容能量损耗.其中寄生电容的存在不但会影响驱动电路性能,而且会增加显示屏的功耗.另外,利用多种绝缘层不同的腐蚀速度,得到了新型像素点结构,减小了显示屏的寄生电容,使得其功耗比传统结构减小了28%,并且发射电场分布也优于传统像素点结构.     

LED可控恒流源驱动系统设计

针对小功率LED在现有照明系统中驱动方式存在的一些不足,设计了一种高效的驱动系统.本驱动系统以STC89C52单片机作为核心控制器件,通过D/A变换构成的数控单元,由运算V/I转换电路构成电流闭环反馈控制系统.人机接口采用独立键盘及LCD液晶显示器,控制界面直观、简洁,具有良好的人机交互性能.     

"微机原理与接口技术"开放性实验建设——"点阵LED显示器显示汉字"实验

在"TPC-H通用微机接口实验系统"的基础上,利用其J7端子的通用插座开发外接实验电路板,设计出"点阵LED显示器显示汉字"实验电路。该实验电路可在面包板上实现,实验者可根据实验原理和要求,从实验电路着手,进行面包板上的电路连接、安装,上机编程调试等操作,有助于实验者深刻理解实验原理与电路,提高动手能力。     

等离子体制备氮化铁磁流体用高频高压脉冲电源的研制

根据等离子体活化装置对电源的要求,利用新型功率器件IGBT设计了一种高频高压大功率脉冲电源,并对IGBT的驱动调制电路、保护电路以及电路频率范围的拓宽和功率提高进行了讨论.结果表明,该电源在功率输出、频率范围、波形等方面均能达到设计要求.