Ce：KNSBN晶体二波耦合衍射效率的实验研究

本文对光折变晶体二波耦合的衍射问题进行了理论分析，并对Ce：KNSBN晶体前向二波耦合的衍射效率随入射光强比m的变化关系进行了实验观测。实验结果和理论分析在趋势上相一致。     

两中心模型中光折变晶体吸收系数强度和温度特性理论研究

在光学研究中对两中心模型中光折变晶体吸收系数的强度和温度特性进行了参数的理论分析，结果显示，在两中心模型中，吸收系数有着复杂的强度和温度特性，浅能级和深能级的参数决定着它们对吸收系数特性的贡献。     

光折变晶体光放大特性研究

本文分析了利用光折变晶体实现光放大的原理、方法及特性。为利用光折变晶体实现光放大提供了理论依据,并指出了具体过程中的一些关键因素。     

光折变晶体热透镜效应中光孤子传输与耦合特性的研究

借助双波导孤子耦合模型，通过非线性薛定谔方程分析了光折变晶体热透镜效应中光孤子的传输与耦合特性，研究结果表明：光折变晶体热透镜效应的实质就是光孤子耦合的结果，光孤子传输与耦合特性与两波导中光孤子的相对位相有密切关系。     

光折变晶体中低振幅屏蔽孤子的温度特性

本文在忽略扩散效应的条件下，理论研究了加偏压非光伏光折变晶体中低振幅屏蔽孤子的温度特性。结果表明，当温度一定时，晶体中可形成稳态屏蔽明孤子或暗孤子。通过适当调节温度，可以控制孤子的空间形态。     

温度对中心对称光折变晶体中低振幅空间孤子的影响

基于低振幅条件下中心对称光折变材料中空间孤子的解析结果,结合光折变材料中暗辐射随温度变化表达式,数值分析了这种空间孤子的温度特性。结果表明当温度升高时,孤子的强度包络变大,宽度变窄;当温度降低时,孤子的强度包络变小,宽度变宽。调控温度是改变孤子空间形态的重要手段之一。     

利用二波混频研究光折变晶体PBN的增益系数

介绍一种新型的光折变晶体PBN晶体在二波混频中的一些特性。首先给出了增益系数(Г)随入射角(θ)变化的曲线，在这条曲线中找到一个相应的增益系数最大的入射角(2θ＝29．9度)。在此角度下，改变泵浦光与信号光的光强比，从而得出增益系数与光强比的关系。另外，保持入射角与光强比为最佳状态，改变入射光的总光强，也可看到入射光总光强与增益系数的关系。在本文中所使用的PBN晶体的分子式是Pb0.6Ba0.6Nb2O6，实验所得最高增益系数是9.2／cm。     

光折变晶体中低振幅屏蔽光伏暗孤子演化的温度特性

在忽略扩散效应的条件下,研究了温度对光折变低振幅屏蔽光伏空间暗孤子演化特性的影响.将低振幅的暗孤子解作为入射孤子波,采用数值方法求解波传播方程.结果表明,当温度一定时,晶体中可形成稳定的屏蔽光伏暗孤子,当温度变化较小时,孤子能克服小的微扰而保持其稳定性.当温度变化足够大时,孤子将变得不稳定或者崩溃.通过适当调节温度,可以控制暗孤子的空间形态.     

光折变晶体两波耦合相位特性的参数理论分析

本文用一种模型对双光束耦合进行了分析,推出了相位特性的解析表达式,对影响相位特性的参数进打了理论分析。     

退火温度对Ce掺杂ZnO薄膜光学特性影响的研究

采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片和Si-SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明大部分样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰,退火温度升高能够提高本征发光峰强度,抑制可见光区发光强度.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.     

简并四波混频相位共轭强度特性实验研究

对Ce:KNSBN晶体简并四波混频相位共轭的强度特性进行了实验研究。用文献的理论对其进行了理论分析。实验与理论结果相吻合。     

二元三周期光子晶体透射能带特性的研究

用传输矩阵法理论研究二元三周期一维光子晶体(AmCnAm)k的透射谱,结果发现:在1 900～2 500 nm波长范围内,透射能带谱中出现一个较宽的透射通带,通带两侧的禁带中分别出现两组多条窄带共振透射峰,两组透射峰的条数均可分别由周期数k调节,且条数与k-1数值对应;光子晶体(AmCnAm)k透射能带谱对重复周期数m、n、k变化反应灵敏,当增大m,或增大n,或增大m、n时,光子晶体的透射谱向长波方向移动,即出现红移现象,其中m增大时透射谱红移速度最快,m、n同时增大红移速度次之;随着k,或m,或n,或m、n的增大,光子晶体透射峰的品质因子均不同程度的得到提高。这些特性对光子晶体的实际设计和应用均具有一定的指导意义。     

一维二元光子晶体滤波特性研究

把一维时域有限差分方法用于一维二元光子晶体的滤波特性研究,数值模拟多种因素对一维二元光子晶体的滤波特性的影响,结果表明组成一维二元光子晶体的折射率、厚度、层数、入射角、光源的偏振态等都对滤波特性有影响,掺杂层位置、厚度、电磁参数都能调节其偏振滤波特性。     

有缺陷的一维三元光子晶体透射谱特性的研究

运用光学传输矩阵理论,研究了有缺陷的一维三元光子晶体的透射谱特性。数值模拟结果表明:光子晶体透射谱特性将受到缺陷层折射率和光学厚度的影响。     

Er~(3+):YVO_4晶体1550nm荧光特性

测量了Er3+:YVO4晶体的吸收谱,得到Er3+离子在YVO4晶体中的光辐射特性.通过Dexter理论计算得到了4I13/2+4I13/2→4I9/2+4I15/2和4I11/2+4I11/2→4I7/2+4I15/2的交叉弛豫几率分别为P1=6.718×105s-1和P2=1.676×105s-1,同时建立了描述Er3+离子跃迁的动力学模型,利用速率方程讨论了P1、P2对1550nm荧光的影响.     

一维二元非金属型声子晶体禁带特性研究

选用非金属材料塑料和硅橡胶,组合成一维二元声子晶体匀直杆状结构。通过单一改变结构中非金属材料塑料的密度或者硅橡胶的密度,寻找单一材料密度变化与声子晶体杆禁带特性的关系。结果表明:当选取塑料密度为1190kg·m-3、硅橡胶密度为1300kg·m-3,晶格常数为0.3m,两种材料组份比相同时,一维二元非金属塑料/硅橡胶声子晶体存在低频禁带带隙,第1禁带起始频率为43.07Hz、禁带带宽为33.09Hz,第2禁带起始频率为99.84Hz,第2禁带带宽为52.49Hz;当单一改变塑料的密度,随着密度由小到大线性增加,结构第1带隙的起始频率由66.58Hz逐步减小到34.04Hz;第1带隙的截止频率为76.17Hz,保持不变,带隙宽度展宽;当单一改变材料硅橡胶的密度时,随着材料硅橡胶的密度由小到大线性增加,第1带隙的带宽由109.894HZ减小为18.3748Hz。对于一维二元非金属型声子晶体,选用密度更小的非金属材料与密度更大的非金属材料组合,更容易获得低频宽带带隙。另外,基于密度变化的同时还可以通过改变结构晶格常数的取值来获得更为理想的声子晶体禁带带隙。     

对晶体电光调制实验中输出光波曲线特性的理论分析

根据铌酸锂晶体的电光特性,分析了电光振幅调制器的调制原理,讨论了直流偏压对输出光波特性的影响.结果表明,只有调制器工作在线性调制部分,才能实现电光调制激光通信.     

用传输矩阵法(TMM)研究光子晶体的带结构和传输特性

将传输矩阵法(TMM)应用于一维光子晶体带隙和带结构方程,计算了介电常数不随频率变化和随频率变化的带隙和带结构,计算并说明了在有缺陷的情况下缺陷态(局域态)的存在.     

类金刚石碳膜磁控溅射抗剥离结合强度的实验研究

在复杂型腔制件W18Cr4V钢基体上采用磁控溅射法涂镀类金刚石,研究不同的中间过渡层制备复合结构层的DLC碳膜,薄膜中含有sp3杂化碳原子含量最高,且膜层外观结构光滑无裂痕,韧度、界面结合强度、硬度和厚度等性能指标良好.实验结果对比分析发现Ti/TiN/TiAlN为过渡层的DLC碳膜抗剥离附着性能好,膜层间的结合强度和致密度大幅提高,涂层的内应力明显降低,DLC碳膜的综合力学性能得到全面改善.